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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4093B
四路2输入与非施密特
TRIGGER
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
描述
该HEF4093B由四个施密特触发器电路。
每个电路的功能与一个两输入与非门
在两个输入端施密特触发器动作。在登机口交换机
不同的点为正和负向的信号。
(Ⅴ正电压之间的差
P
)及
负电压(V
N
)被定义为滞后电压
(V
H
).
HEF4093B
图2钢钉图。
HEF4093BP ( N) :
HEF4093BD (F ) :
HEF4093BT (D):
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
( ) :封装标识北美
图3的逻辑图( 1栅极) 。
系列数据,我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
图1的功能框图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
DC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD
V
迟滞
电压
切换水平
正向
输入电压
负向
输入电压
5
10
15
5
10
15
5
10
15
V
N
V
P
V
H
符号
分钟。
0,4
0,6
0,7
1,9
3,6
4,7
1,5
3
4
典型值。
0,7
1,0
1,3
2,9
5,2
7,3
2,2
4,2
6,0
3,5
7
11
3,1
6,4
10,3
HEF4093B
马克斯。
V
V
V
V
V
V
V
V
V
Fig.5
图4的传输特性。
波形显示的定义
V
P
, V
N
和V
H
;其中,V
N
和V
P
的30 %和70%范围之间。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
O
n
前高后低
从低到高
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
符号
典型值。
90
40
30
85
40
30
60
30
20
60
30
20
马克斯。
185纳秒
80纳秒
60纳秒
170纳秒
80纳秒
60纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
HEF4093B
典型的外推
公式
63纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
58纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1300 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6400 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
18 700 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
HEF4093B
Fig.6
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4093B
四路2输入与非施密特
TRIGGER
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
描述
该HEF4093B由四个施密特触发器电路。
每个电路的功能与一个两输入与非门
在两个输入端施密特触发器动作。在登机口交换机
不同的点为正和负向的信号。
(Ⅴ正电压之间的差
P
)及
负电压(V
N
)被定义为滞后电压
(V
H
).
HEF4093B
图2钢钉图。
HEF4093BP ( N) :
HEF4093BD (F ) :
HEF4093BT (D):
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
( ) :封装标识北美
图3的逻辑图( 1栅极) 。
系列数据,我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
图1的功能框图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
DC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD
V
迟滞
电压
切换水平
正向
输入电压
负向
输入电压
5
10
15
5
10
15
5
10
15
V
N
V
P
V
H
符号
分钟。
0,4
0,6
0,7
1,9
3,6
4,7
1,5
3
4
典型值。
0,7
1,0
1,3
2,9
5,2
7,3
2,2
4,2
6,0
3,5
7
11
3,1
6,4
10,3
HEF4093B
马克斯。
V
V
V
V
V
V
V
V
V
Fig.5
图4的传输特性。
波形显示的定义
V
P
, V
N
和V
H
;其中,V
N
和V
P
的30 %和70%范围之间。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
O
n
前高后低
从低到高
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
符号
典型值。
90
40
30
85
40
30
60
30
20
60
30
20
马克斯。
185纳秒
80纳秒
60纳秒
170纳秒
80纳秒
60纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
HEF4093B
典型的外推
公式
63纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
58纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1300 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6400 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
18 700 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
HEF4093B
Fig.6
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
1995年1月
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HEC4093B
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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