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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第997页 > HD1F3P
数据表
复合晶体管
HD1系列
片上电阻NPN硅外延晶体管
对于中速开关
特点
大电流驱动IC等的输出和可用的驱动器
片上偏置电阻
驱动器在低功耗
封装图（单位：mm ）
HD1系列LISTS
制品
HD1A3M
HD1F3P
HD1L3N
HD1A4M
HD1L2Q
HD1F2Q
HD1A4A
记号
LP
LQ
LR
LS
LT
LU
LX
R
1
(K)
1.0
2.2
4.7
10
0.47
0.22
R
2
(K)
1.0
10
10
10
4.7
2.2
10
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
**
T
j
T
英镑
评级
80
60
10
1.0
2.0
0.02
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
* PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
**当0.7毫米
×
16厘米陶瓷板用于
2
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16182EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
HD1系列
HD1A3M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.4 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
0.7
0.7
1.0
1.0
80
200
200
0.35
0.3
1.3
1.3
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
HD1F3P
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.3 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
1.54
7
200
300
200
630
780
430
0.12
0.5
2.2
10
0.3
0.3
2.86
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
HD1L3N
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.2 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
3.29
7
4.7
10
200
300
200
0.2
0.3
6.11
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
2
数据表D16182EJ2V0DS
HD1系列
HD1A4M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
7
7
10
10
200
300
200
0.2
0.3
13
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
HD1L2Q
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.8 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
329
3.29
470
4.7
200
300
200
0.5
0.3
611
6.11
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
HD1F2Q
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
V
IN
= 5.0 V，I
C
= 0.8 A
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
154
1.54
220
2.2
100
300
200
0.5
0.3
286
2.86
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
数据表D16182EJ2V0DS
3
HD1系列
HD1A4A
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
CE （ SAT ）
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 1.0 A
I
C
= 0.7 A，I
B
= 7毫安
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
7
200
300
200
630
780
430
0.25
0.5
10
0.4
0.3
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
4
数据表D16182EJ2V0DS
HD1系列
典型特征（T
a
= 25°C)
°
数据表D16182EJ2V0DS
5
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HDSP-5103-II000
HIR234C
HDSP-703G-KH200
HCTS160DMSR
HYM322160GS-70
HD74ACT161
HE6HWPR/05
HF2429/S072C
HYS64V16220GDL
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NEC
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电话：0755-82865294/82517859
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