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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF40097B
缓冲器
三态六角非反相缓冲器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三态六角非反相缓冲器
描述
该HEF40097B是三态六角非反相缓冲器
输出。三态输出由两个使能控制
输入（ EO
4
和EO
2
） 。关于EO一高
4
导致4的
6缓冲元件呈高阻抗或
截止状态，而不管其他的输入条件和一个
高位EO
2
使剩下的两个的输出
缓冲元件呈高阻抗或
截止状态，而不管其他的输入条件。
HEF40097B
缓冲器
图2钢钉图。
HEF40097BP （ N） ：
HEF40097BD （F ） ：
HEF40097BT （D）：
16引脚DIL ;塑料
(SOT38-1)
16引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT74)
16引脚SO ;塑料
(SOT109-1)
（ ） ：封装标识北美
钉扎
I
1
到我
6
EO
4
， EO
2
O
1
与O
6
缓冲输入
使能输入（低电平有效）
缓冲输出（高电平有效）
图1的功能框图。
系列数据，我
DD
极限类缓冲区
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三态六角非反相缓冲器
HEF40097B
缓冲器
图3的逻辑图。
DC特性
V
SS
= 0 V
T
AMB
(°C)
HEF
V
DD
V
5
10
15
高
输出电流
低
5
4,75
10
15
V
OH
V
4,6
9,5
13,5
2,5
0,4
0,5
1,5
I
OL
I
OH
I
OH
V
OL
V
符号
40
+25
+85
分钟。
0,8
2,5
8,0
2,5
2,3
8,0
16,0
马克斯。
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
输出电流
高
1,2
3,8
12,0
3,8
3,5
12,0
24,0
1,0
3,2
10,0
3,2
2,9
10,0
20,0
T
AMB
(°C)
HEC
V
DD
V
5
10
15
高
输出电流
低
5
4,75
10
15
V
OH
V
4,6
9,5
13,5
2,5
0,4
0,5
1,5
I
OL
I
OH
I
OH
V
OL
V
符号
55
+25
+125
分钟。
0,6
2,1
6,7
2,1
1,9
6,7
13,0
马克斯。
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
输出电流
高
1,25
4,0
12,5
4,0
3,6
12,5
25,0
1,0
3,2
10,0
3,2
2,9
10,0
20,0
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三态六角非反相缓冲器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
三态传输延迟
输出禁用时间
EO
2
， EO
4
→
O
n
高
5
10
15
5
低
输出使能时间
EO
2
， EO
4
→
O
n
高
5
10
15
5
低
10
15
t
PZL
t
PZH
75
35
30
95
40
30
150
70
60
190
80
65
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
PLZ
t
PHZ
45
35
30
60
35
25
95
70
60
120
70
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
70
30
25
60
25
20
30
15
10
35
20
15
140
60
50
120
50
40
60
30
20
70
40
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF40097B
缓冲器
典型的外推
公式
60纳秒
+
（ 0.20纳秒/ PF ）C
L
26纳秒
+
（ 0,08 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0,06 NS / PF ）C
L
45纳秒
+
（ 0,30 NS / PF ）C
L
19纳秒
+
（ 0,13 NS / PF ）C
L
16纳秒
+
（ 0,09 NS / PF ）C
L
15纳秒
+
（ 0,30 NS / PF ）C
L
10纳秒
+
（ 0,11 NS / PF ）C
L
7纳秒
+
（ 0.07纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 0,50 NS / PF ）C
L
8纳秒
+
（ 0,24 NS / PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.18纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
5 400 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
25 200 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
96 500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载上限。 （PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
4
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