【集成电路数据表对于一个完整的数据资料，也请下载：该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑系列规格】,IC型号HEF4104BT,HEF4104BT PDF资料,HEF4104BT经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4104B

微星

四低到高电压

翻译与3态输出

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四低到高电压转换器

具有三态输出

描述

该HEF4104B四倍低电压到高电压

翻译与3态输出提供的功能

接口的低电压电路的高电压电路，

如低电压LOCMOS和TTL高压

LOCMOS 。它有四个数据输入（I

到我

），高电平有效

输出使能输入（ EO ），四个数据输出（O

与O

）和

它们的补（O

与O

随着EO高，哦

与O

和O-

与O

是在低

阻抗导通状态，无论是高或低的确定

按我

到我

;与EO低，哦

与O

和O-

与O

当前正在使用

高阻关断状态。

HEF4104B

微星

该器件采用了常见的负电源（V

）和

单独的正电源的输入端（V

DDI

），并输出

DD0

). V

DDI

必须始终小于或等于V

DDO

导通，即使在电源和关闭。对于

V允许的工作范围

DDI

和V

DDO

请参阅图表

Fig.4.

每个输入保护电路之间终止

DDO

和V

。这使得输入信号被驱动

从V之间的任何潜在的

DDO

和V

，而不考虑

到电流限制。当从更大的潜力驾驶

比V

DDO

或小于v

时，电流在每个输入必须

被限制在10毫安。

图2钢钉图。

HEF4104BP （ N）：

HEF4104BD （F ）：

HEF4104BT （D）：

16引脚DIL ;塑料

(SOT38-1)

16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT74)

16引脚SO ;塑料

(SOT109-1)

（）：封装标识北美

钉扎

到我

与O

数据输入

输出使能输入

数据输出

补充数据输出

系列数据，我

极限微星类

图1的功能框图。

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四低到高电压转换器

具有三态输出

HEF4104B

微星

图3的逻辑图。

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四低到高电压转换器

具有三态输出

AC特性

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

传播延迟

→

, O

前高后低

从低到高

输出转换时间

前高后低

从低到高

三态传播

延误

输出禁用时间

→

, O

高

低

输出使能时间

→

, O

高

低

PZL

PZH

195

395

195

165

395

190

160

PLZ

PHZ

135

110

120

135

105

110

TLH

THL

PLH

PHL

170

340

160

135

340

160

140

120

143纳秒

69纳秒

57纳秒

143纳秒

69纳秒

62纳秒

10纳秒

9 NS

6纳秒

10纳秒

9 NS

6纳秒

符号

典型值。

马克斯。

HEF4104B

微星

典型的外推

公式

（ 0,55 NS / PF ）C

（ 0,23 NS / PF ）C

（ 0.16纳秒/ PF ）C

（ 0,55 NS / PF ）C

（ 0,23 NS / PF ）C

（ 0.16纳秒/ PF ）C

（ 1,0 NS / PF ）C

（ 0.42纳秒/ PF ）C

（ 0.28纳秒/ PF ）C

（ 1,0 NS / PF ）C

（ 0.42纳秒/ PF ）C

（ 0.28纳秒/ PF ）C

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ μW ）

3 000 f

+ ∑

)

DD2

12 200 f

+ ∑

)

DD2

31 000 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四低到高电压转换器

具有三态输出

HEF4104B

微星

图4 V

DDO

作为V的函数

DDI

;阴影区域显示了允许的运行范围内。

1995年1月

HEF4104B

四低到高的电压转换器具有三态输出

牧师07 - 2009年12月16日

产品数据表

1.概述

该HEF4104B是一款四通道低电压到高的3态输出电压转换。它

提供接口的低电压电路与高电压电路的功能。为

例如低电压局部氧化互补MOS （ LOCMOS ）和晶体管

晶体管逻辑（ TTL）的高电压LOCMOS 。它具有四个数据输入端（A0至A3）的

高电平输出使能输入端（OE），四个数据输出（ B0至B3），和它们的补

（ B0至B3）。

使用OE =高时，输出B0至B3和B0至B3为在ON状态下的低阻抗，

无论是高或低的输入A0到A3确定。用OE =低，输出

B0至B3和B0至B3的是在高阻抗OFF状态。

它采用的是常见的负电源（V

）和独立的正电源的输入端

DD （ A）

）和输出（Ⅴ

DD （ B）

). V

DD （ A）

必须始终小于或等于V

DD （ B）

即使

接通电源时和关断。对于V的允许工作范围

DD （ A）

和

DD （ B）

SEE

图4中。

每个输入保护电路V之间终止

DD （ B）

和V

。这允许输入

信号被从V之间的任何潜在从动

DD （ B）

和V

，而不考虑当前的

限制。当从电势比V更大的驾驶

DD （ B）

或小于v

时，电流在

每个输入必须被限制在10毫安。

它工作在推荐的V

3 V至15 V的电源电压范围参考V

（通常接地）。未使用的输入必须连接到V

, V

或另一个输入。这是

也适用于整个工业（ -40

°C

+85

°C)

温度范围。

2.特点

全静态操作

5 V ， 10 V和15 V额定参数

标准化对称的输出特性

输入和输出保护，防止静电的效果

在整个工业温度范围内工作

40 °C

+85

°C

符合JEDEC标准JESD 13 -B

3.应用

产业

恩智浦半导体

HEF4104B

四低到高的电压转换器具有三态输出

4.订购信息

表1中。

订购信息

所有类型的操作

C至+ 85

类型编号

HEF4104BP

HEF4104BT

包

名字

DIP16

SO16

描述

塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）

塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米

VERSION

SOT38-4

SOT109-1

5.功能图

DD （ A）

DD （ B）

水平

变流器

水平

变流器

水平

变流器

水平

变流器

水平

变流器

DD （ A）

DD （ B）

001aag264

水平

变流器

001aag262

图1 。

逻辑符号

图2 。

逻辑图

HEF4104B_7

产品数据表

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恩智浦半导体

HEF4104B

四低到高的电压转换器具有三态输出

6.管脚信息

6.1钢钉

HEF4104B

DD （ B）

001aag263

16 V

DD （ A）

15 OE

14 B3

13 B3

12 A3

11 A2

10 B2

图3 。

引脚配置

6.2引脚说明

表2中。

符号

DD （ B）

B0至B3

A0到A3

DD （ A）

引脚说明

针

2, 7, 9, 14

3, 6, 10, 13

4, 5, 11, 12

描述

电源电压B口

补充数据输出

数据输出

数据输入

常见的负电源电压（0V）

输出使能输入

电源电压端口A

7.功能描述

表3中。

控制

[1]

功能表

[1]

产量

H =高电压电平; L =低电压电平; Z =高阻关断状态。

HEF4104B_7

产品数据表

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恩智浦半导体

HEF4104B

四低到高的电压转换器具有三态输出

8.极限值

表4 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考V

= 0V （接地）。

符号

DD （ A）

DD （ B）

I / O

英镑

AMB

合计

参数

电源电压

电源电压B

输入钳位电流

输入电压

输出钳位电流

输入/输出电流

电源电流

储存温度

环境温度

总功耗

AMB

40 °C

+85

°C

DIP16

SO16

[1]

[2]

[3]

[2]

[3]

[1]

条件

端口; V

DD （ A）

≤

DD （ B）

B端口; V

DD （ B）

≥

DD （ A）

＆ LT ;

0.5

V或V

＆ GT ; V

DD （ A）

+ 0.5 V

＆ LT ;

0.5

V或V

＆ GT ; V

DD （ B）

+ 0.5 V

民

0.5

最大

+18

±10

+150

+85

750

500

100

单位

°C

DD （ A）

+ 0.5 V

功耗

是I的组合的电流

DD （ A）

我

DD （ B）

每路输出

对于DIP16封装：以上牛逼

AMB

= 70

°C,

合计

线性减额在12毫瓦/ K 。

对于SO16封装：以上牛逼

AMB

= 70

°C,

合计

减额线性8毫瓦/ K 。

9.推荐工作条件

表5 。

符号

DD （ A）

DD （ B）

AMB

ΔT/ ΔV

推荐工作条件

参数

电源电压

电源电压B

输入电压

环境温度

输入过渡上升和下降率

在自由空气

DD （ A）

= 5 V

DD （ A）

= 10 V

DD （ A）

= 15 V

条件

民

≥

DD （ A）

典型值

最大

≤

DD （ B）

DD （ A）

+85

3.75

0.5

0.08

单位

°C

微秒/ V

HEF4104B_7

产品数据表

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恩智浦半导体

HEF4104B

四低到高的电压转换器具有三态输出

10.静态特性

表6 。

静态特性

DD （ A）

= V

DD （ B）

; V

= 0 V; V

= V

或V

DD （ A）

;除非另有规定ED 。

符号参数

高位

输入电压

条件

＆ LT ; 1

μA

DD[1]

10 V

15 V

低电平

输入电压

＆ LT ; 1

μA

10 V

15 V

高位

输出电压

＆ LT ; 1

μA

10 V

15 V

低电平

输出电压

＆ LT ; 1

μA

10 V

15 V

高位

输出电流

= 2.5 V

= 4.6 V

= 9.5 V

= 13.5 V

低电平

输出电流

= 0.4 V

= 0.5 V

= 1.5 V

输入漏电流

电源电流

所有有效的输入

组合;

= 0 A

高电平;

= V

DD （ B）

低水平;

= V

[1]

[2]

AMB

40 °C

AMB

= +25

°C

AMB

= +85

°C

单位

民

3.5

7.0

11.0

4.95

9.95

14.95

1.7

0.52

1.3

3.6

0.52

1.3

3.6

[2]

最大

1.5

3.0

4.0

0.05

±0.3

1.6

民

3.5

7.0

11.0

4.95

9.95

14.95

1.4

0.44

1.1

3.0

0.44

1.1

3.0

最大

1.5

3.0

4.0

0.05

±0.3

1.6

7.5

民

3.5

7.0

11.0

4.95

9.95

14.95

1.1

0.36

0.9

2.4

0.36

0.9

2.4

最大

1.5

3.0

4.0

0.05

±1.0

150

300

600

12.0

μA

10 V

15 V

10 V

15 V

10 V

15 V

关闭状态

输出电流

12.0 μA

输入电容

数字输入

是相同的V

DD （ A）

和V

DD （ B）

是I的组合的电流

DD （ A）

我

DD （ B）

HEF4104B_7

产品数据表

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