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硅平面
高速开关二极管
I
HD2A
HD3A
HD4A
1
绝对最大额定值
参数
符号
价值
单位
连续
反向电压
正向电流
功耗在
T
AMB
= 25°C
工作和存储温度范围
V
R
I
F
P
吨吨
75
100
V
mA
mW
o
TJ ： TSTG
330
-55
+ 1 5 0
c
电气特性（在T
j
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
正向电压
反向电流
总电容
反向恢复时间
符号
分钟。
马克斯。
单位
条件
V
BR
85
0.5
0.715
1.0
1.0
60
4
典型值。
V
V
I
R
= 100A
l
F
= 1米
l
F
= 1 0微米的
V
R
= 7 5 V
o
V
R
= 75V ，T
J
= 1 2 5 C
V
R
= O ， F = lMHz
V
F
I
R
C
T
t
rr
v
A
A
pF
6
ns
I
F
=
l0mA ，我
R
= 10毫安
I
rr
= 1毫安
硅平面
高速开关二极管
I
HD2A
HD3A
HD4A
1
绝对最大额定值
参数
符号
价值
单位
连续
反向电压
正向电流
功耗在
T
AMB
= 25°C
工作和存储温度范围
V
R
I
F
P
吨吨
75
100
V
mA
mW
o
TJ ： TSTG
330
-55
+ 1 5 0
c
电气特性（在T
j
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
正向电压
反向电流
总电容
反向恢复时间
符号
分钟。
马克斯。
单位
条件
V
BR
85
0.5
0.715
1.0
1.0
60
4
典型值。
V
V
I
R
= 100A
l
F
= 1米
l
F
= 1 0微米的
V
R
= 7 5 V
o
V
R
= 75V ，T
J
= 1 2 5 C
V
R
= O ， F = lMHz
V
F
I
R
C
T
t
rr
v
A
A
pF
6
ns
I
F
=
l0mA ，我
R
= 10毫安
I
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= 1毫安
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