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首字符H的型号第337页
> HEC4093B
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4093B
门
四路2输入与非施密特
TRIGGER
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
描述
该HEF4093B由四个施密特触发器电路。
每个电路的功能与一个两输入与非门
在两个输入端施密特触发器动作。在登机口交换机
不同的点为正和负向的信号。
(Ⅴ正电压之间的差
P
)及
负电压(V
N
)被定义为滞后电压
(V
H
).
HEF4093B
门
图2钢钉图。
HEF4093BP ( N) :
HEF4093BD (F ) :
HEF4093BT (D):
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
( ) :封装标识北美
图3的逻辑图( 1栅极) 。
系列数据,我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
图1的功能框图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
DC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD
V
迟滞
电压
切换水平
正向
输入电压
负向
输入电压
5
10
15
5
10
15
5
10
15
V
N
V
P
V
H
符号
分钟。
0,4
0,6
0,7
1,9
3,6
4,7
1,5
3
4
典型值。
0,7
1,0
1,3
2,9
5,2
7,3
2,2
4,2
6,0
3,5
7
11
3,1
6,4
10,3
HEF4093B
门
马克斯。
V
V
V
V
V
V
V
V
V
Fig.5
图4的传输特性。
波形显示的定义
V
P
, V
N
和V
H
;其中,V
N
和V
P
是
的30 %和70%范围之间。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
从低到高
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
符号
典型值。
90
40
30
85
40
30
60
30
20
60
30
20
马克斯。
185纳秒
80纳秒
60纳秒
170纳秒
80纳秒
60纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
HEF4093B
门
典型的外推
公式
63纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
58纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1300 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6400 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
18 700 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
∑
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
HEF4093B
门
Fig.6
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料,也请下载:
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF , HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF , HEC
HEF4093B
门
四路2输入与非施密特
TRIGGER
产品speci fi cation
在集成电路, IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
描述
该HEF4093B由四个施密特触发器电路。
每个电路的功能与一个两输入与非门
在两个输入端施密特触发器动作。在登机口交换机
不同的点为正和负向的信号。
(Ⅴ正电压之间的差
P
)及
负电压(V
N
)被定义为滞后电压
(V
H
).
HEF4093B
门
图2钢钉图。
HEF4093BP ( N) :
HEF4093BD (F ) :
HEF4093BT (D):
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷( CERDIP )
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
( ) :封装标识北美
图3的逻辑图( 1栅极) 。
系列数据,我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
图1的功能框图。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
DC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD
V
迟滞
电压
切换水平
正向
输入电压
负向
输入电压
5
10
15
5
10
15
5
10
15
V
N
V
P
V
H
符号
分钟。
0,4
0,6
0,7
1,9
3,6
4,7
1,5
3
4
典型值。
0,7
1,0
1,3
2,9
5,2
7,3
2,2
4,2
6,0
3,5
7
11
3,1
6,4
10,3
HEF4093B
门
马克斯。
V
V
V
V
V
V
V
V
V
Fig.5
图4的传输特性。
波形显示的定义
V
P
, V
N
和V
H
;其中,V
N
和V
P
是
的30 %和70%范围之间。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
从低到高
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
符号
典型值。
90
40
30
85
40
30
60
30
20
60
30
20
马克斯。
185纳秒
80纳秒
60纳秒
170纳秒
80纳秒
60纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
HEF4093B
门
典型的外推
公式
63纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
58纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
29纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1300 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6400 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
18 700 f
i
+ ∑(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
∑
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非施密特触发器
HEF4093B
门
Fig.6
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
1995年1月
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HG4115/012-H1C6
HFA3128B
HDSP-4601-IG500
HDSP-4606-IL500
H/MSA3102A18-10PCX-D
HM5113805FLTD-6
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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QQ:2881677436
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联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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