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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4025B
门
三路3输入NOR门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三路3输入NOR门
描述
该HEF4025B提供正三重3输入NOR
功能。输出是完全缓冲的最高噪音
输出阻抗的免疫力和模式不敏感。
HEF4025B
门
图2钢钉图。
HEF4025BP （ N） ：
HEF4025BD （F ） ：
HEF4025BT （D）：
图1的功能框图。
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三路3输入NOR门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
70
25
20
60
25
15
60
30
20
60
30
20
135
55
40
120
50
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF4025B
门
典型的外推
公式
43纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
33纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
7纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD 2
4000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD 2
10 900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD 2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
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