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集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF40175B
微星
四倍D型触发器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
描述
该HEF40175B是一个四边沿触发的D型
触发器具有四个数据输入端(D
0
到D
3
) ,一个时钟输入端( CP)
压倒一切的异步主复位输入( MR) ,四
缓冲输出(O
0
与O
3
) ,以及四个互补
HEF40175B
微星
缓冲输出(O
0
与O
3
) 。 D上的信息
0
到D
3
is
转移到
0
与O
3
在低到高的转变
CP如果MR高。当低,MR重置所有触发器
(O
0
与O
3
= LOW ,哦
0
与O
3
=高) ,独立的CP的
和D
0
到D
3
.
图1的功能框图。
钉扎
D
0
到D
3
CP
MR
O
0
与O
3
O
0
与O
3
图2钢钉图。
数据输入
时钟输入(从低到高;边沿触发)
主复位输入(低电平有效)
缓冲输出
互补的缓冲输出
功能表
输入
CP
D
H
L
X
X
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
=正向跳变
=负向过渡
X
MR
H
H
H
L
O
H
L
没有变化
L
输出
O
L
H
没有变化
H
HEF40175BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF40175BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
HEF40175BT (D): 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
白迫使横向页面被正确通过Acrobat Reader的PDF格式浏览时旋转。白迫使横向页面被...
1995年1月
3
图3的逻辑图。
飞利浦半导体
四D- FL型IP- FL运
HEF40175B
微星
产品speci fi cation
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
CP
O
n
, O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
MR
O
n
前高后低
MR
O
n
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
建立时间
D
n
CP
保持时间
D
n
CP
最小时钟
脉冲宽度;低
最低MR脉冲
宽度;低
恢复时间
对于MR
最大时钟
脉冲频率
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
f
最大
t
RMR
t
WMRL
t
WCPL
t
HOLD
t
su
60
20
15
25
10
10
90
35
25
80
30
20
0
0
0
5
15
20
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
80
35
25
70
30
25
75
30
25
70
30
25
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30
20
60
30
20
30
10
5
5
0
0
45
15
10
40
15
10
30
20
15
11
30
45
160纳秒
70纳秒
50纳秒
140纳秒
65纳秒
45纳秒
155纳秒
65纳秒
50纳秒
140纳秒
65纳秒
50纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
符号
分钟。
典型值。马克斯。
HEF40175B
微星
典型的外推
公式
53纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
24纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
17纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
43纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
19纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
17纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
48纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
19纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
17纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
43纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
19纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
17纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
又见波形图4
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
2000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
8400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
22 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
HEF40175B
微星
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
Fig.4
波形显示的最小脉冲宽度为CP和MR , MR到CP的恢复时间,建立时间和
保持时间
n
到CP 。建立和保持时间表示为正值,但也可以指定为
负值。
应用信息
为HEF40175B应用的一些实例是:
移位寄存器
缓冲/存储寄存器
图形发生器
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF40175B
微星
四倍D型触发器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
描述
该HEF40175B是一个四边沿触发的D型
触发器具有四个数据输入端(D
0
到D
3
) ,一个时钟输入端( CP)
压倒一切的异步主复位输入( MR) ,四
缓冲输出(O
0
与O
3
) ,以及四个互补
HEF40175B
微星
缓冲输出(O
0
与O
3
) 。 D上的信息
0
到D
3
is
转移到
0
与O
3
在低到高的转变
CP如果MR高。当低,MR重置所有触发器
(O
0
与O
3
= LOW ,哦
0
与O
3
=高) ,独立的CP的
和D
0
到D
3
.
图1的功能框图。
钉扎
D
0
到D
3
CP
MR
O
0
与O
3
O
0
与O
3
图2钢钉图。
数据输入
时钟输入(从低到高;边沿触发)
主复位输入(低电平有效)
缓冲输出
互补的缓冲输出
功能表
输入
CP
D
H
L
X
X
笔记
1. H =高电平状态(更多的正电压)
L =低电平状态(不积极的电压)
X =状态是无关紧要
=正向跳变
=负向过渡
X
MR
H
H
H
L
O
H
L
没有变化
L
输出
O
L
H
没有变化
H
HEF40175BP ( N) : 16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
HEF40175BD ( F):在16引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT74)
HEF40175BT (D): 16引线SO ;塑料
(SOT109-1)
( ) :封装标识北美
系列数据,我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
本文在这里白迫使横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文本的PDF浏览时旋转是在这里
_white
强制横向页面,通过正确的Acrobat中reader.This文字的PDF浏览时旋转是在这里工作本的文字是在这里
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1995年1月
3
图3的逻辑图。
飞利浦半导体
四D- FL型IP- FL运
HEF40175B
微星
产品speci fi cation
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
CP
O
n
, O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
MR
O
n
前高后低
MR
O
n
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
建立时间
D
n
CP
保持时间
D
n
CP
最小时钟
脉冲宽度;低
最低MR脉冲
宽度;低
恢复时间
对于MR
最大时钟
脉冲频率
10
15
5
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最大
t
RMR
t
WMRL
t
WCPL
t
HOLD
t
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60
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TLH
t
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t
PLH
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PHL
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PLH
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80
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160纳秒
70纳秒
50纳秒
140纳秒
65纳秒
45纳秒
155纳秒
65纳秒
50纳秒
140纳秒
65纳秒
50纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
符号
分钟。
典型值。马克斯。
HEF40175B
微星
典型的外推
公式
53纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
24纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
17纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
43纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
19纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
17纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
48纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
19纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
17纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
43纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
19纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
17纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
又见波形图4
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四D- FL型IP- FL运
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
2000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
8400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
22 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
HEF40175B
微星
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
Fig.4
波形显示的最小脉冲宽度为CP和MR , MR到CP的恢复时间,建立时间和
保持时间
n
到CP 。建立和保持时间表示为正值,但也可以指定为
负值。
应用信息
为HEF40175B应用的一些实例是:
移位寄存器
缓冲/存储寄存器
图形发生器
1995年1月
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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