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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1052页 > HCTS191D/SAMPLE
HCTS191MS
1995年9月
抗辐射
同步4位加/减计数器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式金属硬密封包装
( SBDIP ) MIL - STD- 1835 CDIP2 -T16
顶视图
P1
Q1
Q0
CE
U / D
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 P0
14 CP
13 RC
12 TC
11 PL
10 P2
9 P3
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/比特
日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转: >10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
宇宙射线底价免疫2 ×10
-9
错误/位天
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出 - 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
- VIL = 0.8V最大
- VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA @ VOL , VOH
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
( FLATPACK ) MIL - STD- 1835 CDFP4 -F16
顶视图
P1
Q1
Q0
CE
U / D
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
P0
CP
RC
TC
PL
P2
P3
描述
Intersil的HCTS191MS是一种抗辐射asynchro-
nously可预置4位二进制加/减计数器同步。
预置计数器的数目上的预置数据输入
( P 0 - P 3 )是由一个低异步并行加载完成
输入( PL ) 。发生计数时, PL为高,计数使能( CE )
低,并且向上/向下(U / D )输入可为低频向上计数
或高的向下计数。该计数器递增或递减
随着时钟的低到高的转变mented同步。
当溢流或下溢流的计数器时,该
终端计数输出( TC ) ,这是低票期间,去
高电平并保持一个时钟周期。此输出可
用于先行进在高速级联。在TC
产量也将启动脉动时钟输出( RC )的,通常
高变低并保持为低的低电平部
时钟脉冲。这些计数器可以使用波纹级联
进位输出。
该HCTS191MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCTS191MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
真值表
功能
计数
倒计时
异步预置
没有变化
PL
H
H
L
H
CE
L
L
X
H
U / D
L
H
X
X
X
X
CP
H =高电平, L =水平低, X =非物质
=从低到高的转变
注: U / D或CE只应改变时,时钟( CP )
为高。
订购信息
产品型号
HCTS191DMSR
HCTS191KMSR
HCTS191D/Sample
HCTS191K/Sample
HCTS191HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
DB NA
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
580
518621
2250.2
工作原理图
14
CP
5
U / D
11
PD
13
RC
12
TC
HCTS191MS
PL
P
T
Q
P
T
PL
P
Q
T
PL
P
Q
T
PL
581
4
CE
Q
CP Q
FF0
CP Q
FF1
CP Q
FF2
CP Q
FF3
规格编号
518621
3
Q0
Q1
2
Q2
6
Q3
7
特定网络阳离子HCTS191MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
582
518621
特定网络阳离子HCTS191MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
PN至Qn
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
CP到Qn
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
CP到RC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
CP为TC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
U / D为RC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
U / D为TC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
行政长官RC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
34
37
44
49
27
31
39
45
26
30
29
33
20
23
32
34
37
42
40
46
42
45
38
43
34
38
42
45
22
25
35
38
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
PL到Qn
符号
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
规格编号
583
518621
特定网络阳离子HCTS191MS
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
最大工作
频率
( CPU , CPD )
建立时间
PN为PL
FMAX
VCC = 4.5V
1
1
TSU
VCC = 4.5V
1
1
建立时间
CE到CP
TSU
VCC = 4.5V
1
1
建立时间
U / D为CP
TSU
VCC = 4.5V
1
1
保持时间
PN为PL
TH
VCC = 4.5V
1
1
保持时间
CE到CP
TH
VCC = 4.5V
1
1
保持时间
U / D为CP
TH
VCC = 4.5V
1
1
恢复时间
TREC
VCC = 4.5V
1
1
CP脉冲宽度
TW
VCC = 4.5V
1
1
PL脉冲宽度
TW
VCC = 4.5V
1
1
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
12
18
12
18
18
27
2
2
2
2
0
0
12
18
16
24
20
30
最大
54
84
10
10
15
22
30
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
584
518621
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操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCTS191D/SAMPLE
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