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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4518B
微星
双BCD计数器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双BCD计数器
描述
吨他HEF4518B是双4位内部同步BCD
计数器。该计数器具有高电平有效时钟输入
（ CP
0
）和低电平有效的时钟输入（ CP
1
） ，缓冲
所有四个位的位置输出（O
0
与O
3
）和活性
高压倒一切的异步主复位输入（ MR） 。
不论是从低到高柜台前进
CP的过渡
0
如果输入CP
1
为高或高到
HEF4518B
微星
CP的过渡LOW
1
如果输入CP
0
是低的。无论是CP
0
或CP
1
可以用作时钟输入到计数器和
其他时钟输入可以被用作一个时钟使能输入。
上洋先生HIGH复位计数器（O
0
与O
3
= LOW ）
独立的CP
0
， CP
1
.
在时钟输入端施密特触发器动作使得电路
高耐性，较慢的时钟上升和下降时间。
图2钢钉图。
HEF4518BP （ N） ：
HEF4518BD （F ） ：
HEF4518BT （D）：
16引脚DIL ;塑料（ SOT38-1 ）
16引脚DIL ;陶瓷（陶瓷浸渍） （ SOT74 ）
16引脚SO ;塑料（ SOT109-1 ）
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
钉扎
CP
0A
， CP
0B
CP
1A
， CP
1B
MR
A
，先生
B
O
0A
与O
3A
O
0B
与O
3B
时钟输入（L至H触发）
时钟输入（H至L触发）
主复位输入
输出
输出
应用信息
为HEF4518B应用的一些实例是：
多级同步计数。
多级同步计数。
分频器。
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面，通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面，通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
白迫使横向页面被正确通过Acrobat Reader的PDF格式浏览时旋转。白迫使横向页面被...
1995年1月
图3逻辑图（一个计数器） 。
3
功能表
CP
0
L
X
X
L
H
X
笔记
X
CP
1
H
MR
L
L
L
L
L
L
H
模式
计数器的进步
计数器的进步
没有变化
没有变化
没有变化
没有变化
O
0
与O
3
= LOW
产品speci fi cation
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =状态是无关紧要
=正向跳变
=负向过渡
飞利浦半导体
双BCD计数器
HEF4518B
微星
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双BCD计数器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
CP
0
， CP
1
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
MR
→
O
n
前高后低
输出转换
时
前高后低
5
10
15
5
从低到高
最低CP
0
脉冲宽度;低
最低CP
1
脉冲宽度; HIGH
最低MR
脉冲宽度; HIGH
恢复时间
对于MR
建立时间
CP
0
→
CP
1
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
CP
1
→
CP
0
最大时钟
脉冲频率
10
15
5
10
15
1995年1月
f
最大
t
su
t
su
t
RMR
t
WMRH
t
WCPH
t
WCPL
60
30
20
60
30
20
30
20
16
50
30
20
50
30
20
50
30
20
8
15
20
4
t
TLH
t
THL
60
30
20
60
30
20
30
15
10
30
15
10
15
10
8
25
15
10
25
15
10
25
15
10
16
30
40
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
10
15
5
10
15
t
PHL
t
PLH
t
PHL
120
55
40
120
55
40
75
35
25
240纳秒
110纳秒
80纳秒
240纳秒
110纳秒
80纳秒
150纳秒
70纳秒
50纳秒
符号
MIN 。 TYP 。
马克斯。
HEF4518B
微星
典型的外推
公式
93纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
44纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
32纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
93纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
44纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
32纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
48纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
又见波形
图4和图5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双BCD计数器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
750f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
3300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
8000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
HEF4518B
微星
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
图4显示的波形为MR恢复时间;最低CP
0
， CP
1
和MR脉冲宽度。
1995年1月
5
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