添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第833页 > HCTS109HMSR
HCTS109MS
1995年9月
抗辐射
双JK触发器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
RI
J1
K1
CP1
S1
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 R2
14 J2
13 K2
12 CP2
11 S2
10 Q2
9 Q2
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围:-55
o
C
Q1
to
+125
o
C
Q1
GND
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入逻辑兼容
- VIL = 0.8V最大
- VIH = VCC / 2敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
R1
J1
K1
CP1
S1
Q1
Q1
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
R2
J2
K2
CP2
S2
Q2
Q2
描述
Intersil的HCTS109MS是一种抗辐射双JK
触发器具有置位和复位。在佛罗里达州佛罗里达IP运算改变状态
在时钟的正跳变( CP1或CP2 ) 。
该HCTS109MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCTS109MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
订购信息
产品型号
HCTS109DMSR
HCTS109KMSR
HCTS109D/Sample
HCTS109K/Sample
HCTS109HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
10
518601
2141.2
HCTS109MS
工作原理图
5 (11)
S
2 (14)
J
3 (13)
K
4 (12)
CP
1 (15)
R
16
VCC
8
GND
6 (10)
Q
7 (9)
Q
Q
J
S
F/F
Q
K
CL CL
真值表
输入
S
L
H
L
H
H
H
H
H
R
H
L
L
H
H
H
H
H
L
CP
X
X
X
J
X
X
X
L
H
L
H
X
K
X
X
X
L
L
H
H
X
H
没有变化
Q
H
L
H*
L
切换
没有变化
L
输出
Q
L
H
H*
H
*不可预测和不稳定的状态,如果S和R两个去高同步
规格编号
11
518601
特定网络阳离子HCTS109MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。为100ns / V最大。
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1中。
直流电气性能特点
一分
群体
1
2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
20
400
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
1
2, 3
1, 2, 3
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
12
518601
特定网络阳离子HCTS109MS
表2. AC电性能等特点
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
的TPH1
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
S到Q
TPLH
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
S到Q
的TPH1
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
R键Q
的TPH1
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
R键Q
TPLH
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
表3中。
电气性能特点
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
最大工作
频率
建立时间J,K到
CP
保持时间J,K为CP
TTHL
tTLH
FMAX
VCC = 4.5V
1
1
VCC = 4.5V
1
1
TSU
VCC = 4.5V
1
1
TH
VCC = 4.5V
1
1
搬迁时间R,
S到CP
脉冲宽度R,S
TREM
VCC = 4.5V
1
1
TW的(S, R)的
VCC = 4.5V
1
1
脉冲宽度CP
TW ( CP )
VCC = 4.5V
1
1
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
16
18
3
3
16
18
16
18
24
27
最大
80
82
10
10
15
22
27
18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
A组
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
26
30
30
35
19
23
31
33
31
33
31
33
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
CP为Q,Q
符号
TPLH
规格编号
13
518601
特定网络阳离子HCTS109MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V , VIL = 0.8V ,
(注3)
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
最大
0.4
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
CP为Q,Q
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
TPLH
的TPH1
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
2
2
2
2
2
2
30
35
23
33
33
33
ns
ns
ns
ns
ns
ns
S到Q
S到Q
R键Q
R键Q
注意事项:
TPLH
的TPH1
的TPH1
TPLH
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组SUB -
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
6A
0小时-15 %
规格编号
14
518601
查看更多HCTS109HMSRPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCTS109HMSR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HCTS109HMSR
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8203
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多HCTS109HMSR供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!