【HEF4066B四单刀单掷模拟开关启示录7 - 2011年11月16日产品数据表1.概述该HEF40】,IC型号HEF4066BP,HEF4066BP PDF资料,HEF4066BP经销商,ic,电子元器件-51电子网

HEF4066B

四单刀单掷模拟开关

启示录7 - 2011年11月16日

产品数据表

1.概述

该HEF4066B提供四个单刀单掷模拟开关的功能。每

开关具有两个输入/输出端（ NY和NZ）和一个高有效的使能输入（NE）。

当NE为低电平时，模拟开关被关断。

该HEF4066B的管脚与HEF4016B兼容，但表现出低得多的开

性。此外，导通电阻是相对恒定的，在整个输入信号

范围内。

2.特点和好处科幻TS

全静态操作

5 V ， 10 V和15 V额定参数

标准化对称的输出特性

输入和输出保护，防止静电的效果

从指定的

40 C

+85

C

和

40 C

+125

C

符合JEDEC标准JESD 13 -B

3.应用

模拟多路复用和多路分解

数字复用和去复用

信号门

4.订购信息

表1中。

订购信息

包

温度范围

HEF4066BP

HEF4066BT

40 C

+125

C

40 C

+125

C

名字

DIP14

SO14

描述

塑料双列直插式封装; 14引线（ 300万）

塑料小外形封装; 14线索;

体宽3.9毫米

VERSION

SOT27-1

SOT108-1

类型编号

恩智浦半导体

HEF4066B

四单刀单掷模拟开关

5.功能图

1Y

1E

2Y

2E

3Y

3E

4Y

4E

1

13

4

5

8

6

11

12

2

1Z

nY

3

2Z

nE

9

3Z

V

DD

V

DD

10

4Z

V

SS

001aag200

nZ

001aag201

图1 。

工作原理图

图2 。

逻辑图（一个开关）

6.管脚信息

6.1钢钉

1Y

1Z

2Z

2Y

2E

3E

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

001aag202

14 V

DD

13 1E

12 4E

HEF4066B

11 4Y

10 4Z

9

8

3Z

3Y

图3 。

引脚配置

6.2引脚说明

表2中。

符号

1Y, 2Y, 3Y, 4Y

1Z, 2Z, 3Z, 4Z

1E, 2E, 3E, 4E

V

SS

V

DD

引脚说明

针

1, 4, 8, 11

2, 3, 9, 10

13, 5, 6, 12

7

14

描述

独立的输入或输出

使能输入（高电平有效）

接地（ 0 V ）

电源电压

HEF4066B

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产品数据表

启示录7 - 2011年11月16日

2 16

恩智浦半导体

HEF4066B

四单刀单掷模拟开关

7.功能描述

表3中。

输入NE

H

L

[1]

功能表

[1]

开关

ON

关闭

H =高电压电平; L =低电压电平。

8.极限值

表4 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。电压参考V

SS

= 0V （接地）。

符号

V

DD

I

IK

V

I

I / O

T

英镑

T

AMB

P

合计

参数

电源电压

输入钳位电流

输入电压

输入/输出电流

储存温度

环境温度

总功耗

T

AMB

=

40 C

+85

C

DIP14

SO14

P

[1]

[2]

[3]

[1]

条件

V

I

＆ LT ;

0.5

V或V

I

＆ GT ; V

DD

+ 0.5 V

民

0.5

-

0.5

-

65

40

-

最大

+18

10

V

DD

+ 0.5

10

+150

+85

750

500

100

单位

V

mA

V

mA

C

mW

功耗

每个交换机

为了避免绘制V

DD

电流输出端子NZ，当开关电流流入端子NY，横跨双向的电压降的

开关不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端新西兰，没有V

DD

电流将流出端子NY，在此情况下，有

不存在限制开关两端的电压降，但在NY和NZ的电压可能不超过V

DD

或V

SS

.

对于DIP14封装：以上牛逼

AMB

= 70

C,

P

合计

减额直线为12毫瓦/ K 。

对于SO14封装：以上牛逼

AMB

= 70

C,

P

合计

减额线性8毫瓦/ K 。

[2]

[3]

9.推荐工作条件

表5 。

符号

V

DD

V

I

T

AMB

ΔT/ ΔV

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

环境温度

输入转换兴衰

率

在自由空气

V

DD

= 5 V

V

DD

= 10 V

V

DD

= 15 V

条件

民

3

0

40

-

典型值

-

最大

15

V

DD

+125

3.75

0.5

0.08

单位

V

C

微秒/ V

HEF4066B

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产品数据表

启示录7 - 2011年11月16日

3 16

恩智浦半导体

HEF4066B

四单刀单掷模拟开关

10.静态特性

表6 。

静态特性

V

SS

= 0 V; V

I

= V

SS

或V

DD

除非另有规定ED 。

符号参数

V

IH

高位

输入电压

条件

I

O

＆ LT ; 1

A

V

DD

5V

10 V

15 V

V

IL

低电平

输入电压

I

O

＆ LT ; 1

A

5V

10 V

15 V

I

S（ OFF）

输入漏

当前

关闭状态

泄漏

当前

每通道;

SEE

图4

15 V

T

AMB

=

40 C

T

AMB

= 25

C

民

3.5

7.0

11.0

-

最大

-

1.5

3.0

4.0

0.1

-

民

3.5

7.0

11.0

-

最大

-

1.5

3.0

4.0

0.1

200

T

AMB

= 85

C

T

AMB

= 125

C

单位

民

3.5

7.0

11.0

-

最大

-

1.5

3.0

4.0

1.0

-

民

3.5

7.0

11.0

-

最大

-

1.5

3.0

4.0

1.0

-

V

A

nA

I

DD

提供所有当前有效的输入

组合

5V

10 V

15 V

-

1.0

2.0

4.0

-

1.0

2.0

4.0

7.5

-

7.5

15.0

30.0

-

7.5

15.0

30.0

-

A

pF

C

I

输入

电容

NE INPUT

10.1测试电路

V

DD

nE

nZ

VI

V

IL

nY

V

SS

I

S

VO

001aak669

图4 。

用于测量断态泄漏电流测试电路

HEF4066B

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产品数据表

启示录7 - 2011年11月16日

4 16

恩智浦半导体

HEF4066B

四单刀单掷模拟开关

10.2导通电阻

表7中。

抗性

T

AMB

= 25

℃;我

SW

= 200

A; V

SS

= 0 V.

符号

R

开（峰）

参数

导通电阻（峰值）

条件

V

I

= 0 V到V

DD

;看

图5

和

图6

V

DD

5V

10 V

15 V

R

ON （铁路）

导通电阻（导轨）

V

I

= 0 V ;看

图5

和

图6

5V

10 V

15 V

V

I

= V

DD

;看

图5

和

图6

5V

10 V

15 V

R

ON

导通电阻不匹配

通道之间

V

I

= 0 V到V

DD

;看

图5

5V

10 V

15 V

典型值

350

80

60

115

50

40

120

65

50

25

10

5

最大

2500

245

175

340

160

115

365

200

155

-

单位

10.2.1导通电阻的波形和测试电路

001aak671

400

R

ON

(Ω)

300

(1)

V

SW

200

V

DD

nE

100

nY

VI

V

IH

nZ

V

SS

ISW

(2)

(3)

0

001aak670

5

10

V

I

(V)

15

R

ON

= V

SW

/ I

SW

.

I

SW

= 200

A.

(1) V

DD

= 5 V

(2) V

DD

= 10 V

(3) V

DD

= 15 V

图5 。

用于测度R测试电路

ON

图6 。

典型

ON

作为输入电压的函数

HEF4066B

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产品数据表

启示录7 - 2011年11月16日

5 16

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4066B

门

四双边开关

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四双边开关

描述

该HEF4066B有4个独立的双边模拟

开关（传送门）。每个交换机有两个

输入/输出端子（Y / Z）和一个高电平有效使能

输入（ E）。当E是连接到V

DD

低阻抗

Y和Z之间的双向路径建立（ ON

条件）。当E是连接到V

SS

该开关是

HEF4066B

门

禁用，Y和Z之间有一个高阻抗

成立（ OFF状态）。

该HEF4066B的管脚与HEF4016B兼容，但

表现出太多的导通电阻更低。另外在ON

电阻相对恒定，在整个输入信号

范围内。

图1的功能框图。

图2钢钉图。

钉扎

HEF4066BP （ N）： 14引脚DIL ;塑料（ SOT27-1 ）

HEF4066BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT73))

HEF4066BT （D）： 14引线SO ;塑料（ SOT108-1 ）

（）：封装标识北美

应用信息

应用为HEF4066B的一个例子是：

模拟和数字开关

E

0

到E

3

Y

0

为Y

3

Z

0

到Z

3

使能输入

输入/输出端

图3示意图（一个开关）。

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四双边开关

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

每个交换机的功耗

对于其他的评分家庭特定网络阳离子

DC特性

T

AMB

= 25

°C

V

DD

V

5

抗性

10

15

5

抗性

10

15

5

抗性

' Δ '导通电阻

任意两个之间

频道

关闭状态漏泄

目前，任何

信道关

E

n

输入电压

低

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

V

IL

I

OZ

R

ON

R

ON

R

ON

R

ON

符号

分钟。

2,25

4,50

6,75

典型值。马克斯。

350

80

60

115

50

40

120

65

50

25

10

5

2500

245

175

340

160

115

365

200

155

nA

1 V

2 V

E

n

在V

SS

P

马克斯。

HEF4066B

门

100

mW

条件

E

n

在V

DD

V

is

= V

SS

到V

DD

见图4

E

n

在V

DD

V

is

= V

SS

见图4

E

n

在V

DD

V

is

= V

DD

见图4

E

n

在V

DD

V

is

= V

SS

到V

DD

见图4

200 nA的

I

is

= 10

A

见图9

V

DD

V

符号

40

T

AMB

(°c)

+25

+85

马克斯。

7,5

A

15,0

A

30,0

A

1000 nA的

条件

最大。最大。

静态器件

当前

于网上输入漏电流

n

5

10

15

±

I

IN

I

DD

1,0

2,0

4,0

1,0

2,0

4,0

300

V

SS

= 0;所有有效

输入组合;

V

I

= V

SS

或V

DD

E

n

在V

SS

或V

DD

1995年1月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四双边开关

HEF4066B

门

图4测试设置为测度R

ON

.

E

n

在V

DD

I

is

= 200

A

V

SS

= 0 V

图5典型

ON

作为输入电压的函数。

记

为了避免绘制V

DD

电流输出端子Z ，当开关电流流入端子Y，横跨上的电压降的

双向开关必须不超过0.4伏。如果所述开关电流流入端子Z ，没有V

DD

电流将流出来的

端子Y，那么在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在Y和Z上的电压可能不会

超过V

DD

或V

SS

.

1995年1月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四双边开关

AC特性

(1)

,

(2)

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

V

is

→

V

os

前高后低

5

10

15

5

从低到高

输出禁用时间

E

n

→

V

os

高

5

10

15

5

低

输出使能时间

E

n

→

V

os

高

5

10

15

5

低

失真，正弦波

响应

之间的串扰

任意两个通道

串扰;启用

输入到输出

关闭状态

馈通

ON状态频率

响应

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

t

PZL

t

PZH

40

20

15

45

20

15

0,25

0,04

1

50

1

90

80

40

30

90

40

30

ns

%

兆赫

mV

兆赫

注9

注8

注7：

注6

注5

注4

10

15

t

PLZ

t

PHZ

80

65

60

80

70

160

130

120

160

140

ns

注4

10

15

t

PLH

t

PHL

10

5

10

5

20

10

20

10

ns

注3

符号

典型值。

马克斯。

HEF4066B

门

1995年1月

5

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4066B

门

四双边开关

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四双边开关

描述

该HEF4066B有4个独立的双边模拟

开关（传送门）。每个交换机有两个

输入/输出端子（Y / Z）和一个高电平有效使能

输入（ E）。当E是连接到V

DD

低阻抗

Y和Z之间的双向路径建立（ ON

条件）。当E是连接到V

SS

该开关是

HEF4066B

门

禁用，Y和Z之间有一个高阻抗

成立（ OFF状态）。

该HEF4066B的管脚与HEF4016B兼容，但

表现出太多的导通电阻更低。另外在ON

电阻相对恒定，在整个输入信号

范围内。

图1的功能框图。

图2钢钉图。

钉扎

HEF4066BP （ N）： 14引脚DIL ;塑料（ SOT27-1 ）

HEF4066BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT73))

HEF4066BT （D）： 14引线SO ;塑料（ SOT108-1 ）

（）：封装标识北美

应用信息

应用为HEF4066B的一个例子是：

模拟和数字开关

E

0

到E

3

Y

0

为Y

3

Z

0

到Z

3

使能输入

输入/输出端

图3示意图（一个开关）。

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四双边开关

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

每个交换机的功耗

对于其他的评分家庭特定网络阳离子

DC特性

T

AMB

= 25

°C

V

DD

V

5

抗性

10

15

5

抗性

10

15

5

抗性

' Δ '导通电阻

任意两个之间

频道

关闭状态漏泄

目前，任何

信道关

E

n

输入电压

低

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

V

IL

I

OZ

R

ON

R

ON

R

ON

R

ON

符号

分钟。

2,25

4,50

6,75

典型值。马克斯。

350

80

60

115

50

40

120

65

50

25

10

5

2500

245

175

340

160

115

365

200

155

nA

1 V

2 V

E

n

在V

SS

P

马克斯。

HEF4066B

门

100

mW

条件

E

n

在V

DD

V

is

= V

SS

到V

DD

见图4

E

n

在V

DD

V

is

= V

SS

见图4

E

n

在V

DD

V

is

= V

DD

见图4

E

n

在V

DD

V

is

= V

SS

到V

DD

见图4

200 nA的

I

is

= 10

A

见图9

V

DD

V

符号

40

T

AMB

(°c)

+25

+85

马克斯。

7,5

A

15,0

A

30,0

A

1000 nA的

条件

最大。最大。

静态器件

当前

于网上输入漏电流

n

5

10

15

±

I

IN

I

DD

1,0

2,0

4,0

1,0

2,0

4,0

300

V

SS

= 0;所有有效

输入组合;

V

I

= V

SS

或V

DD

E

n

在V

SS

或V

DD

1995年1月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四双边开关

HEF4066B

门

图4测试设置为测度R

ON

.

E

n

在V

DD

I

is

= 200

A

V

SS

= 0 V

图5典型

ON

作为输入电压的函数。

记

为了避免绘制V

DD

电流输出端子Z ，当开关电流流入端子Y，横跨上的电压降的

双向开关必须不超过0.4伏。如果所述开关电流流入端子Z ，没有V

DD

电流将流出来的

端子Y，那么在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在Y和Z上的电压可能不会

超过V

DD

或V

SS

.

1995年1月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四双边开关

AC特性

(1)

,

(2)

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

V

is

→

V

os

前高后低

5

10

15

5

从低到高

输出禁用时间

E

n

→

V

os

高

5

10

15

5

低

输出使能时间

E

n

→

V

os

高

5

10

15

5

低

失真，正弦波

响应

之间的串扰

任意两个通道

串扰;启用

输入到输出

关闭状态

馈通

ON状态频率

响应

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

5

10

15

t

PZL

t

PZH

40

20

15

45

20

15

0,25

0,04

1

50

1

90

80

40

30

90

40

30

ns

%

兆赫

mV

兆赫

注9

注8

注7：

注6

注5

注4

10

15

t

PLZ

t

PHZ

80

65

60

80

70

160

130

120

160

140

ns

注4

10

15

t

PLH

t

PHL

10

5

10

5

20

10

20

10

ns

注3

符号

典型值。

马克斯。

HEF4066B

门

1995年1月

5