655纳米精密光学
反射传感器
技术参数
HEDS-1500
特点
聚焦和发射器
探测器在单一封装
655纳米的可见光发射
0.178毫米（ 0.007 ）分辨率
TO- 5微型密封
包
光电二极管输出
发射器和一个匹配的内燃光电
探测器。分叉的非球面
透镜是用于图像中的活性
在发射极和区域
检测到单点4.27毫米
（ 0.168英寸）在封装前
年龄。的输出信号是电流
由光电二极管产生的。
应用
应用为HEDS -1500
包括条码扫描，
模式识别和验证
化，对象大小，光学极限
开关，转速测定，纺织品
线程计数和缺陷
检测，三维显示器 -
荷兰国际集团，线定位，纸边
检测，以及任何应用
其中，精密光学反射
检测是需要的。
机械
注意事项
该HEDS- 1500被封装在一个
高调的8引脚TO- 5金属罐
用玻璃窗口。发射器
和光电探测器芯片
安装在头部
基地的包。定位
以上这些活性元素是
描述
该HEDS -1500是一款全英特
磨碎的模块设计
需要光学的应用
反光感。该模块
包含一个655纳米的可见光LED
包装尺寸
最大信号点
9.40 (0.370)
8.51 (0.335)
5.08
(0.200)
0.86 (0.034)
0.73 (0.029)
C
L
基准面
5.08
(0.200)
4.27 ± 0.25
(0.168 ± 0.010)
4.11
(0.162)
1.14 (0.045)
0.73 (0.029)
15.24 (0.600)
12.70 (0.500)
S.P.
12.0
(0.473)
R.P.
8.33 (0.328)
7.79 (0.307)
11.50 (0.453)
11.22 (0.442)
注意事项：
1.所有以毫米（英寸）尺寸。
2.所有UNTOLERANCED尺寸仅供参考。
3.参考平面（ RP ）是包的顶面。
4.镍CAN和镀金焊盘。
5. S.P. =飞机座位。
6.导线的直径为0.45毫米（ 0.018英寸） TYP 。
2
分叉的非球面镜片亚克力
侧重他们一样
点。
该传感器可以是刚性SE-
由市售治愈
两片的TO- 5风格的散热片，
如THERMALLOY 2205 ，爱美达
工程321527 ，或8引脚
0.200英寸直径的圆针
插座。这些装置提供
稳定的参考平台
加盖HEDS -1500到
电路板。
在需要接触的应用
扫描，保护重点提示
是可用的。重点提示是
原理图
在任一金属或聚可用
使用碳酸盐包
蓝宝石球的接触
表面。安捷伦部件号
是HEDS- 3001 ， HBCS - 2999 ，
HBCS - 4999 ， HBCS - A998 ，和
HBCS-A999.
需要调制的应用
灰或LED的开关
应该被设计为具有
阴极连接到electri-
CAL地面系统。
应用环境光
存在将需要一个特殊的
LED驱动器和恢复电路
实现了全分辨率
传感器。应用笔记1040
提供的数据和图表来
支持HEDS -1500感应器能操作
ATION在环境光条件。
一个可靠的数据表可
对于HEDS -1500精密
光反射传感器。
电气运行
传感器的检测器是一个
单个光电二极管。图7示出了
光电流被供应
光电二极管的阴极
该操作的一个反相输入端
tional放大器。的阴极
在655纳米发射器物理
并电连接到所述
情况下，基片的装置的。
接线图
再FL埃克特
针＃
参考
飞机
Z
1
D
PS
R
S
LED
3
2
R
S
4
CASE ，底
R
S
- 特性没有定义
8
4
顶视图
5
8
7
1
2
4
6
8
6
功能
光电二极管阴极
头接地
**
LED阳极
光电二极管阳极
2
6
LED
D
PS
1
**客户不应连接
地上4脚。
内部连接到引脚4
将被删除的未来。
绝对最大额定值@ T
A
= 25
°
C
参数
工作温度
储存温度
引线焊接温度
LED平均电流
峰值LED正向电流
反向LED输入电压
光二极管偏压（ -V =正向偏压）
（为说明见下页）。
符号
T
A
T
S
分钟。
-20
-40
马克斯。
70
75
260
持续10秒。
单位
°C
°C
°C
mA
记
1
I
f
I
fp
V
r
V
d
-0.3
50
（数据待定）
5
7
2
V
V
3
3
在T电气/光学特性
A
= 25
°
C
参数
反射光电流
品质因数
最大信号点（ MSP）的
LED正向电压
LED的反向击穿电压
光电二极管的暗电流
LED峰值波长
I
pr
温度COEF网络cient
系统的光学步骤
响应大小（ OSR ）
注意事项：
1.注意：亚克力镜片的热限制将不允许普通波峰焊过程。典型的预热
和焊接后的清洗程序和驻留时间可以若使透镜到热应力超过绝对最大
收视率，并可能导致其散焦。
2. （可靠性测试仍在进行数据尚未公布）。
3. I
d
（最大值） = 100
A.
建议操作： V
d
（分钟） = 0 V V
d
（ MAX）= 5 V超过最大条件可能会造成永久性
损坏光电二极管芯片金属化。
4.从涂覆有99％的漫反射的白色涂料（柯达6080 ）的反射测量定位4.27毫米（ 0.168英寸）从
参考平面。 （测试连接，请参阅“光电流检测电路” 。 ）测量身体是总光，我
pt
，这
由一个信号（从目标反射的）的组分，我
pr
和诱导的反射内部的传感器（杂散）的组分，我
ps
.
I
pt
= I
pr
+ I
ps
指定是反射信号分量，我
pr
.
5.请参阅斌表。
6. <Q> = I
pr
/I
pt
.
7.从传感器的基准平面（RP ）进行测定。
光电二极管在黑暗中测量8.漏电流。
9.光电流随温度的变化与LED输出，遵循自然的指数规律变化：
I
p
（吨） =我
p
(T
o
） * EXP [K
e
(T-T
o
)].
10. OSR的大小被定义为在距离为10 ％-90％的“步骤”的我响应
pr
作为传感器移过，从不透明的白色突然一步
黑色，或从不透明白色到自由空间（无反射） 。
11.传感器不包含任何环境光线过滤，参见图6探测器的相对响应。在明亮的环境光条件下， LED
信号可以是总信号的一小部分。 AC耦合和额外的信号处理可能是必要的。参考应用
注意： 1040 。
符号
I
pr
<Q>
Z
V
f
BVR
I
d
LAMBDA
K
e
d
分钟。
80
0.82
典型值。
125
0.95
马克斯。
–
1.0
单位
nA
–
条件
I
f
= 35毫安
I
f
= 35毫安
记
4, 5, 11
4, 6
4, 7
科幻gure
1, 2, 4, 7
4.01
4.27
4.52
mm
（ 0.158 ） （ 0.168 ） （ 0.178 ） （英寸）
–
5.0
–
1.72
–
50
655
-0.006
0.154
(0.006)
1.86
–
1000
670
V
V
pA
nm
1/°C
mm
（英寸）
–
I
f
= 35毫安
I
r
= 100
A
V
d
= 5 V，I
f
= 0
I
f
= 35毫安
4
3
8
5
9
10
8
5
3.0
光电流归一化
在我
F
= 35毫安， 25℃
2.0
V
F
- 正向电压 - V
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
1 A
10 μA 100 μA 1毫安10毫安百毫安
I
F
=正向电流
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I
F
- 正向电流 - 毫安
图2.相对反射光电流。
图3. LED正向电压与正向电流。
传感器
MSP范围
光电流归一化
峰@ MSP
1.75
LED的光输出
（归一化到25 ℃的值）
1.0
MSP = 4.01毫米
0.8
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
595
615
635
655
-20 °C
归
0 °C
归
25 °C
归
70 °C
归
0.6
0.4
0.2
MSP = 4.52毫米
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
675
695
715
波长 - 纳米
距离到基准面
传感器 - 毫米
图4.光电流的变化与距离。
图5. 655 nm的发射极典型的光谱分布。
响应归一化到峰值
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550 600 650 700 750 800 850 900
波长 - 纳米
图传感器6.相对光谱响应。
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