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集成电路

数据表

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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4030B

门

四倍异或门

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四倍异或门

描述

该HEF4030B提供了积极的四倍

异或函数。输出是完全缓冲的

高抗噪性和输出的模式不敏感

阻抗。

HEF4030B

门

图2钢钉图。

HEF4030BP （ N）：

HEF4030BD （F ）：

HEF4030BT （D）：

14引脚DIL ;塑料

(SOT27-1)

14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT73)

14引脚SO ;塑料

(SOT108-1)

（）：封装标识北美

图1的功能框图。

图2的逻辑图（ 1栅极）。

真值表

I

1

L

H

L

H

笔记

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）

I

2

L

L

H

H

O

1

L

H

H

L

系列数据，我

DD

极限类GATES

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四倍异或门

HEF4030B

门

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

C

L

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

I

n

→

O

n

前高后低

5

10

15

5

从低到高

输出转换时间

前高后低

10

15

5

10

15

5

从低到高

10

15

t

TLH

t

THL

t

PLH

t

PHL

85

35

30

75

30

25

60

30

20

60

30

20

175

75

55

150

65

50

120

60

40

120

60

40

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

57纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

24纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

22纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

47纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

19纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

17纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

10纳秒

+

（ 1,0 NS / PF ）C

L

9 NS

+

（ 0.42纳秒/ PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0.28纳秒/ PF ）C

L

10纳秒

+

（ 1,0 NS / PF ）C

L

9 NS

+

（ 0.42纳秒/ PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0.28纳秒/ PF ）C

L

符号

典型值。

马克斯。

典型的外推

公式

V

DD

V

动态功耗

每消耗

包（P）的

5

10

15

典型公式P（ μW ）

1 100 f

i

+ ∑(f

o

CL ）

×

V

DD2

4 900 f

i

+ ∑(f

o

CL ）

×

V

DD2

14 400 f

i

+ ∑(f

o

CL ）

×

V

DD2

哪里

f

i

=输入频率。（兆赫）

f

o

=输出频率。（兆赫）

C

L

=负载电容（PF ）

∑(f

o

C

L

） =产出的总和

V

DD

- 电源电压（ V）

1995年1月

3

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集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4030B

门

四倍异或门

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四倍异或门

描述

该HEF4030B提供了积极的四倍

异或函数。输出是完全缓冲的

高抗噪性和输出的模式不敏感

阻抗。

HEF4030B

门

图2钢钉图。

HEF4030BP （ N）：

HEF4030BD （F ）：

HEF4030BT （D）：

14引脚DIL ;塑料

(SOT27-1)

14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT73)

14引脚SO ;塑料

(SOT108-1)

（）：封装标识北美

图1的功能框图。

图2的逻辑图（ 1栅极）。

真值表

I

1

L

H

L

H

笔记

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）

I

2

L

L

H

H

O

1

L

H

H

L

系列数据，我

DD

极限类GATES

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四倍异或门

HEF4030B

门

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

C

L

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

I

n

→

O

n

前高后低

5

10

15

5

从低到高

输出转换时间

前高后低

10

15

5

10

15

5

从低到高

10

15

t

TLH

t

THL

t

PLH

t

PHL

85

35

30

75

30

25

60

30

20

60

30

20

175

75

55

150

65

50

120

60

40

120

60

40

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

57纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

24纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

22纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

47纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

19纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

17纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

10纳秒

+

（ 1,0 NS / PF ）C

L

9 NS

+

（ 0.42纳秒/ PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0.28纳秒/ PF ）C

L

10纳秒

+

（ 1,0 NS / PF ）C

L

9 NS

+

（ 0.42纳秒/ PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0.28纳秒/ PF ）C

L

符号

典型值。

马克斯。

典型的外推

公式

V

DD

V

动态功耗

每消耗

包（P）的

5

10

15

典型公式P（ μW ）

1 100 f

i

+ ∑(f

o

CL ）

×

V

DD2

4 900 f

i

+ ∑(f

o

CL ）

×

V

DD2

14 400 f

i

+ ∑(f

o

CL ）

×

V

DD2

哪里

f

i

=输入频率。（兆赫）

f

o

=输出频率。（兆赫）

C

L

=负载电容（PF ）

∑(f

o

C

L

） =产出的总和

V

DD

- 电源电压（ V）

1995年1月

3

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