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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF40106B
六角反相施密特触发器
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
描述
的HEF40106B功能的各电路作为逆变器
与施密特触发器动作。施密特触发器的开关频率为
不同的点为正和负向输入
信号。的正向电压之间的差
(V
P
)和负向电压(V
N
)被定义为
滞后电压(V
H
).
这个设备可以用于增强抗扰度或
以“方达”慢慢改变波形。
HEF40106B
图2钢钉图。
HEF40106BP ( N) : 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF40106BD ( F):在14引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT73)
HEF40106BT (D): 14引线SO ;塑料
(SOT108-1)
( ) :封装标识北美
图1的功能框图。
图3逻辑图(一台变频器) 。
系列数据,我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
DC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD
V
迟滞
电压
切换水平
正向
输入电压
负向
输入电压
5
10
15
5
10
15
5
10
15
V
N
V
P
V
H
符号
分钟。
0,5
0,7
0,9
2
3,7
4,9
1,5
3
4
典型值。
0,8
1,3
1,8
3,0
5,8
8,3
2,2
4,5
6,5
HEF40106B
马克斯。
V
V
V
3,5
7
11
3
6,3
10,1
V
V
V
V
V
V
Fig.5
图4的传输特性。
波形显示的定义
V
P
, V
N
和V
H
其中V
N
和V
P
的30 %和70%范围之间。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
90
35
30
75
35
30
60
30
20
60
30
20
180
70
60
150
70
60
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF40106B
典型的外推
公式
63纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
24纳秒
+
( 0,23 NS / PF )
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
48纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
24纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
2 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
9 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
HEF40106B
Fig.6
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
1995年1月
5
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    联系人:杨小姐
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联系人:胡先生 林小姐 朱先生
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联系人:吴
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