HCS74T
数据表
1999年7月
网络文件编号
4615.1
抗辐射双D触发器与
设置和重置
Intersil的卫星应用
（ SAF ）设备完全
经过测试，保证100kRAD总剂量。这些QML
T级的设备进行处理，以一个标准的溢流意
以满足大的成本和更短的交货时间要求
体积卫星制造商，同时保持高
的可靠性水平。
Intersil的HCS74T是一种抗辐射上升沿
触发FL IP- FL运算与置位和复位。
该HCS74T采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射，高速， CMOS / SOS逻辑系列。
溢流
TM
特点
QML T级，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
- 闭锁免费在任何条件下， SOS流程
- SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米
2
/毫克
- 单事件翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10
-9
错误/位日（典型值）
3微米抗辐射CMOS SOS
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围： 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- V
IL
的V = 30 ％
CC
最大
- V
IH
的V = 70％
CC
民
输入电流水平㈡
≤
5μA在V
OL
, V
OH
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定阳离子的HCS74T是
载于SMD 5962-95782 。
“热链接”是由提供
我们的网站下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
Intersil公司的质量管理计划（ QM计划） ，其中列出了所有
T级筛选作业，也可在我们的
网站。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
引脚配置
HCS74T （ SBDIP ） ， CDIP2 - T14
顶视图
R1 1
D1 2
CP1 3
S1N 4
Q1 5
14 V
CC
13 R2N
12 D2
11 CP2
10 S2N
9 Q2
8 Q2N
订购信息
订购
信息
5962R9578201TCC
5962R9578201TXC
部分
数
HCS74DTR
HCS74KTR
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
R1
D1
CP1
S1
Q1
Q1
GND
Q1N 6
7 GND
HCS74T （ FLATPACK ） ， CDFP3 - F14
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
R2
D2
CP2
S2
Q2
Q2
注意：
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
卫星应用流量 （ SAF ）是Intersil公司的商标。
HCS74T
工作原理图
S
CL
4(10)
CL
D
P
N
2(12)
CL
CL
P
N
R
1(13)
CL
P
N
CL
CL
P
N
CL
Q
6(8)
Q
5(9)
CP
3(11)
CL
CL
真值表
输入
SET
L
H
L
H
H
H
RESET
H
L
L
H
H
H
L
CP
X
X
X
D
X
X
X
H
L
X
Q
H
L
H
H
L
Q0
输出
Q
L
H
H
L
H
Q0
注： L =逻辑电平低，高H =逻辑电平， X =无所谓
=转型从低到高级别
Q0 = Q的指示输入条件前的水平建立。
这种配置是不安定，也就是置位和复位输入返回为无效（高）级的时候也不会持续。
2
HCS74T
模具特点
DIE尺寸：
（ 2261μm X 2235μm X 533μm
±51m)
89× 88 X 21mils
±2mil
金属化：
类型：铝硅
厚度： 11K
±1k
衬底电位：
无偏（蓝宝石上硅）
背面表面处理：
蓝宝石
钝化：
类型： SILOX （S
i
O
2
)
厚度： 13K
±2.6k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
192
过程：
CMOS SOS
金属掩模布局
HCS74T
D1
(2)
R1
(1)
V
CC
(14)
CP1 （3）
(13) R2
NC
(12) D2
S1 (4)
NC
Q1 (5)
（ 11 ） CP2
(10) S2
Q1 (6)
(7)
GND
(8)
Q2
(9)
Q2
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ISO9000
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