【集成电路数据表对于一个完整的数据资料，也请下载：该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑系列规格】,IC型号HEF40098BP,HEF40098BP PDF资料,HEF40098BP经销商,ic,电子元器件-51电子网

集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF40098B

缓冲器

三态六角反相缓冲器

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三态六角反相缓冲器

描述

该HEF40098B是三态六角反相缓冲器

输出。三态输出由两个使能控制

输入（ EO

4

和EO

2

）。关于EO一高

4

导致4的

6缓冲元件呈高阻抗或

断开状态而不管其他的输入条件和一个

高位EO

2

使剩下的两个的输出

缓冲元件呈高阻抗或OFF状态

不管其他输入条件。

HEF40098B

缓冲器

图2钢钉图。

HEF40098BP （ N）：

HEF40098BD （F ）：

HEF40098BT （D）：

16引脚DIL ;塑料

(SOT38-1)

16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT74)

16引脚SO ;塑料

(SOT109-1)

（）：封装标识北美

钉扎

I

1

到我

6

EO

4

， EO

2

O

1

与O

6

图1的功能框图。

缓冲输入

使能输入（低电平有效）

缓冲输出（低电平有效）

系列数据，我

DD

极限类缓冲区

见家庭音响特定阳离子

1995年1月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三态六角反相缓冲器

HEF40098B

缓冲器

图3的逻辑图。

DC特性

V

SS

= 0 V

T

AMB

(°C)

HEF

V

DD

V

5

10

15

高

输出电流

低

5

4,75

10

15

V

OH

V

4,6

9,5

13,5

2,5

0,4

0,5 I

OL

1,5

I

OH

I

OH

V

OL

V

符号

40

分钟。

输出电流

高

1,2

3,8

12,0

3,8

3,5

12,0

24,0

马克斯。

+25

分钟。

1,0

3,2

10,0

3,2

2,9

10,0

20,0

马克斯。

+85

分钟。

0,8

2,5

8,0

2,5

2,3

8,0

16,0

马克斯。

mA

T

AMB

(°C)

HEC

V

DD

V

5

10

15

高

输出电流

低

5

4,75

10

15

V

OH

V

4,6

9,5

12,5

2,5

0,4

0,5 I

OL

1,5

I

OH

I

OH

V

OL

V

符号

55

分钟。

输出电流

高

1,25

4,0

12,5

4,0

3,6

12,5

25,0

马克斯。

+25

分钟。

1,0

3,2

10,0

3,2

2,9

10,0

20,0

马克斯。

+125

分钟。

0,6

2,1

6,7

2,1

1,9

6,7

13,0

马克斯。

mA

1995年1月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

三态六角反相缓冲器

AC特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

C

L

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

V

DD

V

传播延迟

I

n

→

O

n

前高后低

5

10

15

5

从低到高

输出转换时间

前高后低

10

15

5

10

15

5

从低到高

三态传输延迟

输出禁用时间

EO

2

， EO

4

→

O

n

高

5

10

15

5

低

输出使能时间

EO

2

， EO

4

→

O

n

高

5

10

15

5

低

10

15

t

PZL

t

PZH

70

35

30

90

40

35

140

75

65

185

85

70

ns

10

15

t

PLZ

t

PHZ

45

35

30

65

40

35

85

65

60

135

80

70

ns

10

15

t

TLH

t

THL

t

PLH

t

PHL

80

35

25

65

30

25

30

15

10

35

20

15

160

70

50

130

60

50

60

30

20

70

40

30

ns

符号

典型值。

马克斯。

HEF40098B

缓冲器

典型的外推

公式

70纳秒

+

（ 0.20纳秒/ PF ）C

L

31纳秒

+

（ 0,08 NS / PF ）C

L

22纳秒

+

（ 0,06 NS / PF ）C

L

50纳秒

+

（ 0,30 NS / PF ）C

L

24纳秒

+

（ 0,13 NS / PF ）C

L

23纳秒

+

（ 0,05 NS / PF ）C

L

15纳秒

+

（ 0,30 NS / PF ）C

L

10纳秒

+

（ 0,11 NS / PF ）C

L

7纳秒

+

（ 0.07纳秒/ PF ）C

L

10纳秒

+

（ 0,50 NS / PF ）C

L

8纳秒

+

（ 0,24 NS / PF ）C

L

6纳秒

+

（ 0.18纳秒/ PF ）C

L

V

DD

V

动态功耗

每消耗

包（P）的

5

10

15

典型公式P（ μW ）

5 000 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

22 800 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

81 000 f

i

+ ∑

(f

o

C

L

)

×

V

DD2

哪里

f

i

=输入频率。（兆赫）

f

o

=输出频率。（兆赫）

C

L

=负载上限。（PF ）

∑

(f

o

C

L

） =产出的总和

V

DD

- 电源电压（ V）

1995年1月

4

HEF40098B

三态六角反相缓冲器

牧师05 - 2008年10月31日

产品数据表

1.概述

该HEF40098B与3态输出十六进制反相缓冲器。三态输出

由两个低电平有效使能控制输入（图10E和2OE ）。上图10E一个高导致4

六个低电平有效缓冲元件（ 1Y0到1Y3 ）假设一个高阻抗或

断开状态而不管其他输入条件和2OE一个高电平使

剩下的两个缓冲元件（ 2Y0和2Y1 ）的输出，以假设一个高阻抗

或断开状态而不管另一输入端的条件。

它工作在推荐的V

DD

3 V至15 V的电源电压范围参考V

SS

（通常接地）。未使用的输入必须连接到V

DD

, V

SS

或另一个输入。这是

也适用于整个工业（ -40

°C

+85

°C)

温度范围。

2.特点

I

全静态操作

5 V ， 10 V和15 V额定参数

标准化对称的输出特性

在整个工业温度范围内工作

40 °C

+85

°C

符合JEDEC标准JESD 13 -B

ESD保护：

N

HBM JESD22- A114E超过2000伏

N

MM JESD22 - A115 - A超过200 V

3.应用

I

产业

4.订购信息

表1中。

订购信息

所有类型的操作

40

°

C至+ 85

°

C

类型编号

HEF40098BP

HEF40098BT

包

名字

DIP16

SO16

描述

塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）

塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米

VERSION

SOT38-4

SOT109-1

恩智浦半导体

HEF40098B

三态六角反相缓冲器

5.功能图

2 1A0

1Y0 3

4 1A1

1Y1 5

6 1A2

1Y2 7

10 1A3

1Y3 9

1A0

1Y0

1 10E中

14 2A0

2Y0 13

1A1

1Y1

12 2A1

2Y1 11

1A2

1Y2

2A0

2Y0

15 2OE

1A3

1Y3

2A1

2Y1

001aae553

1OE

2OE

001aae555

图1 。

工作原理图

图2 。

逻辑图

6.管脚信息

6.1钢钉

HEF40098B

1OE

1A0

1Y0

1A1

1Y1

1A2

1Y2

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

001aae554

16 V

DD

15 2OE

14 2A0

13 2Y0

12 2A1

11 2Y1

10 1A3

9

1Y3

图3 。

引脚CON组fi guration

HEF40098B_5

产品数据表

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2 12

恩智浦半导体

HEF40098B

三态六角反相缓冲器

6.2引脚说明

表2中。

符号

1OE

1A0, 1A1, 1A2, 1A3

1Y0, 1Y1, 1Y2, 1Y3

V

SS

2Y0, 2Y1

2A0, 2A1

2OE

V

DD

引脚说明

针

1

2, 4, 6, 10

3, 5, 7, 9

8

13, 11

14, 12

15

16

描述

输出使能输入（低电平有效）

缓冲输入

缓冲输出（低电平有效）

电源电压

缓冲输出（低电平有效）

缓冲输入

输出使能输入（低电平有效）

电源电压

7.功能描述

表3中。

输入

为NaN

H

L

X

[1]

功能表

[1]

产量

诺埃

L

H

NYN

L

H

Z

H =高电压电平; L =低电压电平; X =不关心; Z =高阻关断状态。

8.极限值

表4 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

DD

I

IK

V

I

OK

I

I / O

I

DD

T

英镑

T

AMB

P

合计

参数

电源电压

输入钳位电流

输入电压

输出钳位电流

输入/输出电流

电源电流

储存温度

环境温度

总功耗

T

AMB

=

40

+85

°C

DIP16封装

SO16封装

P

[1]

[2]

[1]

[2]

条件

V

I

< 0.5 V或V

I

＆ GT ; V

DD

+ 0.5 V

V

O

< 0.5 V或V

O

＆ GT ; V

DD

+ 0.5 V

民

0.5

-

0.5

-

65

40

-

最大

+18

±10

V

DD

+ 0.5

±10

50

+150

+85

750

500

100

单位

V

mA

V

mA

°C

mW

功耗

对于DIP16封装：P

合计

减额直线为12毫瓦/ K以上70

°C.

对于SO16封装：P

合计

减额线性8毫瓦/ K以上70

°C.

HEF40098B_5

产品数据表

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3 12

恩智浦半导体

HEF40098B

三态六角反相缓冲器

9.推荐工作条件

表5 。

符号

V

DD

V

I

T

AMB

ΔT/ ΔV

推荐工作条件

参数

电源电压

输入电压

环境温度

输入过渡上升和下降率

在自由空气

V

DD

= 5 V

V

DD

= 10 V

V

DD

= 15 V

条件

民

3

0

40

-

典型值

-

最大

15

V

DD

+85

3.75

0.5

0.08

单位

V

°C

NS / V

10.静态特性

表6 。

静态特性

V

SS

= 0 V; V

I

= V

SS

或V

DD

;除非另有规定ED 。

符号参数

V

IH

高电平输入电压

条件

|I

O

|

＆ LT ; 1

A

V

DD

5V

10 V

15 V

V

IL

低电平输入电压

|I

O

|

＆ LT ; 1

A

5V

10 V

15 V

V

OH

高电平输出电压

|I

O

|

＆ LT ; 1

A

5V

10 V

15 V

V

OL

低电平输出电压

|I

O

|

＆ LT ; 1

A

5V

10 V

15 V

I

OH

高电平输出电流V

O

= 2.5 V

V

O

= 4.6 V

V

O

= 9.5 V

V

O

= 13.5 V

I

OL

低电平输出电流

V

O

= 0.4 V;

V

O

= 0.5 V;

V

O

= 1.5 V;

I

DD

输入漏电流

电源电流

V

I

= 0 V或15 V

I

O

= 0 A

5V

10 V

15 V

4.75 V

10 V

15 V

5V

10 V

15 V

I

OZ

C

I

关态输出电流

输入电容

15 V

T

AMB

=

40 °C

T

AMB

= 25

°C

T

AMB

= 85

°C

单位

民

3.5

7.0

11.0

-

4.95

9.95

14.95

-

3.8

1.2

3.8

12.0

3.5

12.0

24.0

-

最大

-

1.5

3.0

4.0

-

0.05

-

0.3

4

8

16

1.6

-

民

3.5

7.0

11.0

-

4.95

9.95

14.95

-

3.2

1.0

3.2

10.0

2.9

10.0

20.0

-

最大

-

1.5

3.0

4.0

-

0.05

-

0.3

4

8

16

1.6

7.5

民

3.5

7.0

11.0

-

4.95

9.95

14.95

-

2.5

0.8

2.5

8.0

2.3

8.0

16.0

-

最大

-

1.5

3.0

4.0

-

0.05

-

1.0

30

60

120

12.0

-

V

mA

A

pF

HEF40098B_5

产品数据表

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4 12

恩智浦半导体

HEF40098B

三态六角反相缓冲器

11.动态特性

表7中。

动态特性

V

SS

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°

℃;测试电路见

图6 ;

除非另有规定ED 。

符号

t

PHL

参数

前高后低

传播延迟

条件

楠NYN ;

SEE

图4

V

DD

5V

10 V

15 V

t

PLH

从低到高

传播延迟

楠NYN ;

SEE

图4

5V

10 V

15 V

t

THL

高至低输出

转换时间

SEE

图4

5V

10 V

15 V

t

TLH

从低到高输出

转换时间

SEE

图4

5V

10 V

15 V

t

PHZ

HIGH到OFF状态

传播延迟

NOE ，以NYN ;

SEE

图5

5V

10 V

15 V

t

PLZ

低到OFF状态

传播延迟

NOE ，以NYN ;

SEE

图5

5V

10 V

15 V

t

PZH

OFF状态，以高

传播延迟

NOE ，以NYN ;

SEE

图5

5V

10 V

15 V

t

PZL

OFF状态，以LOW

传播延迟

NOE ，以NYN ;

SEE

图5

5V

10 V

15 V

[1]

外推公式

[1]

70 NS + （ 0.20纳秒/ PF ）C

L

31 NS + （ 0.08纳秒/ PF ）C

L

22 NS + （ 0.06纳秒/ PF ）C

L

50 NS + （ 0.30纳秒/ PF ）C

L

24 NS + （ 0.13纳秒/ PF ）C

L

23 NS + （ 0.05纳秒/ PF ）C

L

15 NS + （ 0.30纳秒/ PF ）C

L

10纳秒+ （ 0.11纳秒/ PF ）C

L

7 NS + （ 0.07纳秒/ PF ）C

L

10纳秒+ （ 0.50纳秒/ PF ）C

L

8 NS + （ 0.24纳秒/ PF ）C

L

6 NS + （ 0.18纳秒/ PF ）C

L

民

-

典型值

80

35

25

65

30

25

30

15

10

35

20

15

45

35

30

65

40

35

70

35

30

90

40

35

最大

160

70

50

130

60

50

60

30

20

70

40

30

85

65

60

135

80

70

140

75

65

185

85

70

单位

ns

传播延迟和转换时间的典型值计算出的外推公式，如图（C

L

单位为pF ）。

表8 。

动态功耗P

D

P

D

可以计算（在

W）从所示的公式。 V

SS

= 0 V ;牛逼

r

= t

f

≤

20纳秒;牛逼

AMB

= 25

°

C.

符号

P

D

参数

动态功耗

耗散

V

DD

5V

10 V

15 V

典型公式P

D

(W)

P

D

= 5000

×

f

i

+

Σ(f

o

×

C

L

)

×

V

DD2

P

D

= 22800

×

f

i

+

Σ(f

o

×

C

L

)

×

V

DD2

P

D

= 81000

×

f

i

+

Σ(f

o

×

C

L

)

×

V

DD2

其中：

f

i

=在MHz的输入频率，

f

o

=以MHz为单位的输出频率，

C

L

=以pF输出负载电容，

V

DD

=在V电源电压，

Σ(C

L

×

f

o

） =的输出的总和。

HEF40098B_5

产品数据表

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