HEF4044B
四R / S与三态输出锁存器
牧师06 - 2008年11月11日
产品数据表
1.概述
该HEF4044B是一款四R / S具有三态输出锁存器，与常见的输出使能
输入端（ OE） 。每个锁存器有一个活跃的低设定输入（ 1S到4S ） ，一个低电平有效复位输入
（ 1R ，以4R）和高有效三态输出（ 1Q为4Q） 。
当OE为高电平时，锁存器输出（ NQ ）由NR和纳秒输入确定的，如图
in
表3中。
当OE为低电平时，锁存器输出端处于高阻抗OFF状态。 OE
不影响锁存器的状态。高阻关断状态功能可以让普通
布辛的输出。
它工作在推荐的V
DD
3 V至15 V的电源电压范围参考V
SS
（通常接地） 。未使用的输入必须连接到V
DD
, V
SS
或另一个输入。这是
也适合使用在工业级（-40
°C
+85
°C)
温度范围。
2.特点
I
I
I
I
I
I
全静态操作
5 V ， 10 V和15 V额定参数
标准化对称的输出特性
在整个工业温度范围内工作
40 °C
+85
°C
符合JEDEC标准JESD 13 -B
ESD保护：
N
HBM JESD22- A114E超过2000伏
N
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
3.应用
I
四比特的存储与输出使能
4.订购信息
表1中。
订购信息
所有类型的操作
40
°
C至+ 85
°
C.
类型编号
HEF4044BP
HEF4044BT
包
名字
DIP16
SO16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
VERSION
SOT38-4
SOT109-1
恩智浦半导体
HEF4044B
四R / S与三态输出锁存器
6.2引脚说明
表2中。
符号
北卡罗来纳州
1S到4S
1R到4R
OE
V
SS
1Q至4Q
V
DD
引脚说明
针
2
3, 7, 11, 15
4, 6, 12, 14
5
8
13, 9, 10, 1
16
描述
没有连接
组输入（低电平有效）
复位输入（低电平有效）
常见的输出使能输入
地面电源电压
三态缓冲锁存输出
电源电压
7.功能描述
表3中。
输入
OE
L
H
H
H
[1]
功能表
[1]
产量
nS
X
L
X
H
nR
X
H
L
H
nQ
Z
H
L
LATCHED
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关; Z =高阻抗状态。
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DD
V
I
I
IK
I
OK
I
I / O
T
英镑
T
AMB
P
合计
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输入/输出电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
40 °C
+85
°C
DIP16封装
SO16封装
每路输出
[1]
[2]
对于DIP16封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
对于SO16封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
[1]
[2]
条件
民
0.5
0.5
最大
+18
±10
±10
±10
+150
+85
750
500
100
单位
V
mA
mA
mA
°C
°C
mW
mW
mW
V
DD
+ 0.5 V
V
I
< 0.5 V或V
I
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
V
O
< 0.5 V或V
O
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
-
-
-
65
40
-
-
-
HEF4044B_6
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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3 13
恩智浦半导体
HEF4044B
四R / S与三态输出锁存器
表6 。
静态特性
- 续
V
SS
= 0 V; V
I
= V
SS
或V
DD
除非另有规定ED 。
符号参数
I
DD
电源电流
条件
I
O
= 0 A
V
DD
5V
10 V
15 V
C
I
输入电容
T
AMB
=
40 °C
民
-
-
-
-
最大
20
40
80
-
T
AMB
= 25
°C
民
-
-
-
-
最大
20
40
80
7.5
T
AMB
= 85
°C
单位
民
-
-
-
-
最大
150
300
600
-
A
A
A
pF
11.动态特性
表7中。
动态特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°
℃;测试电路见
图6 ;
除非另有规定ED 。
符号
t
PHL
参数
前高后低
传播延迟
条件
NR到NQ ;看
图4
V
DD
5V
10 V
15 V
t
PLH
从低到高
传播延迟
nS至NQ ;
SEE
图4
5V
10 V
15 V
t
t
转换时间
SEE
图4
5V
10 V
15 V
t
PHZ
HIGH到OFF状态
传播延迟
OE
→
NQ ;
SEE
图5
5V
10 V
15 V
t
PLZ
低到OFF状态
传播延迟
OE
→
NQ ;
SEE
图5
5V
10 V
15 V
t
PZH
OFF状态，以高
传播延迟
OE
→
NQ ;
SEE
图5
5V
10 V
15 V
t
PZL
OFF状态，以LOW
传播延迟
OE
→
NQ ;
SEE
图5
5V
10 V
15 V
t
W
脉冲宽度
ns输入低电平;
最小宽度;
SEE
图4
NR输入低电平;
最小宽度;
SEE
图4
[1]
[1]
[1]
[1]
外推公式
63 NS + （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
29 NS + （ 0.23纳秒/ PF ）C
L
22 NS + （ 0.16纳秒/ PF ）C
L
63 NS + （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
29 NS + （ 0.23纳秒/ PF ）C
L
22 NS + （ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒+ （ 1.00纳秒/ PF ）C
L
9 NS + （ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6 NS + （ 0.28纳秒/ PF ）C
L
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
20
16
30
20
16
典型值
90
40
30
90
40
30
60
30
20
50
30
25
30
25
20
50
25
20
50
25
20
15
10
8
15
10
8
最大
185
80
60
180
80
60
120
60
40
100
60
50
60
45
40
100
50
40
95
45
35
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5V
10 V
15 V
5V
10 V
15 V
的传播延迟和转换时间的典型值是从所示的外推法公式计算（三
L
单位为pF ） 。
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NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
HEF4044B
微星
该HEF4044B是一个四R / S具有三态锁存器
具有共同的输出的输出使能输入端（EO） 。每
锁存器有一个活跃的低设定输入（S
0
向S
3
），活性
低电平复位输入端（R
0
与R
3
）和一个高电平有效的三态
输出（O
0
与O
3
).
当EO为高电平时，锁存器输出的状态（O
n
）可
从功能表中确定。当EO是
低时，锁存器的输出是在高阻抗
OFF状态。 EO不影响锁存器的状态。
图2钢钉图。
高阻关断状态功能可以让普通
校车的输出。
HEF4044BP （ N） ： 16引脚DIL ;塑料（ SOT38-1 ）
HEF4044BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（陶瓷浸渍） （ SOT74 ）
HEF4044BT （D）： 16引线SO ;塑料（ SOT109-1 ）
（ ） ：封装标识北美
钉扎
EO
S
0
向S
3
R
0
与R
3
O
0
与O
3
常见的输出使能输入
设置输入（低电平有效）
复位输入端（低电平有效）
三态缓冲锁存器输出
功能表
输入
EO
L
H
H
H
笔记
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压）
X =非物质状态
Z =高阻关断状态
图1的功能框图。
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
S
n
X
L
X
H
R
n
X
H
L
H
产量
O
n
Z
H
L
LATCHED
1995年1月
2
QQ：2880707522 复制
