添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第615页 > HEC40106B
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF40106B
门
六角反相施密特触发器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
描述
的HEF40106B功能的各电路作为逆变器
与施密特触发器动作。施密特触发器的开关频率为
不同的点为正和负向输入
信号。的正向电压之间的差
(V
P
）和负向电压（V
N
）被定义为
滞后电压（V
H
).
这个设备可以用于增强抗扰度或
以“方达”慢慢改变波形。
HEF40106B
门
图2钢钉图。
HEF40106BP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF40106BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF40106BT （D）： 14引线SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图3逻辑图（一台变频器） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
DC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD
V
迟滞
电压
切换水平
正向
输入电压
负向
输入电压
5
10
15
5
10
15
5
10
15
V
N
V
P
V
H
符号
分钟。
0,5
0,7
0,9
2
3,7
4,9
1,5
3
4
典型值。
0,8
1,3
1,8
3,0
5,8
8,3
2,2
4,5
6,5
HEF40106B
门
马克斯。
V
V
V
3,5
7
11
3
6,3
10,1
V
V
V
V
V
V
Fig.5
图4的传输特性。
波形显示的定义
V
P
, V
N
和V
H
其中V
N
和V
P
是
的30 ％和70％范围之间。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
90
35
30
75
35
30
60
30
20
60
30
20
180
70
60
150
70
60
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF40106B
门
典型的外推
公式
63纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
48纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
2 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
9 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
HEF40106B
门
Fig.6
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF40106B
门
六角反相施密特触发器
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
描述
的HEF40106B功能的各电路作为逆变器
与施密特触发器动作。施密特触发器的开关频率为
不同的点为正和负向输入
信号。的正向电压之间的差
(V
P
）和负向电压（V
N
）被定义为
滞后电压（V
H
).
这个设备可以用于增强抗扰度或
以“方达”慢慢改变波形。
HEF40106B
门
图2钢钉图。
HEF40106BP （ N） ： 14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
HEF40106BD （ F）：在14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
HEF40106BT （D）： 14引线SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图3逻辑图（一台变频器） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
DC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD
V
迟滞
电压
切换水平
正向
输入电压
负向
输入电压
5
10
15
5
10
15
5
10
15
V
N
V
P
V
H
符号
分钟。
0,5
0,7
0,9
2
3,7
4,9
1,5
3
4
典型值。
0,8
1,3
1,8
3,0
5,8
8,3
2,2
4,5
6,5
HEF40106B
门
马克斯。
V
V
V
3,5
7
11
3
6,3
10,1
V
V
V
V
V
V
Fig.5
图4的传输特性。
波形显示的定义
V
P
, V
N
和V
H
其中V
N
和V
P
是
的30 ％和70％范围之间。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
90
35
30
75
35
30
60
30
20
60
30
20
180
70
60
150
70
60
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF40106B
门
典型的外推
公式
63纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
48纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
24纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
2 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
9 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
HEF40106B
门
Fig.6
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.7
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.8
典型的漏电流作为输入的函数
电压; V
DD
= 15 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
1995年1月
5
查看更多HEC40106BPDF信息
推荐型号
HCPL-3100-300E
HM70201R530LFTR13
HDSP-B02G-00000
HYB25S128800TEL-3
HDSP-G113-0D000
HDSP-B06G-M0000
HDSP-7621-BE100
HDSP-0884-AF300
HYMP112S64CP6-S6
HEF4512B
HD74BC563A
HSCMRRN001PDAA5
HA-5104/883
HC4-HL-AC240V
HDSP-316E-KM000
HD4074224FP04
HY5PS1G831CLFP-Y5
HC6856/1PVRZT
HDSP-G413-CC000
H11A617B.S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HEC40106B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HEC40106B
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9055
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多HEC40106B供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！