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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4001UB
门
四路2输入NOR门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
描述
该HEF4001UB是一个四2输入NOR门。这
无缓冲的单级版本提供了直接的
实施NOR功能。输出
阻抗和输出转变时间取决于输入
电压和输入上升和下降时间应用。
HEF4001UB
门
图2钢钉图。
HEF4001UBP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF4001UBD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF4001UBT （D）： 14引线SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
系列数据，我
DD
极限类GATES
看到家特定网络阳离子V
IH
/V
IL
无缓冲期
Fig.3
示意图（ 1栅极） 。该
分裂式的p晶体管提供
相同的投入。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输入电容
10
15
C
IN
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
65
30
25
40
20
15
75
30
20
60
30
20
130
60
50
80
40
30
150
60
40
110
60
40
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
30纳秒
17纳秒
15纳秒
13纳秒
9 NS
7纳秒
15纳秒
6纳秒
符号
典型值。
马克斯。
HEF4001UB
门
典型的外推
公式
+
（ 0.70纳秒/ PF ）C
L
+
（ 0,27 NS / PF ）C
L
+
（ 0.20纳秒/ PF ）C
L
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
+
（ 1,20 NS / PF ）C
L
+
（ 0,48 NS / PF ）C
L
4纳秒
+
（ 0.32纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1.00纳秒/ PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
500 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5000 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
30 000 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
HEF4001UB
门
Fig.4
典型的传输特性;一个输入端，另一
输入连接到V
SS
;
V
O
;
– – – I
D
（漏极电流） ;
I
O
= 0; V
DD
= 5 V.
Fig.5
典型的传输特性;一个输入端，另一
输入连接到V
SS
;
V
O
;
– – – I
D
（漏极电流） ;
I
O
= 0; V
DD
= 10 V.
Fig.6
典型的传输特性;一个输入端，另一
输入连接到V
SS
;
V
O
;
– – – I
D
（漏极电流） ;
I
O
= 0; V
DD
= 15 V.
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
HEF4001UB
门
图7测试设置用于测量正向跨克
fs
DI
o
/ DV
i
在V
o
是恒定的（另见图表8所示） 。
答：平均而言，
B：平均+ 2秒，
C：平均
2秒，在“S”是观测的标准偏差。
图8典型正向跨导克
fs
随着电源电压的在T的函数
AMB
= 25
°C.
1995年1月
5
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