飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入或门
描述
该HEF4071B是一个正逻辑四路2输入或
门。输出是完全缓冲的最高噪音
输出阻抗的免疫力和模式不敏感。
HEF4071B
门
图2钢钉图。
HEF4071BP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF4071BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF4071BT （D）： 14引线SO ;塑料
图1的功能框图。
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
图3逻辑图（ 1 gfate ） 。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入或门
描述
该HEF4071B是一个正逻辑四路2输入或
门。输出是完全缓冲的最高噪音
输出阻抗的免疫力和模式不敏感。
HEF4071B
门
图2钢钉图。
HEF4071BP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF4071BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF4071BT （D）： 14引线SO ;塑料
图1的功能框图。
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
图3逻辑图（ 1 gfate ） 。
1995年1月
2
HEF4071B
四2输入或门
牧师06 - 2009年12月1日
产品数据表
1.概述
该HEF4071B是四2输入或门。输出是完全缓冲的最高噪音
免疫力和模式不敏感，输出阻抗变化。
它工作在推荐的V
DD
3 V至15 V的电源电压范围参考V
SS
（通常接地） 。未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。
它也适用于使用超过两个的工业级（-40
°C
+85
°C)
与汽车
(40
°C
+125
°C)
温度范围。
2.特点
全静态操作
5 V ， 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
输入和输出保护，防止静电的效果
在整个汽车温度范围内工作
40 °C
+125
°C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
3.应用
汽车和工业
4.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
°
C至+ 125
°
C.
类型编号
HEF4071BP
HEF4071BT
包
名字
DIP14
SO14
描述
塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）
塑料小外形封装; 14线索;体宽3.9毫米
VERSION
SOT27-1
SOT108-1
恩智浦半导体
HEF4071B
四2输入或门
7.功能描述
表3中。
输入
nA
L
L
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nB
L
H
L
H
nY
L
H
H
H
H =高电压电平; L =低电压电平。
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考V
SS
= 0V （接地） 。
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
至+ 125
°C
DIP14
SO14
P
[1]
[2]
[1]
[2]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
民
0.5
-
0.5
-
-
-
65
40
-
-
-
最大
+18
±10
V
DD
+ 0.5
±10
±10
50
+150
+125
750
500
100
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
°C
°C
mW
mW
mW
功耗
每路输出
对于DIP14封装：以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额直线为12毫瓦/ K 。
对于SO14封装：以上牛逼
AMB
= 70
°C,
P
合计
减额线性8毫瓦/ K 。
9.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
在自由空气
V
DD
= 5 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 15 V
条件
民
3
0
40
-
-
-
最大
15
V
DD
+125
3.75
0.5
0.08
单位
V
V
°C
微秒/ V
微秒/ V
微秒/ V
HEF4071B_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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3 11
恩智浦半导体
HEF4071B
四2输入或门
11.动态特性
表7中。
动态特性
T
AMB
= 25
°
℃;波形见
图4 ;
测试电路见
图5 ;
除非另有规定ED 。
[1]
符号参数
t
PHL
前高后低
传播延迟
条件
Na或NB到纽约
V
DD
5V
10 V
15 V
t
PLH
从低到高
传播延迟
Na或NB到纽约
5V
10 V
15 V
t
t
转换时间
5V
10 V
15 V
[1]
[2]
[2]
外推公式
28 NS + （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
15 NS + （ 0.23纳秒/ PF ）C
L
12 NS + （ 0.16纳秒/ PF ）C
L
18 NS + （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
9 NS + （ 0.23纳秒/ PF ）C
L
7 NS + （ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒+ （ 1.00纳秒/ PF ）C
L
9 NS + （ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6 NS + （ 0.28纳秒/ PF ）C
L
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
55
25
20
45
20
15
60
30
20
最大
115
50
35
90
45
30
120
60
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
的传播延迟和输出转变时间的典型值可（来计算外推式C
L
单位为pF ） 。
t
t
是相同为T
THL
和T
TLH
.
表8 。
动态功耗
V
SS
= 0 V ;牛逼
r
= t
f
≤
20纳秒;牛逼
AMB
= 25
°
C.
符号参数
P
D
动态功耗
V
DD
典型配方
其中：
f
i
=以MHz输入频率;
5 V P
D
= 1150
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
(μW)
10 V P
D
= 4800
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
（ μW ）F
o
=以MHz输出频率;
15 V P
D
= 19700
×
f
i
+
Σ(f
o
×
C
L
)
×
V
DD2
（ W ）C
L
=以pF输出负载电容;
Σ(f
o
×
C
L
）=输出的总和;
V
DD
在五=电源电压
12.波形
t
r
V
I
呐， NB输入
0V
t
f
90 %
V
M
10 %
t
PLH
t
PHL
V
OH
纽约输出
V
OL
90 %
V
M
10 %
t
TLH
t
THL
001aai140
在测量点中给出
表9 。
逻辑电平： V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的输出电压电平。
图4 。
输入到输出的传输延迟和输出转换时间
HEF4071B_6
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