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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4044B
微星
四R / S与三态锁存器
输出
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
HEF4044B
微星
该HEF4044B是一个四R / S具有三态锁存器
具有共同的输出的输出使能输入端(EO) 。每
锁存器有一个活跃的低设定输入(S
0
向S
3
),活性
低电平复位输入端(R
0
与R
3
)和一个高电平有效的三态
输出(O
0
与O
3
).
当EO为高电平时,锁存器输出的状态(O
n
)可
从功能表中确定。当EO是
低时,锁存器的输出是在高阻抗
OFF状态。 EO不影响锁存器的状态。
图2钢钉图。
高阻关断状态功能可以让普通
校车的输出。
HEF4044BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料( SOT38-1 )
HEF4044BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷(陶瓷浸渍) ( SOT74 )
HEF4044BT (D): 16引线SO ;塑料( SOT109-1 )
( ) :封装标识北美
钉扎
EO
S
0
向S
3
R
0
与R
3
O
0
与O
3
常见的输出使能输入
设置输入(低电平有效)
复位输入端(低电平有效)
三态缓冲锁存器输出
功能表
输入
EO
L
H
H
H
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =非物质状态
Z =高阻关断状态
图1的功能框图。
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
S
n
X
L
X
H
R
n
X
H
L
H
产量
O
n
Z
H
L
LATCHED
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
HEF4044B
微星
图4逻辑图( 1锁存器) 。
图3的逻辑图。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
R
n
O
n
前高后低
S
n
O
n
从低到高
输出转换
前高后低
从低到高
三态传输延迟
输出禁用时间
EO
O
n
5
10
15
5
输出使能时间
EO
O
n
5
10
15
5
最小的S
n
脉冲宽度;低
最低
n
脉冲宽度;低
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WRL
t
WSL
30
20
16
30
20
16
t
PZL
t
PZH
50
25
20
50
25
20
15
10
8
15
10
8
100纳秒
50纳秒
40纳秒
95纳秒
45纳秒
35纳秒
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLZ
t
PHZ
50
30
25
30
25
20
100纳秒
60纳秒
50纳秒
60纳秒
45纳秒
40纳秒
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
90
40
30
90
40
30
60
30
20
60
30
20
185纳秒
80纳秒
60纳秒
180纳秒
80纳秒
60纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
符号最小值。典型值。马克斯。
HEF4044B
微星
典型的外推
公式
63纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
63纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
又见波形
Fig.5
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四R / S与三态输出锁存器
HEF4044B
微星
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1300 f
i
+ ∑
(f
o
CL )
×
V
DD 2
5200 f
i
+ ∑
(f
o
CL )
×
V
DD 2
12 900 f
i
+ ∑
(f
o
CL )
×
V
DD 2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=总负载电容( pF)的
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
图5波形显示的最低S
n
和R
n
脉冲宽度。
应用信息
应用为HEF4044B的一个例子是:
四比特的存储与输出使能
1995年1月
5
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