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HCTS190MS
1995年9月
抗辐射
同步4位加/减计数器
描述
Intersil的HCTS190MS是一个异步预置
BCD十年同步计数器。预置计数器
在预置数据输入的数目( P 0 - P 3 )是accom-
在并行加载输入( PL) plished由低。计数
发生时(PL)为高电平时,计数使能(CE )为低,并且
UP / DOWN (U / D )输入可以是低向上计数或为高
向下计数。该计数器递增或递减
同步于时钟的低到高转变。
当溢流或下溢流的计数器时,该
终端计数输出(TC ),其是低计数期间,
变为高电平并保持高为一个时钟周期。此输出
可用于先行进在高速级联。
在TC产量也将启动脉动时钟输出( RC )
其中,一般高,变低并保持低的低
在时钟脉冲的电平部分。这些计数器可磁带式
使用脉动进位输出caded 。
如果十进制计数器预置为非法状态或承担
非法状态下通电时,它将返回到
在一个或两个计数正常顺序
该HCTS190MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCTS190MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出 - 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
- VIL = 0.8V最大
- VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA @ VOL , VOH
订购信息
产品型号
HCTS190DMSR
HCTS190KMSR
HCTS190D/Sample
HCTS190K/Sample
HCTS190HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式金属硬密封包装
( SBDIP ) MIL - STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
P1
Q1
Q0
CE
U / D
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 P0
14 CP
13 RC
12 TC
11 PL
10 P2
9 P3
16引脚陶瓷 - 金属密封FLATPACK包装
( FLATPACK ) MIL - STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
P1
Q1
Q0
CE
U / D
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
P0
CP
RC
TC
PL
P2
P3
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
1
518614
2474.2
HCTS190MS
工作原理图
15
PL
11
U / D
5
P0
1
P1
10
P2
9
P3
PL
P
T
CP
Q
Q
PL
P
T
CP
FF1
Q
Q
PL
P
T
CP
Q
Q
PL
P
T
CP
Q
Q
Q3
7
FF0
FF2
FF3
TC
CE
4
CP
14
3
Q0
2
Q1
6
Q2
RC
12
13
真值表
功能
计数
倒计时
异步预置
没有变化
H =高电平
L =低电平
X =非物质
=从低到高的转变
注意:只有当时钟为高U / D或CE应该有所改变。
P;
H
H
L
H
CE
L
L
X
H
U / D
L
H
X
X
X
X
CP
规格编号
2
518614
特定网络阳离子HCTS190MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间@ 4.5 VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
3
518614
特定网络阳离子HCTS190MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
PN至Qn
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
CP到Qn
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
CP到RC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
CP为TC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
U / D为RC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
U / D为TC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
行政长官RC
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
32
37
38
44
24
28
36
41
24
29
23
27
17
19
26
29
33
39
33
39
32
36
34
38
29
33
35
38
20
21
29
31
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
PL到Qn
符号
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
规格编号
4
518614
特定网络阳离子HCTS190MS
表3.电气性能特性
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输出转换时间
TTHL
tTLH
FMAX
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TSU
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TSU
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TSU
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TREC
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
CP脉冲宽度
TW
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
PLN脉冲宽度
TW
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
12
18
12
18
18
27
2
2
2
2
0
0
12
18
16
24
20
30
-
-
-
-
-
-
最大
60
128
10
10
15
22
30
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
电容功率耗散
符号
CPD
最大工作频率
( CPU , CPD )
建立时间
PN为PL
建立时间
CE到CP
建立时间
U / D为CP
保持时间
PN为PL
保持时间
CE到CP
保持时间
U / D为CP
恢复时间
输出电流
(来源)
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
规格编号
5
518614
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCTS190DMSR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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