特定网络阳离子HCTS540MS
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流，任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
（所有电压参考的VSS终端）
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温（Tj ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
72
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107
o
C / W 28
o
C / W
在125的最大封装功耗
o
C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.69W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.47W
如果设备功率超过封装散热能力，提供热
下沉或线性降额从以下速率：
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.9mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.3mW /
o
C
注意：与所有半导体，强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备（一次一个），而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入上升和下降时间在4.5V VCC （ TR ， TF ） 。 。 。 。 。 。最大为500ns 。
输入低电压（ VIL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压（ VIH ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1. DC电性能等特点
组
一分
群体
1
2, 3
输出电流
（汇）
IOL
VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，
VOUT = 0.4V ， VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
（来源）
IOH
VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，
VOUT = VCC - 0.4V ，
VIL = 0V
1
2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
民
-
-
7.2
6.0
-7.2
-6.0
最大
40
750
-
-
-
-
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
参数
静态电流
符号
ICC
（注1 ）
条件
VCC = 5.5V ，
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
VCC = 4.5V ， VIH = 2.25V ，
IOL = 50μA ， VIL = 0.8V
VCC = 5.5V ， VIH = 2.75V ，
IOL = 50μA ， VIL = 0.8V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V ， VIH = 2.25V ，
IOH = -50μA ， VIL = 0.8V
VCC = 5.5V ， VIH = 2.75V ，
IOH = -50μA ， VIL = 0.8V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V ， VIN = VCC或
GND
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
±1
±50
-
A
A
A
A
-
三态输出
漏电流
IOZ
VCC = 5.5V ，电压的应用
年龄= 0V或VCC
1
2, 3
噪声抗扰度
功能测试
注意事项：
FN
VCC = 4.5V ， VIH = 2.25V ，
VIL = 0.8V （注2 ）
7，图8A ，8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试， VO
≥
4.0V被识别为逻辑“1” ，和VO
≤
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
3
518631
QQ：2881677436 复制
