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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4042B
微星
四D锁存
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D锁存
描述
该HEF4042B是具有四个数据输入4位锁存器（D
0
to
D
3
） ，四缓冲锁存器输出（O
0
与O
3
） ，四缓冲
互补锁存器输出（O
0
与O
3
）和两个公共
使能输入（E
0
与ê
1
） 。 D上的信息
0
到D
3
is
转移到
0
与O
3
同时兼具ê
0
与ê
1
当前正在使用
同样的状态，无论是高还是低。
0
与O
3
遵循
0
to
D
3
只要双方é
0
与ê
1
保持在相同的状态。
当E
0
与ê
1
是不同的，D-
0
到D
3
不影响
0
to
O
3
而在锁存器中的信息被存储。
O
0
与O
3
总是澳补
0
与O
3
。该
异或输入结构允许的选择，要么
极性对于E
0
与ê
1
。有一个使能输入高电平时，
其他的使能输入为高电平有效;有一个使能输入
LOW ，其它的使能输入为低电平有效。
HEF4042B
微星
图2钢钉图。
HEF4042BP （ N） ：
HEF4042BD （F ） ：
HEF4042BT （D）：
16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
16引脚SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
钉扎
D
0
到D
3
E
0
与ê
1
O
0
与O
3
O
0
与O
3
数据输入
使能输入
并行锁存器输出
互补并行锁存器输出
应用信息
为HEF4042B应用的一些实例是：
缓冲存储器
保持寄存器
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
图1的功能框图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D锁存
功能表
E
0
L
L
H
H
记
E
1
L
H
L
H
HEF4042B
微星
输出
n
D
n
LATCHED
LATCHED
D
n
1. H =高电平状态（更多的正电压）
L =低电平状态（不积极的电压） 。
图3的逻辑图。
图4逻辑图（ 1锁存器） 。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D锁存
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
D
→
O, O
前高后低
5
10
15
5
从低到高
E
→
O, O
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换
时
前高后低
5
10
15
5
从低到高
建立时间
D
→
E
保持时间
D
→
E
最小启用
脉冲宽度
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WE
t
HOLD
t
su
30
20
20
15
15
15
90
40
30
t
TLH
t
THL
60
30
20
60
30
20
10
5
5
5
0
0
45
20
15
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
95
40
30
85
40
30
130
50
35
120
50
35
190
80
55
175
75
60
260
105
75
245
105
75
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
分钟。典型值。马克斯。
HEF4042B
微星
典型的外推
公式
67纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
28纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
57纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
28纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
102纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
27纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
92纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
38纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
27纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
又见波形
图5和图6
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ W）
3800 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
15 700 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
41 100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D锁存
HEF4042B
微星
无论是ê
0
或E
1
保持高电平或低电平，而另一个使能输入是脉冲作为
功能表显示。
图5显示波形的传播延迟为D钮O，具有锁存使能。
1995年1月
5
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