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首字符H的型号第426页
> HEF4082B
集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4082B
门
两个4输入与门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
两个4输入与门
描述
该HEF4082B提供了积极的双4输入与
功能。输出是完全缓冲的最高噪音
输出阻抗的免疫力和模式不敏感。
HEF4082B
门
图2钢钉图。
HEF4082BP （ N） ：
HEF4082BD （F ） ：
HEF4082BT （D）：
图1的功能框图。
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
两个4输入与门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL ;
t
PLH
符号
典型值。
65
30
25
60
30
20
60
30
20
马克斯。
125
60
45
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4082B
门
典型的外推
公式
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1500 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
6700 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
16 800 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
集成电路
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系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4082B
门
两个4输入与门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
两个4输入与门
描述
该HEF4082B提供了积极的双4输入与
功能。输出是完全缓冲的最高噪音
输出阻抗的免疫力和模式不敏感。
HEF4082B
门
图2钢钉图。
HEF4082BP （ N） ：
HEF4082BD （F ） ：
HEF4082BT （D）：
图1的功能框图。
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
两个4输入与门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL ;
t
PLH
符号
典型值。
65
30
25
60
30
20
60
30
20
马克斯。
125
60
45
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4082B
门
典型的外推
公式
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1500 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
6700 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
16 800 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
WWW.ALLDATASHEET.COM
版权所有每个制造公司。
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集成电路
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系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
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HEF4082B
门
两个4输入与门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
两个4输入与门
描述
该HEF4082B提供了积极的双4输入与
功能。输出是完全缓冲的最高噪音
输出阻抗的免疫力和模式不敏感。
HEF4082B
门
图2钢钉图。
HEF4082BP （ N） ：
HEF4082BD （F ） ：
HEF4082BT （D）：
图1的功能框图。
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
两个4输入与门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL ;
t
PLH
符号
典型值。
65
30
25
60
30
20
60
30
20
马克斯。
125
60
45
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4082B
门
典型的外推
公式
38纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1500 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
6700 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
16 800 f
i
+ ∑
(f
o
CL ）
×
V
DD 2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
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地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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