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集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4011UB

门

四路2输入与非门

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四路2输入与非门

描述

该HEF4011UB是一个四2输入与非门。这

无缓冲的单级版本提供了直接的

实现NAND功能。输出

阻抗和输出转变时间取决于输入

电压和输入上升和下降时间应用。

HEF4011UB

门

图2钢钉图。

HEF4011UBP （ N）：

图1的功能框图。

HEF4011UBD （F ）：

HEF4011UBT （D）：

14引脚DIL ;塑料

(SOT27-1)

14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT73)

14引脚SO ;塑料

(SOT108-1)

（）：封装标识北美

Fig.3

示意图（ 1栅极）。该

分割式的第n个晶体管提供

相同的投入。

系列数据，我

DD

极限类GATES

见家庭规范V

IH

/V

IL

无缓冲期

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四路2输入与非门

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

C

L

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

I

n

→

O

n

前高后低

5

10

15

5

从低到高

输出转换

时

前高后低

从低到高

输入电容

10

15

5

10

15

5

10

15

C

IN

t

TLH

t

THL

t

PLH

t

PHL

60

25

20

35

20

17

75

30

20

60

30

20

120

50

40

70

40

35

150

60

40

110

60

40

10

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

pF

符号

典型值。

马克斯。

HEF4011UB

门

典型的外推

公式

25纳秒

+

（ 0.70纳秒/ PF ）C

L

12纳秒

+

（ 0,27 NS / PF ）C

L

10纳秒

+

（ 0.20纳秒/ PF ）C

L

8纳秒

+

（ 0,55 NS / PF ）C

L

9 NS

+

（ 0,23 NS / PF ）C

L

9 NS

+

（ 0.16纳秒/ PF ）C

L

15纳秒

+

（ 1,20 NS / PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0,48 NS / PF ）C

L

4纳秒

+

（ 0.32纳秒/ PF ）C

L

10纳秒

+

（ 1.00纳秒/ PF ）C

L

9 NS

+

（ 0.42纳秒/ PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0.28纳秒/ PF ）C

L

V

DD

V

动态功耗

每消耗

包（P）的

5

10

15

典型公式P（ μW ）

500 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

5 000 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

25 000 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

哪里

f

i

=输入频率。（兆赫）

f

o

=输出频率。（兆赫）

C

L

=负载电容（PF ）

∑

(f

o

C

L

） =产出的总和

V

DD

- 电源电压（ V）

1995年1月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四路2输入与非门

HEF4011UB

门

Fig.4

典型的传输特性;一个输入端，另一

输入连接到V

DD

;

V

O

;

I

D

（漏极电流） ;

I

O

= 0; V

DD

= 5 V.

Fig.5

典型的传输特性;一个输入端，另一

输入连接到V

DD

;

V

O

;

I

D

（漏极电流） ;

I

O

= 0; V

DD

= 10 V.

Fig.6

典型的传输特性;一个输入端，另一

输入连接到V

DD

;

V

O

;

I

D

（漏极电流） ;

I

O

= 0; V

DD

= 15 V.

1995年1月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

四路2输入与非门

HEF4011UB

门

图7测试设置用于测量正向跨克

fs

DI

o

/ DV

i

在V

o

是恒定的（另见图表8所示）。

答：平均而言，

B：平均

+

2 s,

C：平均

2秒，其中“s”是观测的标准偏差。

图8典型正向跨导克

fs

随着电源电压的在T的函数

AMB

= 25

°C.

1995年1月

5

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