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集成电路

数据表

对于一个完整的数据资料，也请下载：

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

系列规格HEF ， HEC

该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑

封装图/资料HEF ， HEC

HEF4007UB

门

双互补对，

逆变器

产品speci fi cation

在集成电路， IC04文件

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双互补对及反相器

描述

HEF4007UB

门

该HEF4007UB是双互补对，并与访问每个设备的逆变器。它有三个n沟道和

3 p沟道增强型MOS晶体管。

图1示意图。

钉扎

, S

, D

, S

图2钢钉图。

N/P3

至G

HEF4007UBP （ N）：

HEF4007UBD （F ）：

HEF4007UBT （D）：

14引脚DIL ;塑料

(SOT27-1)

14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）

(SOT73)

14引脚SO ;塑料

(SOT108-1)

（）：封装标识北美

系列数据，我

极限类GATES

看到家特定网络阳离子V

无缓冲期

源连接到第二和第三

p沟道晶体管

从排出的第一和第二连接

p沟道晶体管

从排出的第一和第二连接

n沟道晶体管

源连接到第二和第三

n沟道晶体管

到第三p沟道共同连接

和N沟道晶体管漏极

栅极连接到n沟道型和

p沟道三个晶体管对的

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双互补对及反相器

AC特性

= 0 V ;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 50 pF的;输入转换时间

≤

20纳秒

传播延迟

→

; D

前高后低

从低到高

输出转换时间

前高后低

从低到高

TLH

THL

PLH

PHL

120

符号

典型值。

马克斯。

HEF4007UB

门

典型的外推

公式

13 NS + （ 0.55纳秒/ PF ）C

9 NS + （ 0.23纳秒/ PF ）C

7 NS + （ 0.16纳秒/ PF ）C

13 NS + （ 0.55纳秒/ PF ）C

9 NS + （ 0.23纳秒/ PF ）C

7 NS + （ 0.16纳秒/ PF ）C

10纳秒+ （ 1,0 NS / PF ）C

9 NS + （ 0.42纳秒/ PF ）C

6 NS + （ 0.28纳秒/ PF ）C

10纳秒+ （ 1,0 NS / PF ）C

9 NS + （ 0.42纳秒/ PF ）C

6 NS + （ 0.28纳秒/ PF ）C

动态功耗

每消耗

包（P）的

典型公式P（ μW ）

4500 f

+ ∑

)

DD2

20 000 f

+ ∑

)

DD2

50 000 f

+ ∑

)

DD2

哪里

=输入频率。（兆赫）

=输出频率。（兆赫）

=负载电容（PF ）

∑(f

） =产出的总和

- 电源电压（ V）

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双互补对及反相器

HEF4007UB

门

Fig.3

典型的漏极电流I

和输出电压V

输入电压的功能; V

= 5 V ;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.4

典型的漏极电流I

和输出电压V

输入电压的功能; V

= 10 V ;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.5

典型的漏极电流I

和输出电压V

输入电压的功能; V

= 15 V ;牛逼

AMB

= 25

°C.

1995年1月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

双互补对及反相器

应用信息

为HEF4007UB应用的一些实例是：

高输入阻抗放大器

线性放大器器

（晶体）振荡器

高电流漏极和源极驱动器

高阻抗缓冲器。

HEF4007UB

门

Fig.6

电压增益（V

）作为电源的功能

电压。

Fig.7

电源电流与电源的功能

电压。

这也是一个一个例子

使用一个模拟放大器

HEF4007UB门。

Fig.8

测试设置用于测量图6图

7 。

1995年1月

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