飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
描述
该HEF40175B是一个四边沿触发的D型
触发器具有四个数据输入端(D
0
到D
3
) ,一个时钟输入端( CP)
压倒一切的异步主复位输入( MR) ,四
缓冲输出(O
0
与O
3
) ,以及四个互补
HEF40175B
微星
缓冲输出(O
0
与O
3
) 。 D上的信息
0
到D
3
is
转移到
0
与O
3
在低到高的转变
CP如果MR高。当低,MR重置所有触发器
(O
0
与O
3
= LOW ,哦
0
与O
3
=高) ,独立的CP的
和D
0
到D
3
.
图1的功能框图。
钉扎
D
0
到D
3
CP
MR
O
0
与O
3
O
0
与O
3
图2钢钉图。
数据输入
时钟输入(从低到高;边沿触发)
主复位输入(低电平有效)
缓冲输出
互补的缓冲输出
功能表
输入
CP
D
H
L
X
X
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
=正向跳变
=负向过渡
X
MR
H
H
H
L
O
H
L
没有变化
L
输出
O
L
H
没有变化
H
HEF40175BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF40175BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
HEF40175BT (D): 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
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1995年1月
3
图3的逻辑图。
飞利浦半导体
四D- FL型IP- FL运
HEF40175B
微星
产品speci fi cation
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
2000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
8400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
22 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
HEF40175B
微星
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
∑
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
Fig.4
波形显示的最小脉冲宽度为CP和MR , MR到CP的恢复时间,建立时间和
保持时间
n
到CP 。建立和保持时间表示为正值,但也可以指定为
负值。
应用信息
为HEF40175B应用的一些实例是:
移位寄存器
缓冲/存储寄存器
图形发生器
1995年1月
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
描述
该HEF40175B是一个四边沿触发的D型
触发器具有四个数据输入端(D
0
到D
3
) ,一个时钟输入端( CP)
压倒一切的异步主复位输入( MR) ,四
缓冲输出(O
0
与O
3
) ,以及四个互补
HEF40175B
微星
缓冲输出(O
0
与O
3
) 。 D上的信息
0
到D
3
is
转移到
0
与O
3
在低到高的转变
CP如果MR高。当低,MR重置所有触发器
(O
0
与O
3
= LOW ,哦
0
与O
3
=高) ,独立的CP的
和D
0
到D
3
.
图1的功能框图。
钉扎
D
0
到D
3
CP
MR
O
0
与O
3
O
0
与O
3
图2钢钉图。
数据输入
时钟输入(从低到高;边沿触发)
主复位输入(低电平有效)
缓冲输出
互补的缓冲输出
功能表
输入
CP
D
H
L
X
X
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
=正向跳变
=负向过渡
X
MR
H
H
H
L
O
H
L
没有变化
L
输出
O
L
H
没有变化
H
HEF40175BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF40175BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
HEF40175BT (D): 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
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3
图3的逻辑图。
飞利浦半导体
四D- FL型IP- FL运
HEF40175B
微星
产品speci fi cation
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
2000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
8400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
22 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
HEF40175B
微星
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
∑
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
Fig.4
波形显示的最小脉冲宽度为CP和MR , MR到CP的恢复时间,建立时间和
保持时间
n
到CP 。建立和保持时间表示为正值,但也可以指定为
负值。
应用信息
为HEF40175B应用的一些实例是:
移位寄存器
缓冲/存储寄存器
图形发生器
1995年1月
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