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HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
牧师04 - 二零零八年十月三十○日
产品数据表
1.概述
该HEF4094B是一个8级串行移位寄存器。它具有关联的存储锁存器
每个阶段从串行输入数据选通并行缓冲3态输出
QP0到QP7 。的并行输出端可以直接连接到公共总线线路。数据
转嫁正向时钟过渡。在各移位寄存器级的数据是
传送到存储寄存器时,选通脉冲( STR)的输入为HIGH 。在数据
存储寄存器出现在输出端时,输出使能(OE )信号为高电平。
两个串行输出( QS1和QS2 )可用于级联数HEF4094B的
设备。串行数据可在QS1在正向时钟边沿允许高速
在级联系统的快速运行时钟的上升时间。相同的串行数据是
可在QS2上的下一个负向的时钟边沿。这被用于级联
当时钟有一个缓慢的上升时间HEF4094B设备。
它工作在推荐的V
DD
3 V至15 V的电源电压范围参考V
SS
(通常接地) 。未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。这是
也适合使用在工业级(-40
°C
+85
°C)
和汽车( -40
°C
to
+125
°C)
温度范围。
2.特点
I
I
I
I
I
I
全静态操作
5 V , 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
在整个汽车温度范围内工作
40 °C
+125
°C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
ESD保护:
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
3.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
°
C至+ 125
°
C.
类型编号
HEF4094BP
HEF4094BT
HEF4094BTS
名字
DIP16
SO16
SSOP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线( 300万)
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 16线索;体宽5.3毫米
VERSION
SOT38-4
SOT109-1
SOT338-1
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
4.功能图
3
CP
1
STR
QS1
QS2
2
3
D
CP
8级移位
注册
QS2
QS1
STR
8位存储
注册
10
9
2
D
QP3
1
QP4
QP5
15
OE
QP6
三态输出
QP0 QP1 QP2 QP3 QP4 QP5 QP6 QP7
4
5
6
7
14
13
12
11
001aaf119
9
10
4
5
6
7
14
13
12
11
QP0
QP1
QP2
QP7
OE
15
001aaf111
图1 。
工作原理图
图2 。
逻辑符号
0级
D
D
CP
FF 0
CP
CP
Q
D
STAGES 1-6
Q
7级
D
CP
FF 7
D
CP
LATCH
Q
QS2
Q
QS1
D
CP
Q
D
CP
Q
LATCH 0
STR
LATCH 7
OE
QP0
QP1
QP2
QP3
QP4
QP5
QP6
QP7
001aag799
图3 。
逻辑图
HEF4094B_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 二零零八年十月三十○日
2 17
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
5.管脚信息
5.1钢钉
HEF4094B
STR
D
CP
QP0
QP1
QP2
QP3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
001aae662
16 V
DD
15 OE
14 QP4
13 QP5
12 QP6
11 QP7
10 QS2
9
QS1
图4 。
引脚CON组fi guration
5.2引脚说明
表2中。
符号
STR
D
CP
QP0到QP7
V
SS
QS1
QS2
OE
V
DD
引脚说明
1
2
3
4, 5, 6, 7, 14, 13, 12, 11
8
9
10
15
16
描述
选通输入
数据输入
时钟输入
并行输出
地面电源电压
串行输出
串行输出
输出使能输入
电源电压
6.功能描述
表3中。
输入
CP
OE
L
L
H
H
H
STR
X
X
L
H
H
D
X
X
X
L
H
功能表
[1]
并行输出
QP0
Z
Z
NC
L
H
QPn中
Z
Z
NC
QPn中
1
QPn中
1
串行输出
QS1
Q6S
NC
QS6
QS6
QS6
QS2
NC
Q7S
NC
NC
NC
HEF4094B_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 二零零八年十月三十○日
3 17
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
表3中。
输入
CP
[1]
功能表
[1]
- 续
并行输出
OE
H
STR
H
D
H
QP0
NC
QPn中
NC
串行输出
QS1
NC
QS2
Q7S
在正时钟沿,在第7个寄存器级中的信息传送到第八寄存器级和QSN输出。
H =高电压电平; L =低电压水平; X =唐??在意;
=正向跳变;
=负向过渡;
Z =高阻关断状态; NC =无变化;
Q6S =低电平到高电平时钟跳变前的寄存器级6中的数据;
Q7S =高分到低分时钟跳变前的寄存器级7的数据。
时钟输入
数据输入
选通输入
输出使能输入
内部Q0S ( FF 0 )
输出QP0
内部Q6S ( FF 6 )
输出QP6
串行输出QS1
串行输出QS2
001aaf117
Z-状态
Z-状态
图5 。
时序图
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考V
SS
= 0V (接地) 。
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
P
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
功耗
条件
V
I
< 0.5 V或V
I
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
V
O
< 0.5 V或V
O
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
0.5
-
0.5
-
-
-
65
40
最大
+18
±10
V
DD
+ 0.5
±10
±10
50
+150
+125
750
500
100
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
°C
mW
mW
mW
DIP16
SO16
每路输出
[1]
[2]
-
-
-
对于DIP16封装:以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO16封装:以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
HEF4094B_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 二零零八年十月三十○日
4 17
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
8.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
在自由空气
V
DD
= 5 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 15 V
条件
3
0
40
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
15
V
DD
+125
3.75
0.5
0.08
单位
V
V
°C
NS / V
NS / V
NS / V
9.静态特性
表6 。
静态特性
V
SS
= 0 V; V
I
= V
SS
或V
DD
;除非另有规定ED 。
符号参数
V
IH
高位
输入电压
条件
|I
O
|
& LT ; 1
A
V
DD
5V
10 V
15 V
V
IL
低电平
输入电压
|I
O
|
& LT ; 1
A
5V
10 V
15 V
V
OH
高位
输出电压
|I
O
|
& LT ; 1
A
5V
10 V
15 V
V
OL
低电平
输出电压
|I
O
|
& LT ; 1
A
5V
10 V
15 V
I
OH
高位
输出电流
V
O
= 2.5 V
V
O
= 4.6 V
V
O
= 9.5 V
V
O
= 13.5 V
I
OL
低电平
输出电流
V
O
= 0.4 V
V
O
= 0.5 V
V
O
= 1.5 V
I
OZ
关闭状态
输出电流
输入漏
当前
QPn中输出
高;
V
O
= 15 V
5V
5V
10 V
15 V
5V
10 V
15 V
15 V
T
AMB
=
40 °C
T
AMB
= +25
°C
T
AMB
= +85
°C
T
AMB
= +125
°C
单位
3.5
7.0
11.0
-
-
-
4.95
9.95
14.95
-
-
-
1.7
0.64
1.6
4.2
0.64
1.6
4.2
-
最大
-
-
-
1.5
3.0
4.0
-
-
-
0.05
0.05
0.05
-
-
-
-
-
-
-
0.4
3.5
7.0
11.0
-
-
-
4.95
9.95
14.95
-
-
-
1.4
0.5
1.3
3.4
0.5
1.3
3.4
-
最大
-
-
-
1.5
3.0
4.0
-
-
-
0.05
0.05
0.05
-
-
-
-
-
-
-
0.4
3.5
7.0
11.0
-
-
-
4.95
9.95
14.95
-
-
-
1.1
0.36
0.9
2.4
0.36
0.9
2.4
-
最大
-
-
-
1.5
3.0
4.0
-
-
-
0.05
0.05
0.05
-
-
-
-
-
-
-
12
3.5
7.0
11.0
-
-
-
4.95
9.95
14.95
-
-
-
1.1
0.36
0.9
2.4
0.36
0.9
2.4
-
最大
-
-
-
1.5
3.0
4.0
-
-
-
0.05
0.05
0.05
-
-
-
-
-
-
-
12
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
I
I
15 V
-
±0.1
-
±0.1
-
±1.0
-
±1.0
A
HEF4094B_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 二零零八年十月三十○日
5 17
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4094B
微星
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
描述
该HEF4094B是一个8级串行移位寄存器具有
与每个阶段存储锁存器相关联的用于选通数据
从串行输入并行缓冲3态输出
O
0
与O
7
。的并行输出端可以直接连接
普通公交线路。数据被移位在正向
时钟跳变。在各移位寄存器级的数据是
传送到存储寄存器时,选通脉冲( STR)的
输入为高。在存贮寄存器中的数据显示在
输出时输出使能(EO)信号为高电平。
HEF4094B
微星
两个串行输出(O
s
与O'
s
)可用于级联
一些HEF4094B设备。数据可在澳
s
on
正向的时钟沿,以允许高速操作
在级联系统中的时钟信号的上升时间是快速的。
相同的序列信息可在O'
s
上的下一个
负向时钟沿,并提供级联
HEF4094B器件在时钟的上升时间较慢。
图2钢钉图。
HEF4094BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4094BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
HEF4094BT (D): 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
钉扎
D
CP
图1的功能框图。
STR
数据输入
时钟输入
选通输入
EO
O
s
, O’
s
O
0
与O
7
输出使能输入
串行输出
并行输出
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
白迫使横向页面被正确通过Acrobat Reader的PDF格式浏览时旋转。白迫使横向页面被...
1995年1月
3
图3的逻辑图。
产品speci fi cation
图4一D锁存。
飞利浦半导体
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
HEF4094B
微星
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
功能表
输入
CP
EO
L
L
H
H
H
H
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
2, L =低电平状态(不积极的电压)
3. X =状态是无关紧要
4.
5.
=正向跳变
=负向过渡
STR
X
X
L
H
H
H
D
X
X
X
L
H
H
并行输出
O
0
Z
Z
nc
L
H
nc
O
n
Z
Z
nc
O
n-1
O
n-1
nc
串行输出
O
s
O’
6
nc
O’
6
O’
6
O’
6
nc
O’
s
nc
O
7
nc
nc
nc
O
7
HEF4094B
微星
6, Z =高阻关断状态
7. NC =无变化
8. O’
6
=第七移位寄存器级的信息
在时钟的正边缘的第七寄存器级的信息被传递到第八寄存器级和
O
s
输出。
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
2100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
9700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
26 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
CP
O
s
前高后低
5
10
15
5
从低到高
CP
O’
s
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
CP
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
STR
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
135
65
50
105
50
40
105
50
40
105
50
40
165
75
55
150
70
55
110
50
35
100
45
35
60
30
20
60
30
20
270
130
100
210
100
80
210
100
80
210
100
80
330
150
110
300
140
110
220
100
70
200
90
70
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF4094B
微星
典型的外推
公式
108纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
54纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
42纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
78纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
32纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
78纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
32纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
78纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
32纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
138纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
64纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
47纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
123纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
59纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
47纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
83纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
27纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
73纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
34纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
27纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4094B
微星
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
描述
该HEF4094B是一个8级串行移位寄存器具有
与每个阶段存储锁存器相关联的用于选通数据
从串行输入并行缓冲3态输出
O
0
与O
7
。的并行输出端可以直接连接
普通公交线路。数据被移位在正向
时钟跳变。在各移位寄存器级的数据是
传送到存储寄存器时,选通脉冲( STR)的
输入为高。在存贮寄存器中的数据显示在
输出时输出使能(EO)信号为高电平。
HEF4094B
微星
两个串行输出(O
s
与O'
s
)可用于级联
一些HEF4094B设备。数据可在澳
s
on
正向的时钟沿,以允许高速操作
在级联系统中的时钟信号的上升时间是快速的。
相同的序列信息可在O'
s
上的下一个
负向时钟沿,并提供级联
HEF4094B器件在时钟的上升时间较慢。
图2钢钉图。
HEF4094BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4094BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
HEF4094BT (D): 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
钉扎
D
CP
图1的功能框图。
STR
数据输入
时钟输入
选通输入
EO
O
s
, O’
s
O
0
与O
7
输出使能输入
串行输出
并行输出
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
白迫使横向页面被正确通过Acrobat Reader的PDF格式浏览时旋转。白迫使横向页面被...
1995年1月
3
图3的逻辑图。
产品speci fi cation
图4一D锁存。
飞利浦半导体
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
HEF4094B
微星
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
功能表
输入
CP
EO
L
L
H
H
H
H
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
2, L =低电平状态(不积极的电压)
3. X =状态是无关紧要
4.
5.
=正向跳变
=负向过渡
STR
X
X
L
H
H
H
D
X
X
X
L
H
H
并行输出
O
0
Z
Z
nc
L
H
nc
O
n
Z
Z
nc
O
n-1
O
n-1
nc
串行输出
O
s
O’
6
nc
O’
6
O’
6
O’
6
nc
O’
s
nc
O
7
nc
nc
nc
O
7
HEF4094B
微星
6, Z =高阻关断状态
7. NC =无变化
8. O’
6
=第七移位寄存器级的信息
在时钟的正边缘的第七寄存器级的信息被传递到第八寄存器级和
O
s
输出。
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
2100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
9700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
26 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8级移位 - 和 - 存储总线寄存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
CP
O
s
前高后低
5
10
15
5
从低到高
CP
O’
s
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
CP
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
STR
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
135
65
50
105
50
40
105
50
40
105
50
40
165
75
55
150
70
55
110
50
35
100
45
35
60
30
20
60
30
20
270
130
100
210
100
80
210
100
80
210
100
80
330
150
110
300
140
110
220
100
70
200
90
70
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF4094B
微星
典型的外推
公式
108纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
54纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
42纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
78纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
32纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
78纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
32纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
78纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
32纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
138纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
64纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
47纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
123纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
59纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
47纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
83纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
39纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
27纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
73纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
34纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
27纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
1995年1月
5
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
牧师11日 - 2013年8月29日
产品数据表
1.概述
该HEF4094B是一个8级串行移位寄存器。它具有关联的存储锁存器
每个阶段从串行输入数据选通并行缓冲3态输出
QP0到QP7 。的并行输出端可以直接连接到公共总线线路。数据
转嫁正向时钟过渡。在各移位寄存器级的数据是
传送到存储寄存器时,选通脉冲( STR)的输入为HIGH 。在数据
存储寄存器出现在输出端时,输出使能(OE )信号为高电平。
两个串行输出( QS1和QS2 )可用于级联数HEF4094B的
设备。串行数据可在QS1在正向时钟边沿允许高速
在级联系统的快速运行时钟的上升时间。相同的串行数据是
可在QS2上的下一个负向的时钟边沿。这被用于级联
当时钟有一个缓慢的上升时间HEF4094B设备。
它工作在推荐的V
DD
3 V至15 V的电源电压范围参考V
SS
(通常接地) 。未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。
2.特点和好处科幻TS
全静态操作
5 V , 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
从指定的
40 C
+85
C
40 C
+125
C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
3.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
C至+ 125
C.
类型编号
HEF4094BP
HEF4094BT
HEF4094BTS
HEF4094BTT
名字
DIP16
SO16
SSOP16
TSSOP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线( 300万)
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 16线索;体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;体宽4.4毫米
VERSION
SOT38-4
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
4.功能图
3
CP
2
3
D
CP
8级移位
注册
QS2
QS1
STR
8位存储
注册
2
OE
D
QP3
QP4
三态输出
QP5
QP0 QP1 QP2 QP3 QP4 QP5 QP6 QP7
4
5
6
7
14
13
12
11
001aaf119
1
STR
QS1
9
10
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
QS2
QP0
QP1
QP2
1
15
QP6
QP7
OE
15
001aaf111
图1 。
工作原理图
图2 。
逻辑符号
0级
D
D
CP
FF 0
CP
CP
Q
D
STAGES 1-6
Q
7级
D
CP
FF 7
D
LE
LATCH
Q
QS2
Q
QS1
D
LE
Q
D
LE
Q
LATCH 0
STR
LATCH 7
OE
QP0
QP1
QP2
QP3
QP4
QP5
QP6
QP7
001aag799
图3 。
逻辑图
HEF4094B
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产品数据表
牧师11日 - 2013年8月29日
2 20
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
5.管脚信息
5.1钢钉
HEF4094B
STR
D
CP
QP0
QP1
QP2
QP3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
001aae662
16 V
DD
15 OE
14 QP4
13 QP5
12 QP6
11 QP7
10 QS2
9
QS1
图4 。
引脚配置SOT38-4和SOT109-1
图5 。
引脚配置SOT338-1和SOT403-1
5.2引脚说明
表2中。
符号
STR
D
CP
QP0到QP7
V
SS
QS1
QS2
OE
V
DD
引脚说明
1
2
3
4, 5, 6, 7, 14, 13, 12, 11
8
9
10
15
16
描述
选通输入
数据输入
时钟输入
并行输出
地面电源电压
串行输出
串行输出
输出使能输入
电源电压
HEF4094B
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产品数据表
牧师11日 - 2013年8月29日
3 20
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
6.功能描述
表3中。
输入
CP
[1]
功能表
[1]
并行输出
OE
L
L
H
H
H
H
STR
X
X
L
H
H
H
D
X
X
X
L
H
H
QP0
Z
Z
NC
L
H
NC
QPn中
Z
Z
NC
QPn中
1
QPn中
1
NC
串行输出
QS1
Q6S
NC
Q6S
Q6S
Q6S
NC
QS2
NC
Q7S
NC
NC
NC
Q7S
在正时钟沿,在第7个寄存器级中的信息传送到第八寄存器级和QSN输出。
H =高电压电平; L =低电压水平; X =唐??在意;
=正向跳变;
=负向过渡;
Z =高阻关断状态; NC =无变化;
Q6S =低电平到高电平时钟跳变前的寄存器级6中的数据;
Q7S =高分到低分时钟跳变前的寄存器级7的数据。
时钟输入
数据输入
选通输入
输出使能输入
内部Q0S ( FF 0 )
输出QP0
内部Q6S ( FF 6 )
输出QP6
串行输出QS1
串行输出QS2
001aaf117
Z-状态
Z-状态
图6 。
时序图
HEF4094B
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产品数据表
牧师11日 - 2013年8月29日
4 20
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考V
SS
= 0V (接地) 。
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
P
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
功耗
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
0.5
-
0.5
-
-
-
65
40
最大
+18
10
V
DD
+ 0.5
10
10
50
+150
+125
750
500
100
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
C
C
mW
mW
mW
DIP16
SO16 , SSOP16和TSSOP16
每路输出
[1]
[2]
-
-
-
对于DIP16封装:以上牛逼
AMB
= 70
C,
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO16封装:P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于(T ) SSOP16封装:P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
8.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
在自由空气
V
DD
= 5 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 15 V
条件
3
0
40
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
15
V
DD
+125
3.75
0.5
0.08
单位
V
V
C
微秒/ V
微秒/ V
微秒/ V
HEF4094B
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产品数据表
牧师11日 - 2013年8月29日
5 20
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
牧师08 - 2010年4月2日
产品数据表
1.概述
该HEF4094B是一个8级串行移位寄存器。它具有关联的存储锁存器
每个阶段从串行输入数据选通并行缓冲3态输出
QP0到QP7 。的并行输出端可以直接连接到公共总线线路。数据
转嫁正向时钟过渡。在各移位寄存器级的数据是
传送到存储寄存器时,选通脉冲( STR)的输入为HIGH 。在数据
存储寄存器出现在输出端时,输出使能(OE )信号为高电平。
两个串行输出( QS1和QS2 )可用于级联数HEF4094B的
设备。串行数据可在QS1在正向时钟边沿允许高速
在级联系统的快速运行时钟的上升时间。相同的串行数据是
可在QS2上的下一个负向的时钟边沿。这被用于级联
当时钟有一个缓慢的上升时间HEF4094B设备。
它工作在推荐的V
DD
3 V至15 V的电源电压范围参考V
SS
(通常接地) 。未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。这是
也适合使用在工业级(-40
°C
+85
°C)
和汽车( -40
°C
to
+125
°C)
温度范围。
2.特点和好处科幻TS
全静态操作
5 V , 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
在整个汽车温度范围内工作
40 °C
+125
°C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
3.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
°
C至+ 125
°
C.
类型编号
HEF4094BP
HEF4094BT
HEF4094BTS
名字
DIP16
SO16
SSOP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线( 300万)
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 16线索;体宽5.3毫米
VERSION
SOT38-4
SOT109-1
SOT338-1
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
4.功能图
3
CP
1
STR
QS1
QS2
2
3
D
CP
8级移位
注册
QS2
QS1
STR
8位存储
注册
10
9
2
D
QP3
1
QP4
QP5
15
OE
QP6
三态输出
QP0 QP1 QP2 QP3 QP4 QP5 QP6 QP7
4
5
6
7
14
13
12
11
001aaf119
9
10
4
5
6
7
14
13
12
11
QP0
QP1
QP2
QP7
OE
15
001aaf111
图1 。
工作原理图
图2 。
逻辑符号
0级
D
D
CP
FF 0
CP
CP
Q
D
STAGES 1-6
Q
7级
D
CP
FF 7
D
LE
LATCH
Q
QS2
Q
QS1
D
LE
Q
D
LE
Q
LATCH 0
STR
LATCH 7
OE
QP0
QP1
QP2
QP3
QP4
QP5
QP6
QP7
001aag799
图3 。
逻辑图
HEF4094B_8
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产品数据表
牧师08 - 2010年4月2日
2 19
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
5.管脚信息
5.1钢钉
HEF4094B
STR
D
CP
QP0
QP1
QP2
QP3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
001aae662
16 V
DD
15 OE
14 QP4
13 QP5
12 QP6
11 QP7
10 QS2
9
QS1
图4 。
引脚配置
5.2引脚说明
表2中。
符号
STR
D
CP
QP0到QP7
V
SS
QS1
QS2
OE
V
DD
引脚说明
1
2
3
4, 5, 6, 7, 14, 13, 12, 11
8
9
10
15
16
描述
选通输入
数据输入
时钟输入
并行输出
地面电源电压
串行输出
串行输出
输出使能输入
电源电压
HEF4094B_8
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产品数据表
牧师08 - 2010年4月2日
3 19
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
6.功能描述
表3中。
输入
CP
[1]
功能表
[1]
并行输出
OE
L
L
H
H
H
H
STR
X
X
L
H
H
H
D
X
X
X
L
H
H
QP0
Z
Z
NC
L
H
NC
QPn中
Z
Z
NC
QPn中
1
QPn中
1
NC
串行输出
QS1
Q6S
NC
Q6S
Q6S
Q6S
NC
QS2
NC
Q7S
NC
NC
NC
Q7S
在正时钟沿,在第7个寄存器级中的信息传送到第八寄存器级和QSN输出。
H =高电压电平; L =低电压水平; X =唐??在意;
=正向跳变;
=负向过渡;
Z =高阻关断状态; NC =无变化;
Q6S =低电平到高电平时钟跳变前的寄存器级6中的数据;
Q7S =高分到低分时钟跳变前的寄存器级7的数据。
时钟输入
数据输入
选通输入
输出使能输入
内部Q0S ( FF 0 )
输出QP0
内部Q6S ( FF 6 )
输出QP6
串行输出QS1
串行输出QS2
001aaf117
Z-状态
Z-状态
图5 。
时序图
HEF4094B_8
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产品数据表
牧师08 - 2010年4月2日
4 19
恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考V
SS
= 0V (接地) 。
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
P
[1]
[2]
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
功耗
条件
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
0.5
-
0.5
-
-
-
65
40
最大
+18
±10
V
DD
+ 0.5
±10
±10
50
+150
+125
750
500
100
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
°C
mW
mW
mW
DIP16
SO16
每路输出
[1]
[2]
-
-
-
对于DIP16封装:以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO16封装:以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
8.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
在自由空气
V
DD
= 5 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 15 V
条件
3
0
40
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
15
V
DD
+125
3.75
0.5
0.08
单位
V
V
°C
微秒/ V
微秒/ V
微秒/ V
HEF4094B_8
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