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HD74HCT1G66
模拟开关
REJ03D0197–0700Z
(上ADE - 205-308E ( Z) )
Rev.7.00
Jan.29.2004
描述
该HD74HCT1G66是采用硅栅CMOS工艺的高速CMOS模拟开关。随着CMOS
功耗低,它提供了高的速度。该器件具有低导通电阻为好转移
特性,可以采取宽范围的输入电压。
特点
基本门功能一字排开,为瑞萨单向逻辑系列。
提供的浮雕录音的高速自动安装。
控制输入为TTL兼容的输入电平。
电源电压范围: 4.5 5.5 V
工作温度范围: -40 + 85°C
|I
OH
| = I
OL
= 2 MA(分钟)
订购信息
部件名称
套餐类型
封装代码
CMPAK-5V
缩写
CM
大坪缩写
(数量)
E( 3000个/卷)
HD74HCT1G66CME CMPAK - 5针
Rev.7.00 , Jan.29.2004 ,页8 1
HD74HCT1G66
大纲和指示条
HD74HCT1G66
指数波段
记号
F
9
CMPAK-5
=控制代码
功能表
控制
L
H
H:高层
L:低电平
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
开关
关闭
ON
管脚配置
输入/输出1
5
V
CC
OUT / IN 2
GND
3
4控制
( TOP VIEW )
Rev.7.00 , Jan.29.2004 , 8个2页
HD74HCT1G66
绝对最大额定值
电源电压范围
输入电压范围*
1
输出电压范围*
1, 2
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
通过连续电流
V
CC
或GND
最大功率耗散
3
在TA = 25 ° C(在静止空气中) *
储存温度
注意事项:
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
还是我
GND
P
T
TSTG
评级
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±20
±20
±25
±25
200
-65到150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
输出: H或L
V
I
& LT ; 0或V
I
& GT ; V
CC
V
O
& LT ; 0或V
O
& GT ; V
CC
V
O
= 0至V
CC
测试条件
绝对最大额定值是价值观,它不能单独被超过,而且
此外,任何两个,其中可以同时实现。
1.输入和输出电压的评分可以在输入和输出钳位电流超过
评级观察。
2.该值被限制为5.5 V,最大。
3.最大包装功耗,使用150 ℃的结温进行计算。
推荐工作条件
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
输入的上升/下降时间
(控制输入0.3 V至2.7 V )
工作温度
符号
V
CC
V
I
V
I / O
t
r
, t
f
Ta
4.5
0
0
0
–40
最大
5.5
5.5
V
CC
500
85
单位
V
V
V
ns
°C
V
CC
= 4.5 5.5 V
测试条件
注:未使用的或浮动的控制输入必须保持高电平或低电平。
Rev.7.00 , Jan.29.2004 , 8第3页
HD74HCT1G66
电气特性
V
CC
输入电压
Symbl
V
IH
V
IL
抗性
R
ON
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
TA = 25°C
2.0
典型值
90
最大
0.8
160
TA = -40 85°C
2.0
最大
0.8
180
单位
V
测试条件
只有控制输入
V
C
= V
IH
V
IN
= V
CC
或GND
I
T
= 1毫安
V
C
= V
IH
V
IN
= 0至V
CC
I
IN / OUT
= 1毫安
V
C
= V
IL
V
IN
= V
CC
, V
OUT
= GND
或V
IN
= GND ,
V
OUT
= V
CC
V
C
= V
IH
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
V
C
= 2.4 V,
V
IN
(开关) = V
CC
or
GND
山顶上
阻力
漏电流
R
ON
(p)
125
200
250
I
S
(关闭)
±0.1
±1.0
A
I
S
(上)
输入电流
操作
当前
电源电流
I
IN
I
CC
I
CCT
5.5
5.5
5.5
5.5
±0.1
±0.1
1.0
2.0
±1.0
±1.0
10.0
2.9
A
A
A
mA
Rev.7.00 , Jan.29.2004 , 8个4页
HD74HCT1G66
开关特性
V
CC
传播延迟时间
输出使能时间
输出禁止时间
最大控制
频率
控制输入
电容
开关I / O容量
馈通
电容
功耗
电容
C
IN
C
IN / OUT
C
IN-OUT
C
PD
Symbl
t
PLH
,
t
PHL
t
ZH
, t
ZL
t
HZ
, t
LZ
(V)
4.5
4.5
4.5
4.5
TA = 25°C
典型值
4
10
14
30
2.5
2.5
0.5
5
最大
10
23
23
5
TA = -40 85°C
TEST
单位
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
pF
pF
条件
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
R
L
= 1 k
最大
13
29
29
5
测试电路
R
ON
V
CC
V
C
= V
IH
V
CC
V
IN
= V
CC
(上)
GND
V
OUT
R
ON
=
V
IN-OUT
10
–3
()
+
1.0毫安
V
V
IN-OUT
Rev.7.00 , Jan.29.2004 , 8 5页
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