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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4070B
门
四倍异或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
描述
该HEF4070B提供了积极的四倍
异或函数。输出是完全缓冲的
高抗噪性和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4070B
门
图2钢钉图。
HEF4070BP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF4070BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF4070BT （D）： 14引线SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
应用信息
为HEF4070B应用的一些实例是：
逻辑比较
奇偶校验器和发电机
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
真值表
I
1
L
H
L
H
记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
I
2
L
L
H
H
O
1
L
H
H
L
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
85
35
30
75
30
25
60
30
20
60
30
20
175
75
55
150
65
50
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
58纳秒
24纳秒
21纳秒
48纳秒
19纳秒
17纳秒
10纳秒
9 NS
6纳秒
10纳秒
9 NS
6纳秒
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
符号
典型值。
马克斯。
HEF4070B
门
典型的外推
公式
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 1,0 NS / PF ）C
L
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
（ 1,0 NS / PF ）C
L
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
14 400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
集成电路
数据表
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系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4070B
门
四倍异或门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
描述
该HEF4070B提供了积极的四倍
异或函数。输出是完全缓冲的
高抗噪性和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4070B
门
图2钢钉图。
HEF4070BP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF4070BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF4070BT （D）： 14引线SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
应用信息
为HEF4070B应用的一些实例是：
逻辑比较
奇偶校验器和发电机
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
真值表
I
1
L
H
L
H
记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
I
2
L
L
H
H
O
1
L
H
H
L
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四倍异或门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
85
35
30
75
30
25
60
30
20
60
30
20
175
75
55
150
65
50
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
58纳秒
24纳秒
21纳秒
48纳秒
19纳秒
17纳秒
10纳秒
9 NS
6纳秒
10纳秒
9 NS
6纳秒
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
符号
典型值。
马克斯。
HEF4070B
门
典型的外推
公式
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 1,0 NS / PF ）C
L
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
（ 1,0 NS / PF ）C
L
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
14 400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
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