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HCTS390MS
1995年9月
抗辐射
双十年纹波计数器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16
顶视图
CP0N 1 1
MR 1 2
Q0 1 3
CP1N 1 4
Q1 1 5
16 VCC
15 CP0N 2
14 MR 2
13 Q0 2
12 CP1N 2
11 Q1 2
10 Q2 2
9 Q3 2
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围:-55
o
C
Q2 1 6
to
+125
o
C
Q3 1 7
GND 8
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
- VIL = 0.8V最大
- VIH = 2.0V最小
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F16
顶视图
CP0N 1
MR 1
Q0 1
CP1N 1
Q1 1
Q2 1
Q3 1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
CP0N 2
MR 2
Q0 2
CP1N 2
Q1 2
Q2 2
Q3 2
描述
Intersil的HCTS390MS是一种抗辐射双
十年脉动计数器。
该HCTS390MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCTS390MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
订购信息
产品型号
HCTS390DMSR
HCTS390KMSR
HCTS390D/Sample
HCTS390K/Sample
HCTS390HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
662
518634
2476.2
DB NA
HCTS390MS
工作原理图
4(12)
nCP1
1(15)
nCP0
2(14)
NMR
φ
R
Q
φ
R
Q
φ
R
Q
φ
R
Q
3(13)
nQ0
5(11)
nQ1
6(10)
nQ2
7(9)
nQ3
真值表
输入
CP
MR
L
L
H
H =高电平
L =低逻辑电平
X =非物质
=低到高
=高到低
H
行动
没有变化
所有Qs的低
规格编号
663
518634
特定网络阳离子HCTS390MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
(标准驱动程序)
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V (标准驱动程序)
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电流
(来源)
IOH
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.80V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
664
518634
特定网络阳离子HCTS390MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
CP1Nn到Q1N
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
CP1Nn到Q2n
VCC = 4.5V
9
10, 11
CP1Nn到Q3n
VCC = 4.5V
9
10, 11
先生量子神经网络
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
22
27
29
35
34
41
29
35
23
29
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
CP0N到Q0n
符号
的TPH1
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1, 2, 3
1, 2, 3
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1, 2, 3
1, 2, 3
输出转换
时间
最大工作
频率
脉冲宽度CP0Nn ,
CP1Nn
脉冲宽度复位
TTHL
tTLH
FMAX
VCC = 4.5V
1, 2, 3
1, 2, 3
VCC = 4.5V
1, 2, 3
1, 2, 3
TW
VCC = 4.5V
1, 2, 3
1, 2, 3
TW
VCC = 4.5V
1, 2, 3
1, 2, 3
拆除时间
RESET
注意事项:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
2.适用于DIC封装器件。
3.适用于扁平封装器件。
TREM
VCC = 4.5V
1, 2, 3
1, 2, 3
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
15
22
13
20
15
22
最大
50
56
10
10
15
22
27
18
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
665
518634
特定网络阳离子HCTS390MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.80V , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.80V , IOL = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V , VIL = 0.80V ,
(注3)
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
CP0Nn到Q0n
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
+25
o
C
2
27
ns
CP1Nn到Q1N
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
35
ns
CP1Nn到Q2n
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
41
ns
CP1Nn到Q3n
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
35
ns
MR到Qn
注意事项:
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
29
ns
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
666
518634
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCTS390D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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