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HCS86MS
1995年9月
抗辐射
四2输入异或门
引脚配置
14引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 183S CDIP2 - T14 ,铅涂层
顶视图
A1 1
B1 2
Y1 3
A2 4
B2 5
Y2 6
7 GND
14 VCC
13 B4
12 A4
11 Y4
10 B3
9 A3
8 Y3
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/位天
(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = VCC最大值的30%
- VCC敏VIH = 70 %
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
14引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 183S CDFP3 - F14 ,铅涂层
顶视图
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
描述
Intersil的HCS86MS是一种抗辐射四2输入
异或门。高上任何一个输入专会
改变输出为高电平状态。
该HCS86MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列
TTL或CMOS输入兼容。
该HCS86MS是在一个14引线焊接密封陶瓷供应
FL atpack (K SUF网络X)或焊接密封陶瓷双列直插式封装
(D SUF网络X) 。
工作原理图
(1, 4, 9, 12)
An
Bn
(2, 5, 10, 13)
(3, 6, 8, 11)
Yn
订购信息
部分
HCS86DMSR
HCS86KMSR
HCS86D/
样品
HCS86K/
样品
HCS86HMSR
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选
水平
Intersil的类
s等效
Intersil的类
s等效
样品
样品
DIE
14铅SBDIP
14引脚陶瓷
扁平
14铅SBDIP
14引脚陶瓷
扁平
DIE
真值表
输入
An
L
L
H
H
Bn
L
H
L
H
输出
Yn
L
H
H
L
注: L =逻辑低电平, H =逻辑高电平
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
93
518773
3058.1
特定网络阳离子HCS86MS
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
o
C / W
30
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.43W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.5MW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.6mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。为100ns / V最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
10
200
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70 ( VCC ) , (注2 )
VIL = 0.30 ( VCC )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
94
518773
特定网络阳离子HCS86MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
数据输入
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
最大
18
20
20
22
单位
ns
ns
ns
ns
参数
数据输入
符号
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
最大
33
54
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
-
4.0
-4.0
-
VCC
-0.1
-
-
2
2
最大
0.2
-
-
0.1
-
±5
-
20
22
单位
mA
mA
mA
V
V
A
-
ns
ns
参数
静态电流
输出电流(漏)
输出电流(源)
输出电压低
输出电压高
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
数据输出
符号
ICC
IOL
IOH
VOL
VOH
IIN
FN
的TPH1
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
TEMP-
ERATURE
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.对于功能测试,VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
95
518773
特定网络阳离子HCS86MS
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
3A
0小时-15 %
表6.适用子群
合规组
初步测试(预燃式)
临时测试
I
(烧伤后)个
临时测试
II
(烧伤后)个
PDA
临时测试
III
(烧伤后)个
PDA
最终测试
A组(注1 )
B组
B亚组-5-
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Sample/5005
Sample/5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
1, 7, 9
1 , 7,9 ,德尔塔
2,3 ,8A,8B ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11
1,2, 3,7,图8A ,8B, 9 ,10,11 ,变化量
子群1 ,2,3 ,9,10 ,11,
(注2 )
ICC , IOL / H
读取并记录
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
ICC , IOL / H
B亚组-6-
D组
注意事项:
Sample/5005
Sample/5005
1, 7, 9
1, 7, 9
按照MIL-STD- 883方法5005 1.备选A组的测试,可以行使。
只有2表5的参数。
表7.总剂量辐射
TEST
一致性
群体
E组小组2
注意:
1.除将进行100 % GO / NO - FN去测试。
5005
预拉德
1, 7, 9
POST RAD
表4
读取并记录
预拉德
1, 9
POST RAD
表4 (注1 )
规格编号
96
518773
特定网络阳离子HCS86MS
表8.静态和动态BURN -IN测试连接
振荡器
开放
1/2 VCC = 3V
±
0.5V
VCC = 6V
±
0.5V
50kHz
25kHz
静态BURN- IN I测试条件(注1 )
3, 6, 8, 11
1, 2, 4, 5, 7, 9, 10, 12,
13
-
14
-
-
静态老化II测试连接(注1 )
3, 6, 8, 11
7
-
1, 2, 4, 5, 9, 10, 12,
13, 14
-
-
动态BURN - IN I的测试连接(注2 )
-
7
3, 6, 8, 11
14
1, 2, 4, 5, 9, 10,
12, 13
-
注意事项:
1.除VCC和GND每个引脚将有10K的电阻
±
对于静态老化5%。
2.除VCC和GND每个引脚将有1KΩ的电阻
±
对于动态老化5%。
表9.辐照测试连接
开放
3, 6, 8, 11
7
VCC = 5V
±
0.5V
1, 2, 4, 5, 9, 10, 12, 13, 14
注:除VCC和GND每个引脚将有47KΩ的电阻
±
辐照试验5 % 。
E组,小组2 ,样本大小为4骰子/晶圆0故障。
规格编号
97
518773
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    联系人:杨小姐
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