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集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4011B
门
四路2输入与非门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
描述
该HEF4011B提供了积极的四路2输入
NAND功能。输出是完全缓冲的最高
抗噪声和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4011B
门
图2钢钉图。
HEF4011BP （ N） ：
HEF4011BD （F ） ：
图1的功能框图。
HEF4011BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL
; t
PLH
符号
典型值
55
25
20
60
30
20
60
30
20
最大
110
45
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4011B
门
典型的外推
公式
28纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
集成电路
数据表
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系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4011B
门
四路2输入与非门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
描述
该HEF4011B提供了积极的四路2输入
NAND功能。输出是完全缓冲的最高
抗噪声和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4011B
门
图2钢钉图。
HEF4011BP （ N） ：
HEF4011BD （F ） ：
图1的功能框图。
HEF4011BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL
; t
PLH
符号
典型值
55
25
20
60
30
20
60
30
20
最大
110
45
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4011B
门
典型的外推
公式
28纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
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