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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4007UB
门
双互补对，
逆变器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双互补对及反相器
描述
HEF4007UB
门
该HEF4007UB是双互补对，并与访问每个设备的逆变器。它有三个n沟道和
3 p沟道增强型MOS晶体管。
图1示意图。
钉扎
S
P2
, S
P3
D
P1
, D
P2
D
N1
, D
N2
S
N2
, S
N3
图2钢钉图。
D
N/P3
G
1
至G
3
HEF4007UBP （ N） ：
HEF4007UBD （F ） ：
HEF4007UBT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
系列数据，我
DD
极限类GATES
看到家特定网络阳离子V
IH
/V
IL
无缓冲期
源连接到第二和第三
p沟道晶体管
从排出的第一和第二连接
p沟道晶体管
从排出的第一和第二连接
n沟道晶体管
源连接到第二和第三
n沟道晶体管
到第三p沟道共同连接
和N沟道晶体管漏极
栅极连接到n沟道型和
p沟道三个晶体管对的
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双互补对及反相器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
G
n
→
D
N
; D
P
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
40
20
15
40
20
15
60
30
20
60
30
20
80
40
30
75
40
30
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF4007UB
门
典型的外推
公式
13 NS + （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
9 NS + （ 0.23纳秒/ PF ）C
L
7 NS + （ 0.16纳秒/ PF ）C
L
13 NS + （ 0.55纳秒/ PF ）C
L
9 NS + （ 0.23纳秒/ PF ）C
L
7 NS + （ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒+ （ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS + （ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6 NS + （ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒+ （ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS + （ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6 NS + （ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
4500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
50 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双互补对及反相器
HEF4007UB
门
Fig.3
典型的漏极电流I
D
和输出电压V
O
as
输入电压的功能; V
DD
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
典型的漏极电流I
D
和输出电压V
O
as
输入电压的功能; V
DD
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
典型的漏极电流I
D
和输出电压V
O
as
输入电压的功能; V
DD
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双互补对及反相器
应用信息
为HEF4007UB应用的一些实例是：
高输入阻抗放大器
线性放大器器
（晶体）振荡器
高电流漏极和源极驱动器
高阻抗缓冲器。
HEF4007UB
门
Fig.6
电压增益（V
o
/V
i
）作为电源的功能
电压。
Fig.7
电源电流与电源的功能
电压。
这也是一个一个例子
使用一个模拟放大器
HEF4007UB门。
Fig.8
测试设置用于测量图6图
7 。
1995年1月
5
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