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HCS374MS
抗辐射八D型
触发器,三态,上升沿触发
引脚配置
20引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T20
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 VCC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
2004年11月11日
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/比特
日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率爆冷>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 公交驱动器输出 - 15输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
GND 10
描述
Intersil的HCS374MS是一种抗辐射的非反相
八路D型上升沿触发FL IP- FL运与三stateable
输出。该HCS374MS采用先进的CMOS / SOS技
术。八FL IP- FL OPS数据输入到自己的寄存器
低到高的时钟( CP )的转型。数据还
此过渡期间传送到输出端。输出
启用( OE )控制的三态输出和独立
的寄存器操作。当输出使能为高时,输出
看跌期权是在高阻抗状态。
该HCS374MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS374MS是在一个20引脚的陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
20引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F20
顶视图
OE
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
CP
订购信息
产品型号
HCS374DMSR
HCS374KMSR
HCS374D/Sample
HCS374K/Sample
HCS374HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
DIE
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 |版权所有 Intersil公司1995年, 1999年, 2004年
规格编号
网络文件编号
1
518770
2470.3
HCS374MS
工作原理图
1第8
(3, 4, 7, 8, 13, 14, 17, 18)
D
通用控件
CP
11
FF
D
Q
OE
Q
(2, 5, 6, 9, 12, 15, 16, 19)
CP
OE
1
真值表
输入
OE
L
L
L
H
H =高级别(稳态)
L =低电平(稳态)
X =非物质
Z =高阻抗
=转型从低到高级别
Q0 = Q的指示输入条件前的水平,建立
L
X
CP
Dn
H
L
X
X
输出
Qn
H
L
Q0
Z
规格编号
2
518770
特定网络阳离子HCS374MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
72 C / W
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 107
o
C / W 28
o
C / W
在125的最大封装功耗
o
C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.69W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.47W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.9mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.3mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。最大为500ns 。
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
7.2
6.0
-7.2
-6.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
±1
±50
-
A
A
A
A
-
三态输出
漏电流
IOZ
施加的电压= 0V或
VCC , VCC = 5.5V
1
2, 3
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) , (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
3
518770
特定网络阳离子HCS374MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
使能到输出
tpZL ,
tpZH
tPLZ
VCC = 4.5V
9
10, 11
禁用输出
VCC = 4.5V
9
10, 11
tPHZ
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
22
26
20
23
20
23
18
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
时钟到Q
符号
tPLH的,
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容功率耗散
符号
CPD
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
+25
o
C
+125
o
C
输出转换时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
最大工作频率
FMAX
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
建立时间的数据,以时钟
TSU
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
数据保持时间,以时钟
TH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
脉宽时钟
TW
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
-
-
-
-
-
-
-
-
12
18
5
5
16
24
最大
11
35
10
10
12
18
30
20
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
4
518770
特定网络阳离子HCS374MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
施加的电压= 0V或VCC , VCC = 5.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
6.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-6.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
三态输出
漏电流
噪声抗扰度
功能测试
时钟到Q
IIN
IOZ
+25
o
C
+25
o
C
±5
±50
A
A
FN
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
+25
o
C
-
-
-
tPLH的,
的TPH1
tpZL ,
tpZH
tPLZ
tPHZ
+25
o
C
2
26
ns
使能到输出
VCC = 4.5V
+25
o
C
2
23
禁用输出
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
+25
o
C
+25
o
C
2
2
23
20
ns
ns
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
IOZL / IOZH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
±200nA
规格编号
5
518770
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    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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