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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第835页 > HCTS85HMSR
HCTS85MS
1995年9月
抗辐射
4位数值比较器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式金属硬密封包装
( SBDIP ) MIL - STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
B3 1
( A<B )2
( A = B )3
( A>B )4
( A<B ) 5
( A = B) OUT 6
( A>B ) OUT 7
GND 8
16 VCC
15 A3
14 B2
13 A2
12 A1
11 B1
10 A0
9 B0
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率爆冷>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出: 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
-VIL = 0.8V最大
-VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
描述
Intersil的HCTS85MS是一种抗辐射的4位高
速度数值比较。该器件比较两个
二进制, BCD ,或其他单调的代码,并提出了
三种可能的结果,幅度在输出端( A>B , A<B ,
和A = B) 。 4位输入字被加权(A0至A3和
B0至B3 ),其中A3和B3是最显着的位。
该HCTS85MS进行扩展,无需外部门控,无论是
串行和并行操作。
该HCTS85MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列
与TTL兼容的输入。
该HCTS85MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
( FLATPACK ) MIL - STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
B3
( A<B )的
( A = B )的
( A>B )的
( A<B ) OUT
( A = B) OUT
( A>B ) OUT
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A3
B2
A2
A1
B1
A0
B0
订购信息
产品型号
HCTS85DMSR
HCTS85KMSR
HCTS85D/Sample
HCTS85K/Sample
HCTS85HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
1
518624
3059.1
HCTS85MS
功能框图
B3
1
B3
15
A3
A3
A3
B2
14
B2
13
A2
A2
A2
B1
11
B1
12
A1
4
( A>B )
IN
B0
9
B0
10
A0
A0
A0
3
( A = B)
IN
2
( A<B )
IN
A1
B1
A3
B3
A2
B2
5
( A>B )
OUT
B0
A1
A1
B0
A0
B0
A0
B1
6
( A = B)
OUT
B2
B3
A2
B2
A3
B3
A1
B1
7
( A<B )
OUT
INPUTS模式对比
A3,B3
A3>B3
A3<B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A2,B2
X
X
A2>B2
A2<B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A1,B1
X
X
X
X
A1>B1
A1<B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A0,B0
X
X
X
X
X
X
A0>B0
A0<B0
A0=B0
A0=B0
A0=B0
A0=B0
A0=B0
A0=B0
真值表
级联输入
A>B
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
X
H
L
A<B
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
L
X
H
L
A-B
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
L
A>B
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
L
H
输出
A<B
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
H
A-B
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
并行CASCADING
单设备
OR
一系列级联
注: L =逻辑低电平, H =逻辑高电平, X =非物质
规格编号
2
518624
特定网络阳离子HCTS85MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。 。 。最大为500ns 。
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
3
518624
特定网络阳离子HCTS85MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
亿至( A>B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
一,BN为( A<B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
一,BN为(A = B) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
一,BN为( A>B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
( A>B中)以
( A>B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
( A = B ),就可以
( A = B) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
( A<B中)以
( A<B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
36
43
57
66
45
51
42
50
29
35
34
39
28
37
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
一个以( A>B ) OUT
符号
的TPH1 ,
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
TTHL ,
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
最大
39
92
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
规格编号
4
518624
特定网络阳离子HCTS85MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V , (注3 )
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.750
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
一个以( A>B ) OUT
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
+25
o
C
2
43
ns
亿至( A>B ) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
66
ns
一,BN为( A<B ) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
51
ns
一,BN为(A = B) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
50
ns
( A<B )至( A<B ) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
35
ns
( A>B )至( A>B ) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
40
ns
( A = B)中,以(A = B) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
37
ns
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
5
518624
TM
HCTS85MS
抗辐射
4位数值比较器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式金属硬密封包装
( SBDIP ) MIL - STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
B3 1
( A<B )2
( A = B )3
( A>B )4
( A<B ) 5
( A = B) OUT 6
( A>B ) OUT 7
GND 8
16 VCC
15 A3
14 B2
13 A2
12 A1
11 B1
10 A0
9 B0
1995年9月
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率爆冷>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出: 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
-VIL = 0.8V最大
-VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
描述
Intersil的HCTS85MS是一种抗辐射的4位高
速度数值比较。该器件比较两个
二进制, BCD ,或其他单调的代码,并提出了
三种可能的结果,幅度在输出端( A>B , A<B ,
和A = B) 。 4位输入字被加权(A0至A3和
B0至B3 ),其中A3和B3是最显着的位。
该HCTS85MS进行扩展,无需外部门控,无论是
串行和并行操作。
该HCTS85MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列
与TTL兼容的输入。
该HCTS85MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
( FLATPACK ) MIL - STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
B3
( A<B )的
( A = B )的
( A>B )的
( A<B ) OUT
( A = B) OUT
( A>B ) OUT
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
A3
B2
A2
A1
B1
A0
B0
订购信息
产品型号
HCTS85DMSR
HCTS85KMSR
HCTS85D/Sample
HCTS85K/Sample
HCTS85HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
规格编号
1
518624
FN3059.1
HCTS85MS
功能框图
B3
1
B3
15
A3
A3
A3
B2
14
B2
13
A2
A2
A2
B1
11
B1
12
A1
4
( A>B )
IN
B0
9
B0
10
A0
A0
A0
3
( A = B)
IN
2
( A<B )
IN
A1
B1
A3
B3
A2
B2
5
( A>B )
OUT
B0
A1
A1
B0
A0
B0
A0
B1
6
( A = B)
OUT
B2
B3
A2
B2
A3
B3
A1
B1
7
( A<B )
OUT
INPUTS模式对比
A3,B3
A3>B3
A3<B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A3=B3
A2,B2
X
X
A2>B2
A2<B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A2=B2
A1,B1
X
X
X
X
A1>B1
A1<B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A1=B1
A0,B0
X
X
X
X
X
X
A0>B0
A0<B0
A0=B0
A0=B0
A0=B0
A0=B0
A0=B0
A0=B0
真值表
级联输入
A>B
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
X
H
L
A<B
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
L
X
H
L
A-B
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
L
L
A>B
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
L
H
输出
A<B
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
L
L
H
A-B
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
并行CASCADING
单设备
OR
一系列级联
注: L =逻辑低电平, H =逻辑高电平, X =非物质
规格编号
2
518624
特定网络阳离子HCTS85MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
o
C / W
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
最大封装功耗为125 C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供
散热或者降额直线从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。 。 。最大为500ns 。
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
3
518624
特定网络阳离子HCTS85MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
亿至( A>B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
一,BN为( A<B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
一,BN为(A = B) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
一,BN为( A>B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
( A>B中)以
( A>B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
( A = B ),就可以
( A = B) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
( A<B中)以
( A<B ) OUT
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
36
43
57
66
45
51
42
50
29
35
34
39
28
37
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
一个以( A>B ) OUT
符号
的TPH1 ,
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
TTHL ,
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
最大
39
92
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
规格编号
4
518624
特定网络阳离子HCTS85MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V , (注3 )
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.750
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
一个以( A>B ) OUT
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
+25
o
C
2
43
ns
亿至( A>B ) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
66
ns
一,BN为( A<B ) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
51
ns
一,BN为(A = B) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
50
ns
( A<B )至( A<B ) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
35
ns
( A>B )至( A>B ) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
40
ns
( A = B)中,以(A = B) OUT
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
37
ns
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
5
518624
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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