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HCTS112MS
1995年9月
抗辐射
双JK触发器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16
顶视图
CP1 1
K1 2
J1 3
S1 4
Q1 5
Q1 6
Q2 7
GND 8
16 VCC
15 R1
14 R2
13 CP2
12 K2
11 J2
10 S2
9 Q2
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
宇宙射线翻转率2 ×10
-9
错误/位日(典型值)
闭锁免费在任何条件
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
- VIL = 0.8V最大
- VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F16
顶视图
CP1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
R1
R2
CP2
K2
J2
S2
Q2
描述
Intersil的HCTS112MS是一种抗辐射的双JK
FL IP- FL运算与置位和复位。在IP- FL佛罗里达州运改变状态与
时钟的负跳变( CP1N或CP2N ) 。
该HCTS112MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCTS112MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
K1
J1
S1
Q1
Q1
Q2
GND
订购信息
产品型号
HCTS112DMSR
HCTS112KMSR
HCTS112D/Sample
HCTS112K/Sample
HCTS112HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
490
518603
2467.2
DB NA
HCTS112MS
工作原理图
5 (9)
CL
Q
P
3(11)
J
CL
P
N
2(12)
K
4(10)
S
15(14)
R
1(13)
CL
CP
CL
CL
N
CL
CL
P
N
CL
CL
P
N
CL
6 (7)
Q
真值表
输入
S
L
H
L
H
H
H
H
H
R
H
L
L
H
H
H
H
H
H
CP
X
X
X
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
H
L
切换
没有变化
Q
H
L
H*
没有变化
L
H
输出
Q
L
H
H*
H =高稳态,L =低稳定状态时, X =非物质,
=高向低转换
*输出国不可预测的,如果S和R变高的同时后两者是低在同一时间
规格编号
491
518603
特定网络阳离子HCTS112MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。 。为100ns / V最大
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
20
400
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
492
518603
特定网络阳离子HCTS112MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
S到Q
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
S到Q
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
R键Q
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
R键Q
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
37
42
34
38
21
24
35
41
33
38
28
34
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
CP为Q,Q
符号
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
建立时间J,K到
CP
保持时间J,K为CP
TTHL ,
tTLH
TSU
VCC = 4.5V
1
1
VCC = 4.5V
1
1
TH
VCC = 4.5V
1
1
搬迁时间R,S
到CP
脉冲宽度R,S
TREM
VCC = 4.5V
1
1
TW ( R,S)
VCC = 4.5V
1
1
脉冲宽度CP
TW ( CP )
VCC = 4.5V
1
1
最大工作
频率
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
FMAX
VCC = 4.5V
1
1
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
-
-
-
-
-
-
14
16
3
3
18
20
16
18
14
16
-
-
最大
60
150
10
10
15
22
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
20
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
规格编号
493
518603
特定网络阳离子HCTS112MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K极限
拉德
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOL = 50μA
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V , VIL = 0.8V ,
(注3)
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.4
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
CP为Q,Q
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
-
±5
-
A
-
的TPH1
TPLH
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
2
2
2
2
2
2
42
38
24
41
38
34
ns
ns
ns
ns
ns
ns
S到Q
S到Q
R键Q
R键Q
注意事项:
TPLH
的TPH1
的TPH1
TPLH
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
6A
0小时-15 %
规格编号
494
518603
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCTS112MS
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
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