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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4041B
缓冲器
四人间真/补码缓冲器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四人间真/补码缓冲器
描述
该HEF4041B是一个四真/补码缓冲器
它提供了一个倒置的低电平有效输出
（ O）和非反相高电平输出（ O）为每
输入（I） 。
缓冲器显示出合适的高电流输出能力
用于驱动TTL或高电容负载。
HEF4041B
缓冲器
图2钢钉图。
HEF4041BP （ N） ：
HEF4041BD （F ） ：
HEF4041BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1缓冲液）。
应用信息
为HEF4041B应用的一些实例是：
LOCMOS到DTL / TTL转换器
高电流漏极和源极驱动器
图1的功能框图。
系列数据，我
DD
极限类缓冲区
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四人间真/补码缓冲器
DC特性
V
SS
= 0 V; V
I
= V
SS
或V
DD
T
AMB
(°C)
V
DD
V
输出（源）电流
高
高
输出（漏）电流
低
5
10
15
5
4,75
10
15
V
OH
V
4,6
9,5
13,5
2,5
0,4
0,5
1,5
I
OL
I
OH
I
OH
V
OL
V
符号
40
+25
HEF4041B
缓冲器
+85
分钟。
1,0
2,7
10,0
3,0
1,35
4,5
15,0
马克斯。
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。典型值。
1,6
4,5
16,0
5,0
2,0
7,5
23,0
1,3
3,6
14,0
4,0
1,7
6,0
20,0
2,6
7,0
30,0
8,0
4,0
12,0
35,0
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
I
n
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
O
n
→
O
n
前高后低
从低到高
10
15
5
10
15
5
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
30
20
15
30
15
10
35
20
15
35
20
15
25
12
8
25
12
8
65
40
30
55
30
20
75
40
30
75
40
30
50
25
20
45
25
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
17纳秒
+
（ 0,27 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,11 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0,08 NS / PF ）C
L
17纳秒
+
（ 0,27 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0,11 NS / PF ）C
L
7纳秒
+
（ 0,08 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0,27 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,11 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0,08 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0,27 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,11 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0,08 NS / PF ）C
L
5纳秒
+
（ 0.40纳秒/ PF ）C
L
2纳秒
+
（ 0,21 NS / PF ）C
L
1纳秒
+
（ 0,14 NS / PF ）C
L
5纳秒
+
（ 0.40纳秒/ PF ）C
L
2纳秒
+
（ 0,21 NS / PF ）C
L
1纳秒
+
（ 0,14 NS / PF ）C
L
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
典型的外推
公式
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四人间真/补码缓冲器
HEF4041B
缓冲器
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
3100 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
12 700 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
33 800 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
4
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