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集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4512B
微星
8输入多路复用器与三态
产量
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8输入多路复用器与3态输出
描述
该HEF4512B是8输入多路带8个二进制
输入(I
0
到我
7
) ,一个使能输入端(E)和一个输出使能
输入(EO) 。被选中选择一个八个二进制输入
输入S
0
, S
1
和S
2
和被路由到输出O.一高
关于EO导致O操作呈高阻关断状态,
不管其他输入条件。这允许输出
HEF4512B
微星
与面向总线的系统(三态)直接连接。
当低电平有效使能(E )高,它迫使
提供的EO产量低才算低。通过适当的操作
的输入端,该装置可提供的任何逻辑功能
四个变量。它不能被用于复用的模拟
信号。
图2钢钉图。
HEF4512BP ( N) :
HEF4512BD (F ) :
HEF4512BT (D):
图1的功能框图。
16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
16引脚SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
钉扎
S
0
, S
1
, S
2
EO
E
I
0
到我
7
O
选择输入
输出使能(低电平有效)
使能(低电平有效)
多路复用器输入
多路输出
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
白迫使横向页面被正确通过Acrobat Reader的PDF格式浏览时旋转。白迫使横向页面被...
1995年1月
3
图3的逻辑图。
飞利浦半导体
8输入多路复用器与3态输出
HEF4512B
微星
产品speci fi cation
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8输入多路复用器与3态输出
真值表
输入
EO
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
Z =高阻关断状态
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
2100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5800 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
E
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
S
2
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
S
1
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
S
0
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
X
I
0
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I
1
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I
2
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I
3
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
I
4
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
I
5
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
X
X
I
6
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
X
HEF4512B
微星
产量
I
7
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
O
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
Z
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8输入多路复用器与3态输出
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
O
前高后低
5
10
15
5
从低到高
S
n
O
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
E
O
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
三态传输延迟
输出禁用时间
EO
O
5
10
15
5
输出使能时间
EO
O
5
10
15
t
PZH
35
15
10
70
30
20
ns
ns
ns
10
15
t
PLZ
t
PHZ
35
20
15
35
15
10
70
40
30
70
30
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
100
40
30
100
40
30
140
55
40
150
60
40
60
25
20
55
25
20
60
30
20
60
30
20
200
80
60
200
80
60
280
110
80
300
120
80
120
50
40
110
50
40
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
73纳秒
29纳秒
22纳秒
73纳秒
29纳秒
22纳秒
113纳秒
44纳秒
32纳秒
123纳秒
49纳秒
32纳秒
33纳秒
14纳秒
12纳秒
28纳秒
14纳秒
12纳秒
10纳秒
9 NS
6纳秒
10纳秒
9 NS
6纳秒
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
符号
典型值。
马克斯。
HEF4512B
微星
典型的外推
公式
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 1,0 NS / PF )C
L
( 0.42纳秒/ PF )C
L
( 0.28纳秒/ PF )C
L
( 1,0 NS / PF )C
L
( 0.42纳秒/ PF )C
L
( 0.28纳秒/ PF )C
L
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4512B
微星
8输入多路复用器与三态
产量
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8输入多路复用器与3态输出
描述
该HEF4512B是8输入多路带8个二进制
输入(I
0
到我
7
) ,一个使能输入端(E)和一个输出使能
输入(EO) 。被选中选择一个八个二进制输入
输入S
0
, S
1
和S
2
和被路由到输出O.一高
关于EO导致O操作呈高阻关断状态,
不管其他输入条件。这允许输出
HEF4512B
微星
与面向总线的系统(三态)直接连接。
当低电平有效使能(E )高,它迫使
提供的EO产量低才算低。通过适当的操作
的输入端,该装置可提供的任何逻辑功能
四个变量。它不能被用于复用的模拟
信号。
图2钢钉图。
HEF4512BP ( N) :
HEF4512BD (F ) :
HEF4512BT (D):
图1的功能框图。
16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
16引脚SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
钉扎
S
0
, S
1
, S
2
EO
E
I
0
到我
7
O
选择输入
输出使能(低电平有效)
使能(低电平有效)
多路复用器输入
多路输出
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
白迫使横向页面被正确通过Acrobat Reader的PDF格式浏览时旋转。白迫使横向页面被...
1995年1月
3
图3的逻辑图。
飞利浦半导体
8输入多路复用器与3态输出
HEF4512B
微星
产品speci fi cation
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8输入多路复用器与3态输出
真值表
输入
EO
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
Z =高阻关断状态
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
2100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5800 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
E
H
L
L
L
L
L
L
L
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L
L
L
L
L
L
L
L
X
S
2
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H
H
H
H
H
H
H
X
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H
H
H
L
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L
L
H
H
H
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H
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H
H
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H
H
L
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I
1
X
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X
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I
2
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X
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I
3
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X
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X
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X
X
X
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X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
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X
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I
5
X
X
X
X
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6
X
X
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HEF4512B
微星
产量
I
7
X
X
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X
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X
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X
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X
X
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L
H
X
O
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
Z
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8输入多路复用器与3态输出
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
O
前高后低
5
10
15
5
从低到高
S
n
O
前高后低
10
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从低到高
E
O
前高后低
10
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从低到高
输出转换时间
前高后低
10
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5
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从低到高
三态传输延迟
输出禁用时间
EO
O
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输出使能时间
EO
O
5
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15
t
PZH
35
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30
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ns
ns
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10
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t
PLZ
t
PHZ
35
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35
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ns
ns
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ns
ns
ns
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
100
40
30
100
40
30
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55
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150
60
40
60
25
20
55
25
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20
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30
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200
80
60
200
80
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280
110
80
300
120
80
120
50
40
110
50
40
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
73纳秒
29纳秒
22纳秒
73纳秒
29纳秒
22纳秒
113纳秒
44纳秒
32纳秒
123纳秒
49纳秒
32纳秒
33纳秒
14纳秒
12纳秒
28纳秒
14纳秒
12纳秒
10纳秒
9 NS
6纳秒
10纳秒
9 NS
6纳秒
+
+
+
+
+
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+
+
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+
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+
+
+
+
+
+
符号
典型值。
马克斯。
HEF4512B
微星
典型的外推
公式
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 0,55 NS / PF )C
L
( 0,23 NS / PF )C
L
( 0.16纳秒/ PF )C
L
( 1,0 NS / PF )C
L
( 0.42纳秒/ PF )C
L
( 0.28纳秒/ PF )C
L
( 1,0 NS / PF )C
L
( 0.42纳秒/ PF )C
L
( 0.28纳秒/ PF )C
L
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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