HCTS160T
数据表
1999年7月
网络文件编号
4626.1
抗辐射同步
计数器
Intersil的卫星应用
（ SAF ）设备完全
经过测试，保证100kRAD总剂量。这些QML
T级的设备进行处理，以一个标准的溢流意
以满足大的成本和更短的交货时间要求
体积卫星制造商，同时保持高
的可靠性水平。
Intersil的HCTS160T是一种抗辐射的高速
可预置BCD十年同步计数器的
酒店设有一个异步复位和先行进位逻辑。
计算和并行预置都完成
同步于时钟的低到高转变。一
在同步并行低电平使能输入， SPE ，
禁止计数，并允许数据在预设的输入， P0 -
P3时，被加载到计数器。该计数器是由一个复位
低在主复位输入，MR 。两个计数使能， PE
并且提供了用于n位级联TE中。同时，还可以控制
终端计数输出， TC 。终端计数输出
表示最大计数一个时钟脉冲，并用于
以使下一个级联级计数。
溢流
TM
特点
QML T级，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
- 闭锁免费在任何条件
- SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米
2
/毫克
- 单事件翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10
-9
错误/位日（典型值）
3微米抗辐射CMOS SOS
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出10输入通道负载
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围： 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
- V
IL
= 0.8V最大
- V
IH
= V
CC/2
民
输入电流水平㈡
≤
5毫安在V
OL
, V
OH
引脚配置
HCTS160DTR （ SBDIP ） ， CDIP2 -T16
顶视图
MR 1
CP 2
16 V
CC
15 TC
14 Q0
13 Q1
12 Q2
11 Q3
10 TE
9 SPE
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定阳离子的HCTS160T是
载于SMD 5962-95742 。
“热链接”是由提供
我们的网站下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
Intersil公司的质量管理计划（ QM计划） ，其中列出了所有
T级筛选作业，也可在我们的
网站。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
P0 3
P1 4
P2 5
P3 6
PE 7
GND 8
订购信息
订购
数
5962R9574201TEC
5962R9574201TXC
产品型号
HCTS160DTR
HCTS160KTR
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
MR
CP
P0
P1
P2
HCTS160KTR （ FLATPACK ） ， CDFP4 -F16
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CC
TC
Q0
Q1
Q2
Q3
TE
SPE
注意：
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接。
P3
PE
GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
卫星应用流量 （ SAF ）是Intersil公司的商标。
HCTS160T
工作原理图
P0
3
P1
4
P2
5
P3
6
SPE
MR
Q3 Q0 Q3 Q0
CP
MR
D0
T0
Q0
CP Q0
P
MR
D1
T1
CP
Q1
P
MR
D2
T2
CP
Q2
P
MR
D3
T3
Q3
CP Q0
P
Q3 Q3
Q2 Q3 Q0 Q1
Q1
Q0 Q2 Q0 Q3
PE
TE
GND
8
V
CC
16
Q0
14
TC
15
Q1
13
Q0
12
Q1
11
真值表
输入
经营模式
复位（清）
并行加载
MR
L
H
H
算
抑制
H
H
H
X
X
CP
X
PE
X
X
X
h
L（注2 ）
X
TE
X
X
X
h
X
L（注2 ）
SPE
X
l
l
H（注3 ）
H（注3 ）
H（注3 ）
Pn
X
l
h
X
X
X
Qn
L
L
H
算
qn
qn
输出
TC
L
L
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
L
H =高电压电平。
L =低电压电平。
之前低到高时钟转换H =高电压一层设置时间。
L =低电压一级建立时间之前低到高时钟转换。
X =非物质。
Q =小写字母表示引用的输出状态之前低到高时钟转换。
=低到高时钟跳变。
注意事项：
1. TC输出为高电平时的TE为高电平，且计数器在终端计数（ HHHH为161和华丽联合为160）。
2.应该只出现PE或TE对74161分之54和七万四千一百六十○分之五十四高至低跳变，而CP是高的常规操作。
3.只应出现SPE对74161分之54和七万四千一百六十零分之五十四低到高的转变，而CP是高常规操作。
2
HCTS160T
模具特点
DIE尺寸：
（ 2642μm X 2184μm X 533μm
±51.0m)
104 X 86 X 21mils
±2mil
金属化：
类型：铝硅
厚度： 11.0k
±1k
衬底电位：
蓝宝石上硅无偏
背面表面处理：
蓝宝石
钝化：
类型： SILOX （S
i
O
2
)
厚度： 13.0k
±2.6k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
676
过程：
CMOS SOS
金属掩模布局
HCTS160T
CD
(2)
MR
(1)
V
CC
(16)
（ 15 ） TC
P0 (3)
(14) Q0
P1 (4)
(13) Q1
P2 (5)
(12) Q2
P3 (6)
(11) Q3
PE （ 7 ）
(8)
GND
(9)
SPE
(10)
TE
注：模具图是从类似HCS设备通用的阴谋。它意在表示近似的管芯尺寸和焊盘的位置。面膜
系列为HCTS160是TA14445A 。
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