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集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4053B
微星
三重2通道模拟
复用器/解复用器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三重2通道模拟
复用器/解复用器
描述
该HEF4053B是三2通道模拟
多路复用器/多路分离器具有一个共同的使能输入(E)。
每个多路复用器/多路分解器具有两个独立的
输入/输出(Y
0
和Y
1
) ,一个共同的输入/输出( Z)
并选择输入(S
n
) 。每间客房还包含两个双向
模拟开关,每个都有一端连接到一个
独立的输入/输出(Y
0
和Y
1
)和另一侧
连接到公共输入/输出( Z) 。
HEF4053B
微星
有了E低,选择了两个开关中的一个(低
阻抗ON状态),用S
n
。有了E高,所有的开关都
在高阻抗OFF状态,独立的S
A
向S
C
.
V
DD
和V
SS
是电源电压连接的
数字控制输入(S
A
向S
C
和E ) 。
在V
DD
到V
SS
范围为3至15 V的模拟
输入/输出(Y
0
, Y
1
和Z)能够V之间摆动
DD
作为
正限位和V
EE
作为负限。 V
DD
V
EE
不得
超过15 V.
操作作为一个数字多路复用器/多路分离器,V
EE
is
连接到V
SS
(通常接地)。
图1的功能框图。
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三重2通道模拟
复用器/解复用器
钉扎
Y
0A
为Y
0C
Y
1A
为Y
1C
S
A
向S
C
E
Z
A
到Z
C
功能表
图2钢钉图。
E
L
HEF4053BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4053BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
HEF4053BT (D): 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
笔记
L
H
输入
S
n
L
H
X
HEF4053B
微星
独立的输入/输出
独立的输入/输出
选择输入
使能输入(低电平有效)
通用输入/输出
通道
ON
Y
0n
Z
n
Y
1n
Z
n
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
图3示意图(一个开关) 。
评级
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
电源电压(参考到V
DD
)
1.为了避免绘制V
DD
电流输出端子Z ,当开关电流流入端子Y,两端的电压降的
双向开关必须不超过0.4伏。如果开关电流流入端子Z ,没有V
DD
电流将流出
端子的Y,那么在这种情况下,不存在限制开关两端的电压降,但在Y和Z上的电压可
不超过V
DD
或V
EE
.
1995年1月
3
V
EE
18
to
+
0,5 V
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三重2通道模拟
复用器/解复用器
HEF4053B
微星
图4的逻辑图。
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三重2通道模拟
复用器/解复用器
DC特性
T
AMB
= 25
°C
V
DD
V
EE
V
5
抗性
10
15
5
抗性
10
15
5
抗性
' Δ '导通电阻
任意两个之间
频道
关闭状态漏泄
目前,所有的
道关
关闭状态漏泄
目前,任何
通道
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
I
OZY
I
OZZ
R
ON
R
ON
R
ON
R
ON
符号
典型值。
350
80
60
115
50
40
120
65
50
25
10
5
马克斯。
2500
245
175
340
160
115
365
200
155
1000
200
nA
nA
nA
nA
nA
nA
在V
SS
在V
DD
HEF4053B
微星
条件
V
is
= 0至V
DD
V
EE
见图6
V
is
= 0
见图6
V
is
= V
DD
V
EE
见图6
V
is
= 0至V
DD
V
EE
见图6
图5操作区域作为供给电压的函数。
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4053B
微星
三重2通道模拟
复用器/解复用器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三重2通道模拟
复用器/解复用器
描述
该HEF4053B是三2通道模拟
多路复用器/多路分离器具有一个共同的使能输入(E)。
每个多路复用器/多路分解器具有两个独立的
输入/输出(Y
0
和Y
1
) ,一个共同的输入/输出( Z)
并选择输入(S
n
) 。每间客房还包含两个双向
模拟开关,每个都有一端连接到一个
独立的输入/输出(Y
0
和Y
1
)和另一侧
连接到公共输入/输出( Z) 。
HEF4053B
微星
有了E低,选择了两个开关中的一个(低
阻抗ON状态),用S
n
。有了E高,所有的开关都
在高阻抗OFF状态,独立的S
A
向S
C
.
V
DD
和V
SS
是电源电压连接的
数字控制输入(S
A
向S
C
和E ) 。
在V
DD
到V
SS
范围为3至15 V的模拟
输入/输出(Y
0
, Y
1
和Z)能够V之间摆动
DD
作为
正限位和V
EE
作为负限。 V
DD
V
EE
不得
超过15 V.
操作作为一个数字多路复用器/多路分离器,V
EE
is
连接到V
SS
(通常接地)。
图1的功能框图。
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三重2通道模拟
复用器/解复用器
钉扎
Y
0A
为Y
0C
Y
1A
为Y
1C
S
A
向S
C
E
Z
A
到Z
C
功能表
图2钢钉图。
E
L
HEF4053BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF4053BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
HEF4053BT (D): 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
笔记
L
H
输入
S
n
L
H
X
HEF4053B
微星
独立的输入/输出
独立的输入/输出
选择输入
使能输入(低电平有效)
通用输入/输出
通道
ON
Y
0n
Z
n
Y
1n
Z
n
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
图3示意图(一个开关) 。
评级
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
电源电压(参考到V
DD
)
1.为了避免绘制V
DD
电流输出端子Z ,当开关电流流入端子Y,两端的电压降的
双向开关必须不超过0.4伏。如果开关电流流入端子Z ,没有V
DD
电流将流出
端子的Y,那么在这种情况下,不存在限制开关两端的电压降,但在Y和Z上的电压可
不超过V
DD
或V
EE
.
1995年1月
3
V
EE
18
to
+
0,5 V
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三重2通道模拟
复用器/解复用器
HEF4053B
微星
图4的逻辑图。
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三重2通道模拟
复用器/解复用器
DC特性
T
AMB
= 25
°C
V
DD
V
EE
V
5
抗性
10
15
5
抗性
10
15
5
抗性
' Δ '导通电阻
任意两个之间
频道
关闭状态漏泄
目前,所有的
道关
关闭状态漏泄
目前,任何
通道
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
I
OZY
I
OZZ
R
ON
R
ON
R
ON
R
ON
符号
典型值。
350
80
60
115
50
40
120
65
50
25
10
5
马克斯。
2500
245
175
340
160
115
365
200
155
1000
200
nA
nA
nA
nA
nA
nA
在V
SS
在V
DD
HEF4053B
微星
条件
V
is
= 0至V
DD
V
EE
见图6
V
is
= 0
见图6
V
is
= V
DD
V
EE
见图6
V
is
= 0至V
DD
V
EE
见图6
图5操作区域作为供给电压的函数。
1995年1月
5
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
启10 - 2011年11月17日
产品数据表
1.概述
该HEF4053B是一个三重单刀双掷(SPDT)模拟开关,适合使用
作为模拟或数字信号多路复用器/多路分用器。每个交换机有一个数字输入选择
(Sn)的,两个独立的输入/输出( NY0和NY1 )和一个共同的输入/输出( NZ) 。所有
三个开关共用一个使能输入(E)。在E A HIGH导致所有交换机到
高阻关断状态,独立的Sn。
V
DD
和V
SS
是电源电压连接的数字控制输入(锡和E)。
在V
DD
到V
SS
范围为3 V至15 V的模拟输入/输出( NY0 , NY1和NZ )可以
V之间摇摆
DD
作为一个积极的极限和V
EE
作为负限。 V
DD
V
EE
不得
超过15五,未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。为
操作作为一个数字多路复用器/多路分离器,V
EE
连接到V
SS
(一般
接地)。 V
EE
和V
SS
是电源电压连接的开关。
2.特点和好处科幻TS
全静态操作
5 V , 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
从指定的
40 C
+125
C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
3.应用
模拟多路复用和多路分解
数字复用和去复用
信号门
4.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
C至+ 125
C.
类型编号
HEF4053BP
HEF4053BT
HEF4053BTT
名字
DIP16
SO16
TSSOP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线( 300万)
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;体宽4.4毫米
VERSION
SOT38-4
SOT109-1
SOT403-1
恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
5.功能图
E
6
V
DD
16
13 1Y1
S1 11
逻辑
水平
转变
解码器
12 1Y0
14 1Z
1 2Y1
S2 10
逻辑
水平
转变
2 2Y0
11
10
9
S1
S2
S3
1Y0
1Y1
1Z
2Y0
2Y1
2Z
3Y0
3Y1
12
15 2Z
13
14
3 3Y1
2
1
15
5
4 3Z
3
4
8
V
SS
7
V
EE
S3 9
逻辑
水平
转变
5 3Y0
6
E
3Z
001aae125
001aae124
图1 。
逻辑符号
图2 。
工作原理图
nZ
nY1
Sn
水平
变流器
nY0
E
水平
变流器
其他复用器/解复用器
001aae645
图3 。
逻辑框图( 1多路复用器/多路分解器)
HEF4053B
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产品数据表
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2 20
恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
NYN
V
DD
V
DD
来自译码器
并启用逻辑
V
EE
nZ
001aae644
图4 。
原理图( ONE SWITCH )
6.管脚信息
6.1钢钉
HEF4053B
2Y1
2Y0
3Y1
3Z
3Y0
E
V
EE
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
001aae643
16 V
DD
15 2Z
14 1Z
13 1Y1
12 1Y0
11 S1
10 S2
9
S3
1
2
3
4
5
6
7
8
001aaj899
HEF4053B
2Y1
2Y0
3Y1
3Z
3Y0
E
V
EE
V
SS
16 V
DD
15 2Z
14 1Z
13 1Y1
12 1Y0
11 S1
10 S2
9
S3
图5 。
为SOT38-4 ( DIP16 )和引脚配置
SOT109-1 ( SO16 )
图6 。
引脚CON组fi guration为SOT403-1 ( TSSOP16 )
6.2引脚说明
表2中。
符号
E
V
EE
V
SS
S1, S2, S3
1Y0, 2Y0, 3Y0
1Y1, 2Y1, 3Y1
1Z, 2Z, 3Z
V
DD
引脚说明
6
7
8
11, 10, 9
12, 2, 5
13, 1, 3
14, 15, 4
16
描述
使能输入(低电平有效)
电源电压
地面电源电压
选择输入
独立的输入或输出
独立的输入或输出
独立的输出或输入
电源电压
HEF4053B
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产品数据表
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3 20
恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
7.功能描述
表3中。
输入
E
L
L
H
[1]
功能表
[1]
通道上
Sn
L
H
X
NY0到新西兰
NY1到新西兰
关闭
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考V
SS
= 0V (接地) 。
符号
V
DD
V
EE
I
IK
V
I
I
I / O
I
DD
T
英镑
T
AMB
P
合计
参数
电源电压
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输入/输出电流
电源电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
=
40 C
+125
C
DIP16封装
SO16封装
TSSOP16封装
P
[1]
[2]
条件
参考V
DD
销锡和E ;
V
I
& LT ;
0.5
V或V
I
& GT ; V
DD
+ 0.5 V
[1]
0.5
18
-
0.5
-
-
65
40
-
-
-
-
最大
+18
+0.5
10
V
DD
+ 0.5
10
50
+150
+125
750
500
500
100
单位
V
V
mA
V
mA
mA
C
C
mW
mW
mW
mW
功耗
每路输出
为了避免绘制V
DD
电流输出端子Z ,当开关电流流入端子Y,横跨双向的电压降的
开关不得超过0.4 V.如果开关电流FL OWS到终端Z,没有V
DD
电流将流出的端子Y,和在此情况下,有
不存在限制开关两端的电压降,但在Y和Z上的电压可能不会超过V
DD
或V
EE
.
对于DIP16封装:P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
C.
对于SO16封装:P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
C.
对于TSSOP16封装:P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
C.
[2]
9.推荐工作条件
表5 。
符号
V
DD
V
I
T
AMB
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
环境温度
在自由空气
条件
SEE
图7
3
0
40
典型值
-
-
-
最大
15
V
DD
+125
单位
V
V
C
HEF4053B
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产品数据表
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恩智浦半导体
HEF4053B
三重单刀双掷模拟开关
表5 。
符号
ΔT/ ΔV
推荐工作条件
- 续
参数
输入转换兴衰
条件
V
DD
= 5 V
V
DD
= 10 V
V
DD
= 15 V
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
3.75
0.5
0.08
单位
微秒/ V
微秒/ V
微秒/ V
15
V
DD
V
SS
(V)
10
001aae646
工作区
5
0
0
5
10
V
DD
V
EE
(V)
15
图7 。
操作区域为电源电压的函数
10.静态特性
表6 。
静态特性
V
SS
= V
EE
= 0 V; V
I
= V
SS
或V
DD
除非另有规定ED 。
符号参数
V
IH
高位
输入电压
条件
I
O
& LT ; 1
A
V
DD
5V
10 V
15 V
V
IL
低电平
输入电压
I
O
& LT ; 1
A
5V
10 V
15 V
I
I
I
S( OFF)
输入漏
当前
关闭状态
泄漏
当前
15 V
端口;
15 V
所有通道关闭;
SEE
图8
口Y ;
每通道;
SEE
图9
15 V
T
AMB
=
40 C
T
AMB
= 25
C
3.5
7.0
11.0
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
1.5
3.0
4.0
0.1
-
3.5
7.0
11.0
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
1.5
3.0
4.0
0.1
1000
T
AMB
= 85
C
T
AMB
= 125
C
单位
3.5
7.0
11.0
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
1.5
3.0
4.0
1.0
-
3.5
7.0
11.0
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
1.5
3.0
4.0
1.0
-
V
V
V
V
V
V
A
nA
-
-
-
200
-
-
-
-
nA
HEF4053B
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HEF4053B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
HEF4053B
TI/德州仪器
2443+
23000
SOP
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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