【集成电路数据表对于一个完整的数据资料，也请下载：该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑系列规格】,IC型号HEF40174BD,HEF40174BD PDF资料,HEF40174BD经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF40174B

微星

进制D型触发器

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

六路D - FL型IP- FL运

描述

该HEF40174B是一个十六进制边沿触发的D型触发器

有六个数据输入（D

到D

），一个时钟输入端（ CP）的

压倒一切的异步主复位输入（ MR），六

HEF40174B

微星

缓冲输出（O

与O

）。 D上的信息

到D

转移到

与O

在低到高的转变

CP如果MR高。当低，MR重置所有触发器

与O

= LOW ） CP和D独立

到D

图1的功能框图。

钉扎

到D

与O

数据输入

时钟输入（从低到高;边沿触发）

主复位输入（低电平有效）

缓冲输出

功能表

图2钢钉图。

HEF40174BP （ N）： 16引脚DIL ;塑料

(SOT38-1)

HEF40174BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT74)

HEF40174BT （D）： 16引线SO ;塑料

(SOT109-1)

（）：封装标识北美

系列数据，我

极限微星类

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

笔记

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）

X =状态是无关紧要

=正向跳变

=负向过渡

输入

产量

没有变化

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_white

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1995年1月

图3的逻辑图。

飞利浦半导体

六路D - FL型IP- FL运

HEF40174B

微星

产品speci fi cation

飞利浦半导体

产品speci fi cation

六路D - FL型IP- FL运

AC特性

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

传播延迟

→

前高后低

从低到高

→

前高后低

输出转换时间

前高后低

从低到高

建立时间

→

保持时间

→

最小时钟

脉冲宽度;低

最低MR脉冲

宽度;低

恢复时间

对于MR

最大时钟

脉冲频率

最大

RMR

WMRL

WCPL

HOLD

TLH

THL

PHL

PLH

PHL

155纳秒

65纳秒

45纳秒

155纳秒

65纳秒

45纳秒

175纳秒

70纳秒

50纳秒

120纳秒

60纳秒

40纳秒

120纳秒

60纳秒

40纳秒

兆赫

符号

分钟。典型值。马克斯。

HEF40174B

微星

典型的外推

公式

48纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

19纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

12纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

48纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

19纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

12纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

58纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

24纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

17纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

又见波形

Fig.4

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

六路D - FL型IP- FL运

HEF40174B

微星

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ μW ）

3500 f

+ ∑

)

DD2

16 000 f

+ ∑

)

DD2

42 000 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

Fig.4

波形显示的最小脉冲宽度为CP和MR ， MR到CP的恢复时间，建立时间和

保持时间

到CP 。建立和保持时间表示为正值，但也可以指定为

负值。

应用信息

为HEF40174B应用的一些实例是：

移位寄存器

缓冲/存储寄存器

图形发生器

1995年1月

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF40174B

微星

进制D型触发器

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

六路D - FL型IP- FL运

描述

该HEF40174B是一个十六进制边沿触发的D型触发器

有六个数据输入（D

到D

），一个时钟输入端（ CP）的

压倒一切的异步主复位输入（ MR），六

HEF40174B

微星

缓冲输出（O

与O

）。 D上的信息

到D

转移到

与O

在低到高的转变

CP如果MR高。当低，MR重置所有触发器

与O

= LOW ） CP和D独立

到D

图1的功能框图。

钉扎

到D

与O

数据输入

时钟输入（从低到高;边沿触发）

主复位输入（低电平有效）

缓冲输出

功能表

图2钢钉图。

HEF40174BP （ N）： 16引脚DIL ;塑料

(SOT38-1)

HEF40174BD （ F）：在16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT74)

HEF40174BT （D）： 16引线SO ;塑料

(SOT109-1)

（）：封装标识北美

系列数据，我

极限微星类

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

笔记

1. H =高电平状态（更多的正电压）

L =低电平状态（不积极的电压）

X =状态是无关紧要

=正向跳变

=负向过渡

输入

产量

没有变化

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1995年1月

图3的逻辑图。

飞利浦半导体

六路D - FL型IP- FL运

HEF40174B

微星

产品speci fi cation

飞利浦半导体

产品speci fi cation

六路D - FL型IP- FL运

AC特性

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

传播延迟

→

前高后低

从低到高

→

前高后低

输出转换时间

前高后低

从低到高

建立时间

→

保持时间

→

最小时钟

脉冲宽度;低

最低MR脉冲

宽度;低

恢复时间

对于MR

最大时钟

脉冲频率

最大

RMR

WMRL

WCPL

HOLD

TLH

THL

PHL

PLH

PHL

155纳秒

65纳秒

45纳秒

155纳秒

65纳秒

45纳秒

175纳秒

70纳秒

50纳秒

120纳秒

60纳秒

40纳秒

120纳秒

60纳秒

40纳秒

兆赫

符号

分钟。典型值。马克斯。

HEF40174B

微星

典型的外推

公式

48纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

19纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

12纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

48纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

19纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

12纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

58纳秒

（ 0,55 NS / PF ）C

24纳秒

（ 0,23 NS / PF ）C

17纳秒

（ 0.16纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

10纳秒

（ 1,0 NS / PF ）C

9 NS

（ 0.42纳秒/ PF ）C

6纳秒

（ 0.28纳秒/ PF ）C

又见波形

Fig.4

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

六路D - FL型IP- FL运

HEF40174B

微星

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ μW ）

3500 f

+ ∑

)

DD2

16 000 f

+ ∑

)

DD2

42 000 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

Fig.4

波形显示的最小脉冲宽度为CP和MR ， MR到CP的恢复时间，建立时间和

保持时间

到CP 。建立和保持时间表示为正值，但也可以指定为

负值。

应用信息

为HEF40174B应用的一些实例是：

移位寄存器

缓冲/存储寄存器

图形发生器

1995年1月