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HCTS75MS
1995年9月
抗辐射
双路2位双稳态透明锁存器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
Q0 1
D0 1
D1 1
E 2
VCC
D0 2
D1 2
Q1 2
1
2
3
4
5
6
7
8
16 1 Q0
15 1 Q1
14 1 Q1
13 1 E
12
11
GND
2 Q0
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/位天
(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
- VIL = 0.8V最大
- VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
10 2 Q0
9
2 Q1
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
( FLATPACK ) MIL - STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
Q0 1
D0 1
D1 1
E 2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1 Q0
1 Q1
1 Q1
1 E
GND
2 Q0
2 Q0
2 Q1
描述
Intersil的HCTS75MS是抗辐射的双2位
双稳态透明锁存器。每两个闩锁的控制
通过一个独立的使能输入端(E ),它们是活性低。 ê低锁存器
输出状态。
该HCTS75MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。此设备是辐射中的一员
化硬化,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCTS75MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
VCC
D0 2
D1 2
Q1 2
工作原理图
2(6)
D0
13(4)
E
LATCH 0
16(10
D
LE
Q
LE
1(11
订购信息
14(8
部分
HCTS75DMSR
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C
+125
o
C
筛选
水平
Intersil的类
s等效
Intersil的类
s等效
样品
16铅SBDIP
3(7)
D1
5
12
VCC
GND
LE
D
LE
15(9
Q
锁存器1
HCTS75KMSR
to
16引脚陶瓷
扁平
16铅SBDIP
真值表
输入
D
E
H
H
L
Q
L
H
Q0
输出
Q
H
L
Q0
HCTS75D/
样品
HCTS75K/
样品
HCTS75HMSR
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
样品
16引脚陶瓷
扁平
DIE
L
H
DIE
X
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
470
518625
3189.1
特定网络阳离子HCTS75MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。 。为100ns / V最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
VIL = 0.8V , IOL = 50μA
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V , IOL = 50μA
输出电压高
VOH
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
VIL = 0.8V , IOH = -50μA
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V , IOH = -50μA
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
20
400
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
-
0.1
V
1, 2, 3
VCC -0.1
-
V
1, 2, 3
VCC -0.1
-
V
1
2, 3
-0.5
-5.0
-
+0.5
+5.0
-
A
A
V
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
471
518625
特定网络阳离子HCTS75MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
19
24
27
35
23
29
19
22
21
25
20
23
24
29
28
34
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
D到Q
符号
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V ,
VIL = 0V
的TPH1
传播延迟
D到Q
TPLH
的TPH1
传播延迟
E至Q
TPLH
的TPH1
传播延迟
E至Q
TPLH
的TPH1
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.测量与RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3ns的制作。
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
脉冲宽度时间
TW
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VIL = 0.0V
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VIL = 0.0V
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VIL = 0.0V
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VIL = 0.0V
1
1
1
1
1
1
1
1
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
36
51
10
10
16
24
12
18
12
18
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
建立时间
TSU
保持时间
TH
输出转换
时间
注意:
TTHL ,
tTLH
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
规格编号
472
518625
特定网络阳离子HCTS75MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
电源电流
输出电流
(汇)
输出电流
(来源)
输出电压低
符号
ICC
IOL
(注1 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = VIH = 4.5V , VOUT = 0.4V , VIL = 0V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.4
-
单位
mA
mA
IOH
VCC = VIH = 4.5V , VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V , VIL = 0.8V ,
IOL = 50μA
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V , VIL = 0.8V ,
IOL = 50μA
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V , VIL = 0.8V ,
IOH = -50μA
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V , VIL = 0.8V ,
IOH = -50μA
+25
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-5
-
V
+25
o
C
-
V
输入漏
当前
噪声抗扰度
功能测试
传播延迟
D到Q
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
+25
o
C
+5
A
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V , VIL = 0.8V ,
(注3)
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V , VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V , VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V , VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V , VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V , VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V , VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V , VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.0V , VIL = 0V
+25
o
C
-
-
的TPH1
TPLH
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
35
24
22
29
23
25
34
29
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
传播延迟
D到Q
的TPH1
TPLH
传播延迟
E至Q
的TPH1
TPLH
传播延迟
E至Q
的TPH1
TPLH
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5. BURN -IN和运行寿命DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
±6A
0小时-15 %
规格编号
473
518625
特定网络阳离子HCTS75MS
表6.适用子群
合规组
初步测试(预燃式)
临时测试
I
(烧伤后)个
临时测试
II
(烧伤后)个
PDA
临时测试
III
(烧伤后)个
PDA
最终测试
A组(注1 )
B组
B亚组-5-
B亚组-6-
D组
注意事项:
1.备用组符合MIL -STD- 883方法5005一检查,可以行使。
只有2表5的参数。
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Sample/5005
Sample/5005
Sample/5005
Sample/5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
1, 7, 9
1, 7, 9
子群1 ,2,3 ,9,10 ,11,
(注2 )
ICC , IOL / H
读取并记录
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
表7.总剂量辐射
一致性
群体
E组小组2
注意:
1.除将进行100 % GO / NO - FN去测试。
TEST
5005
预拉德
1, 7, 9
POST RAD
表4
读取并记录
预拉德
1, 9
POST RAD
表4 (注1 )
表8.静态和动态BURN -IN测试连接
振荡器
开放
1/2 VCC = 3V
±
0.5V
VCC = 6V
±
0.5V
50kHz
25kHz
静态BURN- IN I的测试连接(注1 )
1, 8, 9, 10, 11, 14, 15, 16
2, 3, 4, 6, 7, 12, 13
-
5
-
-
静态老化II测试连接(注1 )
1, 8, 9, 10, 11, 14, 15, 16
12
-
2, 3, 4, 5, 6, 7, 13
-
-
动态BURN -IN测试连接(注2 )
-
注意事项:
1.除VCC和GND每个引脚将有10K的电阻
±
对于静态老化5%
2.除VCC和GND每个引脚将有1KΩ的电阻
±
对于动态老化5%
12
1, 8, 9, 10, 11, 14, 15, 16
5
4, 13
2, 3, 6, 7
表9.辐照测试连接
开放
1, 8, 9, 14, 15, 16
12
VCC = 5V
±
0.5V
2, 3, 4, 5, 6, 7, 10, 11, 13
注:除VCC和GND每个引脚将有47KΩ的电阻
±
辐照试验5 % 。组
E,小组2 ,样本大小为4骰子/晶圆0故障。
规格编号
474
518625
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCTS75D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HCTS75D
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9013
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