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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第325页 > HCTS299KMSR
TM
HCTS299MS
抗辐射
8位通用移位寄存器;三态
引脚配置
20引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T20
顶视图
S0
OE1
OE2
I/O6
I/O4
I/O2
I/O0
Q0
MR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 VCC
19 S1
18 DS7
17 Q7
16个I / O7
15 I / O5
14 I / O3
13个I / O1
12 CP
11 DS0
1995年8月
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率爆冷>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 总线驱动器输出: 15输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
-VIL = 0.8V最大
-VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
GND 10
描述
Intersil的HCTS299MS是一种抗辐射的8位移位/
存储寄存器具有三态总线接口功能。该
寄存器通过控制四同步工作模式
这两个选择输入( S0,S1 ) 。的模式选择中,串行
数据( DS0 , DS7 )和并行数据( IO0 - IO7 )响应
仅向低到时钟(CP)的脉冲的高电平的转换。 S0 ,
S1和输入的数据必须被1成立之前的时间段
在时钟上升沿。主复位( MR)是一个
异步低电平有效输入。
该HCTS299MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列
与TTL兼容的输入。
S0
OE1
OE2
I/O6
I/O4
I/O2
I/O0
Q0
MR
GND
20引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F20
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
S1
DS7
Q7
I/O7
I/O5
I/O3
I/O1
CP
DS0
订购信息
产品型号
HCTS299DMSR
HCTS299KMSR
HCTS299D/Sample
HCTS299K/Sample
HCTS299HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
DIE
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil公司美洲的商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002.版权所有
624
规格编号
518640
FN3069.1
HCTS299MS
功能框图
S1
20
19
DS7
18
标准
产量
Q7
17
总线的输出
I/O7
16
I/O5
15
I/O3
14
I/O1
13
CP
12
DS0
11
VCC
OE
OE
OE
OE
OE
OE
OE
OE
D7
CL
CL
Q
D
R
Q7
S1
S1
S0
Q
D
D5
CL
R
Q5
CL
Q
D
D3
CL
R
Q3
CL
Q
D
D1
CL
R
Q1
模式
SELECT
逻辑
CL
CL
CL
S0
OE
Q6
Q4
Q2
Q0
OE
CL
CL
D6
R
D
Q
CL
CL
D4
R
D
Q
CL
CL
D2
R
D
Q
CL
CL
D0
R
D
Q
OE
OE
OE
OE
OE
OE
OE
OE
GND
1
S0
2
OE1
3
OE2
4
I/O6
5
I/O4
6
I/O2
7
I/O0
8
9
10
总线的输出
Q0
MR
标准
产量
规格编号
625
518640
HCTS299MS
真值表
寄存器操作模式
输入
功能
复位(清)
右移
MR
L
H
H
左移
H
H
持有(做什么)
并行加载
H
H
H
CP
X
S0
X
h
h
l
l
l
h
h
S1
X
l
l
h
h
l
h
h
DS0
X
l
h
X
X
X
X
X
DS7
X
X
X
l
h
X
X
X
I /对
X
X
X
X
X
X
l
h
Q0
L
L
H
q1
q1
q0
L
H
寄存器输出
Q1
L
q0
q0
q2
q2
q1
L
H
...
...
...
...
...
...
...
...
...
Q6
L
q5
q5
q7
q7
q6
L
H
Q7
L
q6
Q6
L
H
q7
L
H
真值表
三态I / O端口工作模式
输入
功能
阅读注册
OE1
L
L
L
L
装入寄存器
禁用I / O
X
H
X
OE2
L
L
L
L
X
X
H
S0
L
L
X
X
H
X
X
S1
X
X
L
L
H
X
X
QN ( REGISTER )
L
H
L
H
QN = I /开
X
X
输入/输出
I / O0 。 。 。 I / O7
L
H
L
H
I /开=输入
Z
Z
H =安高压等级
L =低电压等级
X =非物质
Z =输出高阻态
H =输入电压高一个建立时间之前时钟转换
L =输入电压低一个建立时间之前时钟转换
=低到高的时钟跳变
QN =小写字母表示引用的输出一个建立时间之前时钟切换的国家
规格编号
626
518640
特定网络阳离子HCTS299MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
72
o
C / W
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107
o
C / W
28
o
C / W
o
最大封装功耗为125 C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.69W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.47W
如果设备功率超过封装散热能力,提供
散热或者降额直线从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.9mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.3mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 。最大为500ns
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
7.2
6.0
-7.2
-6.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
±1
±50
-
A
A
A
A
-
三态输出
漏电流
IOZ
施加的电压= 0V或
VCC , VCC = 5.5V
1
2, 3
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
627
518640
特定网络阳离子HCTS299MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
CLK为Q0 , Q7
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
MR到输出
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
OEN到输出
tpZH
VCC = 4.5V
9
10, 11
tPHZ
9
10, 11
tPZL
9
10, 11
tPLZ
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
28
32
30
34
32
36
23
25
25
27
30
34
30
34
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
CLK到I /开
符号
的TPH1 ,
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
TTHL ,
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
最大工作
频率
FMAX
VCC = 4.5V
1
1
建立时间DS0 ,
DS7 ,我上的/ CLK
TSU
VCC = 4.5V
1
1
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
20
30
最大
147
171
10
10
15
22
25
16
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
规格编号
628
518640
HCTS299MS
1995年8月
抗辐射
8位通用移位寄存器;三态
引脚配置
20引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T20
顶视图
S0
OE1
OE2
I/O6
I/O4
I/O2
I/O0
Q0
MR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 VCC
19 S1
18 DS7
17 Q7
16个I / O7
15 I / O5
14 I / O3
13个I / O1
12 CP
11 DS0
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率爆冷>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 总线驱动器输出: 15输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
-VIL = 0.8V最大
-VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
GND 10
描述
Intersil的HCTS299MS是一种抗辐射的8位移位/
存储寄存器具有三态总线接口功能。该
寄存器通过控制四同步工作模式
这两个选择输入( S0,S1 ) 。的模式选择中,串行
数据( DS0 , DS7 )和并行数据( IO0 - IO7 )响应
仅向低到时钟(CP)的脉冲的高电平的转换。 S0 ,
S1和输入的数据必须被1成立之前的时间段
在时钟上升沿。主复位( MR)是一个
异步低电平有效输入。
该HCTS299MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列
与TTL兼容的输入。
20引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F20
顶视图
S0
OE1
OE2
I/O6
I/O4
I/O2
I/O0
Q0
MR
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
S1
DS7
Q7
I/O7
I/O5
I/O3
I/O1
CP
DS0
订购信息
产品型号
HCTS299DMSR
HCTS299KMSR
HCTS299D/Sample
HCTS299K/Sample
HCTS299HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
DIE
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
624
518640
3069.1
HCTS299MS
功能框图
S1
20
19
DS7
18
标准
产量
Q7
17
总线的输出
I/O7
16
I/O5
15
I/O3
14
I/O1
13
CP
12
DS0
11
VCC
OE
OE
OE
OE
OE
OE
OE
OE
D7
CL
CL
Q
D
R
Q7
S1
S1
S0
Q
D
D5
CL
R
Q5
CL
Q
D
D3
CL
R
Q3
CL
Q
D
D1
CL
R
Q1
模式
SELECT
逻辑
CL
CL
CL
S0
OE
Q6
Q4
Q2
Q0
OE
CL
CL
D6
R
D
Q
CL
CL
D4
R
D
Q
CL
CL
D2
R
D
Q
CL
CL
D0
R
D
Q
OE
OE
OE
OE
OE
OE
OE
OE
GND
1
S0
2
OE1
3
OE2
4
I/O6
5
I/O4
6
I/O2
7
I/O0
8
9
10
总线的输出
Q0
MR
标准
产量
规格编号
625
518640
HCTS299MS
真值表
寄存器操作模式
输入
功能
复位(清)
右移
MR
L
H
H
左移
H
H
持有(做什么)
并行加载
H
H
H
CP
X
S0
X
h
h
l
l
l
h
h
S1
X
l
l
h
h
l
h
h
DS0
X
l
h
X
X
X
X
X
DS7
X
X
X
l
h
X
X
X
I /对
X
X
X
X
X
X
l
h
Q0
L
L
H
q1
q1
q0
L
H
寄存器输出
Q1
L
q0
q0
q2
q2
q1
L
H
...
...
...
...
...
...
...
...
...
Q6
L
q5
q5
q7
q7
q6
L
H
Q7
L
q6
Q6
L
H
q7
L
H
真值表
三态I / O端口工作模式
输入
功能
阅读注册
OE1
L
L
L
L
装入寄存器
禁用I / O
X
H
X
OE2
L
L
L
L
X
X
H
S0
L
L
X
X
H
X
X
S1
X
X
L
L
H
X
X
QN ( REGISTER )
L
H
L
H
QN = I /开
X
X
输入/输出
I / O0 。 。 。 I / O7
L
H
L
H
I /开=输入
Z
Z
H =安高压等级
L =低电压等级
X =非物质
Z =输出高阻态
H =输入电压高一个建立时间之前时钟转换
L =输入电压低一个建立时间之前时钟转换
=低到高的时钟跳变
QN =小写字母表示引用的输出一个建立时间之前时钟切换的国家
规格编号
626
518640
特定网络阳离子HCTS299MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
72
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107
o
C / W 28
o
C / W
在125的最大封装功耗
o
C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.69W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.47W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.9mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.3mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
7.2
6.0
-7.2
-6.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
±1
±50
-
A
A
A
A
-
三态输出
漏电流
IOZ
施加的电压= 0V或
VCC , VCC = 5.5V
1
2, 3
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
627
518640
特定网络阳离子HCTS299MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
CLK为Q0 , Q7
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
MR到输出
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
OEN到输出
tpZH
VCC = 4.5V
9
10, 11
tPHZ
9
10, 11
tPZL
9
10, 11
tPLZ
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
28
32
30
34
32
36
23
25
25
27
30
34
30
34
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
CLK到I /开
符号
的TPH1 ,
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
TTHL ,
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
最大工作
频率
FMAX
VCC = 4.5V
1
1
建立时间DS0 ,
DS7 ,我上的/ CLK
TSU
VCC = 4.5V
1
1
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
20
30
最大
147
171
10
10
15
22
25
16
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
规格编号
628
518640
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