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集成电路

数据表

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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4023B

门

三路3输入与非门

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三路3输入与非门

描述

该HEF4023B提供正三重3输入与非

功能。输出是完全缓冲的最高噪音

输出阻抗的免疫力和模式不敏感。

HEF4023B

门

图2钢钉图。

图1的功能框图。

HEF4023BP （ N）：

HEF4023BD （F ）：

HEF4023BT （D）：

14引脚DIL ;塑料

(SOT27-1)

14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT73)

14引脚SO ;塑料

(SOT108-1)

（）：封装标识北美

图3的逻辑图（ 1栅极）。

系列数据，我

DD

极限类GATES

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三路3输入与非门

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

C

L

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

I

n

→

O

n

前高后低

5

10

15

5

从低到高

输出转换时间

前高后低

10

15

5

10

15

5

从低到高

10

15

t

TLH

t

THL

t

PLH

t

PHL

65

25

15

65

30

25

60

30

20

60

30

20

135

50

30

130

60

45

120

60

40

120

60

40

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

符号

典型值。

马克斯。

HEF4023B

门

典型的外推

公式

38纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

14纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

7纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

38纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

19纳秒

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

17纳秒

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

10纳秒

+

（ 1,0 NS / PF ）C

L

9 NS

+

（ 0.42纳秒/ PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0.28纳秒/ PF ）C

L

10纳秒

+

（ 1,0 NS / PF ）C

L

9 NS

+

（ 0.42纳秒/ PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0.28纳秒/ PF ）C

L

V

DD

V

动态功耗

每消耗

包（P）的

5

10

15

典型公式P（ μW ）

1200 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

5500 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

16 400 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

哪里

f

i

=输入频率。（兆赫）

f

o

=输出频率。（兆赫）

C

L

=负载电容（PF ）

∑

(f

o

C

L

） =产出的总和

V

DD

- 电源电压（ V）

1995年1月

3

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