飞利浦半导体
产品speci fi cation
双4位静态移位寄存器
描述
该HEF4015B是双沿触发4位静态移位
寄存器（串行到并行的转换器） 。每个移位寄存器
具有串行数据输入端（D）中，一个时钟输入端（ CP） 4充分
缓冲并行输出（O
0
与O
3
）和压倒一切
异步主复位输入（ MR） 。信息
HEF4015B
微星
本上D被移动到第一寄存器位，并且所有
在该寄存器中的数据被移位一个位置向右
对CP的低到高的转变。上洋先生HIGH
清除寄存器和力量
0
与O
3
为LOW ，
在独立的CP和D施密特触发器动作
时钟输入使得电路非常宽容较慢的时钟
上升和下降时间。
图2钢钉图。
HEF4015BP （ N） ：
HEF4015BD （F ） ：
HEF4015BT （D）：
图1的功能框图。
16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
16引脚SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
钉扎
D
A
, D
B
MR
A
，先生
B
CP
A
， CP
B
O
0A
, O
1A
, O
2A
, O
3A
O
0B
, O
1B
, O
2B
, O
3B
串行数据输入
主复位输入（高电平有效）
时钟输入（低到高
边沿触发的）
并行输出
并行输出
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
应用信息
为HEF4015B应用的一些实例是：
串行 - 并行转换器
缓冲器存储
通用寄存器
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双4位静态移位寄存器
HEF4015B
微星
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
17 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
Fig.4
波形示出设置时间，保持时间和最小时钟脉冲宽度。建立时间和保持时间是
示为正值，但也可以指定为负值。
图5显示的波形恢复时间MR和MR最小脉冲宽度。
1995年1月
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双4位静态移位寄存器
描述
该HEF4015B是双沿触发4位静态移位
寄存器（串行到并行的转换器） 。每个移位寄存器
具有串行数据输入端（D）中，一个时钟输入端（ CP） 4充分
缓冲并行输出（O
0
与O
3
）和压倒一切
异步主复位输入（ MR） 。信息
HEF4015B
微星
本上D被移动到第一寄存器位，并且所有
在该寄存器中的数据被移位一个位置向右
对CP的低到高的转变。上洋先生HIGH
清除寄存器和力量
0
与O
3
为LOW ，
在独立的CP和D施密特触发器动作
时钟输入使得电路非常宽容较慢的时钟
上升和下降时间。
图2钢钉图。
HEF4015BP （ N） ：
HEF4015BD （F ） ：
HEF4015BT （D）：
图1的功能框图。
16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
16引脚SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
钉扎
D
A
, D
B
MR
A
，先生
B
CP
A
， CP
B
O
0A
, O
1A
, O
2A
, O
3A
O
0B
, O
1B
, O
2B
, O
3B
串行数据输入
主复位输入（高电平有效）
时钟输入（低到高
边沿触发的）
并行输出
并行输出
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
应用信息
为HEF4015B应用的一些实例是：
串行 - 并行转换器
缓冲器存储
通用寄存器
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双4位静态移位寄存器
HEF4015B
微星
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
17 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
Fig.4
波形示出设置时间，保持时间和最小时钟脉冲宽度。建立时间和保持时间是
示为正值，但也可以指定为负值。
图5显示的波形恢复时间MR和MR最小脉冲宽度。
1995年1月
5
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产品speci fi cation
双4位静态移位寄存器
描述
该HEF4015B是双沿触发4位静态移位
寄存器（串行到并行的转换器） 。每个移位寄存器
具有串行数据输入端（D）中，一个时钟输入端（ CP） 4充分
缓冲并行输出（O
0
与O
3
）和压倒一切
异步主复位输入（ MR） 。信息
HEF4015B
微星
本上D被移动到第一寄存器位，并且所有
在该寄存器中的数据被移位一个位置向右
对CP的低到高的转变。上洋先生HIGH
清除寄存器和力量
0
与O
3
为LOW ，
在独立的CP和D施密特触发器动作
时钟输入使得电路非常宽容较慢的时钟
上升和下降时间。
图2钢钉图。
HEF4015BP （ N） ：
HEF4015BD （F ） ：
HEF4015BT （D）：
图1的功能框图。
16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
16引脚SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
钉扎
D
A
, D
B
MR
A
，先生
B
CP
A
， CP
B
O
0A
, O
1A
, O
2A
, O
3A
O
0B
, O
1B
, O
2B
, O
3B
串行数据输入
主复位输入（高电平有效）
时钟输入（低到高
边沿触发的）
并行输出
并行输出
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
应用信息
为HEF4015B应用的一些实例是：
串行 - 并行转换器
缓冲器存储
通用寄存器
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双4位静态移位寄存器
HEF4015B
微星
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
17 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
Fig.4
波形示出设置时间，保持时间和最小时钟脉冲宽度。建立时间和保持时间是
示为正值，但也可以指定为负值。
图5显示的波形恢复时间MR和MR最小脉冲宽度。
1995年1月
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