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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4076B
微星
四D型寄存器
三态输出
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D型寄存器，三态输出
描述
该HEF4076B是一个四边沿触发的D型
触发器具有四个数据输入端（D
0
到D
3
），两个低电平有效
数据使能输入（ ED
0
和ED
1
） ，一个共同的时钟输入
（ CP ） ，四三态输出（O
0
与O
3
），两个低电平有效
输出使能输入（ EO
0
和EO
1
）和压倒一切的
异步主复位输入（ MR） 。
HEF4076B
微星
D上的信息
0
到D
3
被存储在上的四个触发器
低到CP如果两个ED高的转换
0
和ED
1
是
低。在任一ED高
0
或ED
1
防止触发器
从改变在低到CP的高过渡，
独立的D上的信息
0
到D
3
。当两个
EO
0
和EO
1
是第4触发器的低电压时，内容
可在澳
0
与O
3
。一高在任EO
0
or
EO
1
力量
0
与O
3
成为高阻抗OFF状态。一
高位MR重置所有四个触发器，独立于所有的
其他的输入条件。
图2钢钉图。
HEF4076BP （ N） ： 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4076BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
HEF4076BT （D）： 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
图1的功能框图。
（ ） ：封装标识北美
钉扎
D
0
到D
3
ED
0
， ED
1
EO
0
， EO
1
CP
MR
O
0
与O
3
数据输入
数据使能输入（低电平有效）
输出使能输入（低电平有效）
时钟输入（从低到高，边沿触发）
主复位输入
数据输出
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D型寄存器，三态输出
HEF4076B
微星
图3的逻辑图。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D型寄存器，三态输出
功能表
输入
MR
H
L
L
L
L
L
CP
X
ED
0
X
H
X
L
L
X
ED
1
X
X
H
L
L
X
D
n
X
X
X
H
L
X
输出
O
n
L
没有变化
没有变化
H
L
没有变化
笔记
HEF4076B
微星
1. EO
0
- EO
1
= LOW
当任一EO
0
或EO
1
为高电平时，输出为
禁用（高阻关断状态） 。
H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =状态是无关紧要
=正向跳变
=负向过渡
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒;又见波形图4
V
DD
V
传播延迟
CP
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
MR
→
O
n
前高后低
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
三态传播时间
输出禁用时间
EO
n
→
O
n
高
低
5
10
15
5
10
15
t
PLZ
t
PHZ
50
35
30
45
30
30
105
70
65
90
65
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL
t
PLH
t
PHL
150
60
45
160
65
45
95
40
30
60
30
20
60
30
20
305
120
85
320
130
90
190
85
65
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
123纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
49纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
37纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
133纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
54纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
37纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D型寄存器，三态输出
HEF4076B
微星
典型的外推
公式
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DD
V
输出使能时间
EO
n
→
O
n
高
低
5
10
15
5
10
15
符号
分钟。
典型值。
65
马克斯。
130
55
40
120
50
35
t
PZH
30
20
60
t
PZL
25
20
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
建立时间
D
n
→
CP
5
10
15
5
ED
n
→
CP
保持时间
D
n
→
CP
10
15
5
10
15
5
ED
n
→
CP
最小时钟
脉冲宽度;低
最低MR脉冲
宽度; HIGH
恢复时间
对于MR
最大时钟
脉冲频率
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
f
最大
t
RMR
t
WMRH
t
WCPL
t
HOLD
t
HOLD
t
su
t
su
符号
分钟。
10
0
0
0
0
0
55
20
15
25
10
5
120
45
30
55
30
20
90
35
20
4
11
16
典型值。
15
10
5
50
20
15
30
10
10
25
10
5
60
20
15
25
15
10
45
15
10
8
22
32
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
又见波形
Fig.4
典型的外推
公式
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4076B
微星
四D型寄存器
三态输出
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D型寄存器，三态输出
描述
该HEF4076B是一个四边沿触发的D型
触发器具有四个数据输入端（D
0
到D
3
），两个低电平有效
数据使能输入（ ED
0
和ED
1
） ，一个共同的时钟输入
（ CP ） ，四三态输出（O
0
与O
3
），两个低电平有效
输出使能输入（ EO
0
和EO
1
）和压倒一切的
异步主复位输入（ MR） 。
HEF4076B
微星
D上的信息
0
到D
3
被存储在上的四个触发器
低到CP如果两个ED高的转换
0
和ED
1
是
低。在任一ED高
0
或ED
1
防止触发器
从改变在低到CP的高过渡，
独立的D上的信息
0
到D
3
。当两个
EO
0
和EO
1
是第4触发器的低电压时，内容
可在澳
0
与O
3
。一高在任EO
0
or
EO
1
力量
0
与O
3
成为高阻抗OFF状态。一
高位MR重置所有四个触发器，独立于所有的
其他的输入条件。
图2钢钉图。
HEF4076BP （ N） ： 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4076BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
HEF4076BT （D）： 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
图1的功能框图。
（ ） ：封装标识北美
钉扎
D
0
到D
3
ED
0
， ED
1
EO
0
， EO
1
CP
MR
O
0
与O
3
数据输入
数据使能输入（低电平有效）
输出使能输入（低电平有效）
时钟输入（从低到高，边沿触发）
主复位输入
数据输出
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D型寄存器，三态输出
HEF4076B
微星
图3的逻辑图。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D型寄存器，三态输出
功能表
输入
MR
H
L
L
L
L
L
CP
X
ED
0
X
H
X
L
L
X
ED
1
X
X
H
L
L
X
D
n
X
X
X
H
L
X
输出
O
n
L
没有变化
没有变化
H
L
没有变化
笔记
HEF4076B
微星
1. EO
0
- EO
1
= LOW
当任一EO
0
或EO
1
为高电平时，输出为
禁用（高阻关断状态） 。
H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =状态是无关紧要
=正向跳变
=负向过渡
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒;又见波形图4
V
DD
V
传播延迟
CP
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
MR
→
O
n
前高后低
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
三态传播时间
输出禁用时间
EO
n
→
O
n
高
低
5
10
15
5
10
15
t
PLZ
t
PHZ
50
35
30
45
30
30
105
70
65
90
65
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL
t
PLH
t
PHL
150
60
45
160
65
45
95
40
30
60
30
20
60
30
20
305
120
85
320
130
90
190
85
65
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
123纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
49纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
37纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
133纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
54纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
37纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
68纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
29纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D型寄存器，三态输出
HEF4076B
微星
典型的外推
公式
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DD
V
输出使能时间
EO
n
→
O
n
高
低
5
10
15
5
10
15
符号
分钟。
典型值。
65
马克斯。
130
55
40
120
50
35
t
PZH
30
20
60
t
PZL
25
20
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
建立时间
D
n
→
CP
5
10
15
5
ED
n
→
CP
保持时间
D
n
→
CP
10
15
5
10
15
5
ED
n
→
CP
最小时钟
脉冲宽度;低
最低MR脉冲
宽度; HIGH
恢复时间
对于MR
最大时钟
脉冲频率
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
f
最大
t
RMR
t
WMRH
t
WCPL
t
HOLD
t
HOLD
t
su
t
su
符号
分钟。
10
0
0
0
0
0
55
20
15
25
10
5
120
45
30
55
30
20
90
35
20
4
11
16
典型值。
15
10
5
50
20
15
30
10
10
25
10
5
60
20
15
25
15
10
45
15
10
8
22
32
马克斯。
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
又见波形
Fig.4
典型的外推
公式
1995年1月
5
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