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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第156页 > HCS32KMSR
HCS32MS
1995年9月
抗辐射
四2输入或门
引脚配置
14引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装（ SBDIP ）
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T14
顶视图
A1 1
B1 2
Y1 3
A2 4
B2 5
Y2 6
7 GND
14 VCC
13 B4
12 A4
11 Y4
10 B3
9 A3
8 Y3
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD （SI ）
SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10
-9
错误/位天
（典型值）
剂量率生存能力： >1 ×10
12
RAD （SI ） / S
剂量率翻转>10
10
RAD （SI ） / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围：-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围： 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = VCC最大值的30％
- VCC敏VIH = 70 ％
输入电流水平㈡
≤
5μA @ VOL ， VOH
A1
B1
14引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装（ FLATPACK ）
MIL- STD- 1835 CDFP3 - F14
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
描述
Intersil的HCS32MS是一种抗辐射四2输入或
门。低在两个输入端强制输出为高电平状态。
该HCS32MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射，高速， CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS32MS是在一个14引脚陶瓷FL atpack （K SUF网络X）提供
或SBDIP封装（D SUF网络X） 。
Y1
A2
B2
Y2
GND
工作原理图
An
(1, 4, 9, 12)
Yn
订购信息
部分
数
HCS32DMSR
温度
范围
-55
o
C
to
+125
o
C
筛选
水平
Intersil的类
s等效
Intersil的类
s等效
样品
包
(3, 6, 8, 11)
Bn
14铅SBDIP
(2, 5, 10, 13)
HCS32KMSR
-55
o
C至+ 125
o
C
14引脚陶瓷
扁平
14铅SBDIP
An
L
真值表
输入
Bn
L
H
L
H
输出
Yn
L
H
H
H
DB NA
HCS32D/
样品
HCS32K/
样品
HCS32HMSR
+25
o
C
+25
o
C
样品
14引脚陶瓷
扁平
DIE
L
H
+25
o
C
DIE
H
注： L =逻辑低电平， H =逻辑高电平
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
73
518768
3057.1
特定网络阳离子HCS32MS
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流，任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
（所有电压参考的VSS终端）
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温（Tj ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
o
C / W
30
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.43W
如果设备功率超过封装散热能力，提供热
下沉或线性降额从以下速率：
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.5MW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.6mW /
o
C
注意：与所有半导体，强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备（一次一个），而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间VCC = 4.5V （ TR ， TF ） 。 。 。为100ns / V最大
工作温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压（ VIL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30％
输入高电压（ VIH ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 ％ VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
组
一分
群体
1
2, 3
输出电流
（汇）
IOL
VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，
VOUT = 0.4V ， VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
（来源）
IOH
VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，
VOUT = VCC -0.4V ，
VIL = 0V
VCC = 4.5V ， VIH = 3.15V ，
IOL = 50μA ， VIL = 1.35V
VCC = 5.5V ， VIH = 3.85V ，
IOL = 50μA ， VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V ， VIH = 3.15V ，
IOH = -50μA ， VIL = 1.35V
VCC = 5.5V ， VIH = 3.85V ，
IOH = -50μA ， VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V ， VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
民
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
10
200
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
（注1 ）
条件
VCC = 5.5V ，
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ，
VIH = 0.70（ VCC）的
VIL = 0.30 （ VCC ） ， （注2 ）
7，图8A ，8B
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
≥
4.0V被识别为逻辑“1” ，和VO
≤
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
74
518768
特定网络阳离子HCS32MS
表2. AC电性能等特点
组
一分
群体
9
10, 11
数据输出
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω ， CL = 50pF的，输入TR = TF = 3纳秒， VIL = GND ， VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
民
2
2
2
2
最大
18
20
20
22
单位
ns
ns
ns
ns
参数
输入到输出
符号
的TPH1
（注1,2 ）
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V ， F = 1MHz的
笔记
1
1
输入电容
CIN
VCC = 5.0V ， F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
1
1
注意：
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证，但不能直接
测试。这些参数的特点，在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C
民
-
-
-
-
-
-
最大
6
11
10
10
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流（漏）
符号
ICC
IOL
（注1,2 ）
条件
VCC = 5.5V ， VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V ， VIN = VCC和GND ，
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V ， VIN = VCC和GND ，
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V ，
VIH = 0.70（ VCC）的VIL = 0.30（ VCC）的
IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V ，
VIH = 0.70（ VCC）的VIL = 0.30（ VCC）的
IOH = -50μA
温度
+25
o
C
+25
o
C
民
-
4.0
最大
0.2
-
单位
mA
mA
输出电流
（来源）
输出电压低
IOH
+25
o
C
-4.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
V
规格编号
75
518768
特定网络阳离子HCS32MS
表4.直流POST辐射的电气性能特性（续）
200K RAD
范围
参数
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
数据输出
符号
IIN
FN
（注1,2 ）
条件
VCC = 5.5V ， VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V ， VIH = 0.70 （ VCC ） ，
VIL = 0.30 （ VCC） （注3）
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
民
-
-
最大
±5
-
单位
A
-
的TPH1
TPLH
+25
o
C
+25
o
C
2
2
20
22
ns
ns
注意事项：
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω ， CL = 50pF的，输入TR = TF = 3纳秒， VIL = GND ， VIH = VCC 。
3.功能测试VO
≥
4.0V被识别为逻辑“1” ，和VO
≤
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试， DELTA参数（ +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
3A
0小时-15 ％
表6.适用子群
合规组
初步测试（预燃式）
临时测试
I
（烧伤后）个
临时测试
II
（烧伤后）个
PDA
临时测试
III
（烧伤后）个
PDA
最终测试
A组（注1 ）
B组
B亚组-5-
法
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Sample/5005
Sample/5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
子群1 ，2，3 ，9，10 ，11，
（注2 ）
ICC ， IOL / H
读取并记录
ICC ， IOL / H
ICC ， IOL / H
ICC ， IOL / H
B亚组-6-
D组
注意事项：
Sample/5005
Sample/5005
1, 7, 9
1, 7, 9
1.备用组符合MIL -STD- 883方法5005一检查，可以行使。
只有2表5的参数。
规格编号
76
518768
特定网络阳离子HCS32MS
表7.总剂量辐射
TEST
一致性
群体
E组小组2
注意：
1.除将进行100 ％ GO / NO - FN去测试。
法
5005
预拉德
1, 7, 9
POST RAD
表4
读取并记录
预拉德
1, 9
POST RAD
表4 （注1 ）
表8.静态和动态BURN -IN测试连接
振荡器
开放
地
1/2 VCC = 3V
±
0.5V
VCC = 6V
±
0.5V
50kHz
25kHz
静态BURN- IN I的测试连接（注1 ）
3, 6, 8, 11
1, 2, 4, 5, 7, 9, 10,
12, 13
-
14
-
-
静态老化II测试连接（注1 ）
3, 6, 8, 11
7
-
1, 2, 4, 5, 9, 10, 12,
13, 14
-
-
动态BURN -IN测试连接（注2 ）
-
7
3, 6, 8, 11
14
1, 2, 4, 5, 9, 10, 12,
13
-
注意事项：
1.除VCC和GND每个引脚将有10K的电阻
±
对于静态老化5％
2.除VCC和GND每个引脚将有1KΩ的电阻
±
对于动态老化5％
表9.辐照测试连接
开放
3, 6, 8, 11
地
7
VCC = 5V
±
0.5V
1, 2, 4, 5, 9, 10, 12, 13, 14
注：除VCC和GND每个引脚将有47KΩ的电阻
±
辐照试验5 ％ 。
E组，小组2 ，样本大小为4骰子/晶圆0故障。
规格编号
77
518768
HCS32MS
数据表
2007年4月11日
FN3057.1
抗辐射四2输入或
门
Intersil的HCS32MS是一种抗辐射四2输入
或门。低在两个输入端强制输出为低电平状态。
该HCS32MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。这个设备是一个构件
抗辐射，高速， CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS32MS是在14 Ld的陶瓷扁平提供
（K SUF网络X）或SBDIP封装（D SUF网络X） 。
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD （SI ）
SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10
-9
错误/位日（典型值）
闭锁免费在任何条件
军用温度范围：-55° C至+ 125°C
显着降低功耗相比LSTTL集成电路
订购信息
部分
数
部分
记号
温度。
范围（° C）
包
PKG 。
DWG 。 ＃
D14.3
直流工作电压范围： 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
V
IL
的V = 30 ％
CC
最大
V
IH
的V = 70％
CC
民
输入电流I级
i
≤
5μA @ VOL ， VOH
HCS32DMSR Q 5962R95 -55 ° C至+ 125°C 14 Ld的SBDIP
78101VCC
HCS32KMSR Q 5962R95 -55 ° C至+ 125°C 14 Ld的陶瓷K14.A
78101VXC
扁平
HCS32D/
样品
HCS32K/
样品
HCS32HMSR
+25°C
+25°C
+25°C
14 Ld的SBDIP
14 Ld的陶瓷
扁平
DIE
工作原理图
An
(1, 4, 9, 12)
Yn
Intersil公司的无铅密封包装的产品采用锡银铜或金
终止完成，这是符合RoHS标准的终止和结束
既锡铅和无铅焊接操作兼容。陶瓷的
双列直插式封装产品（ CerDIPs ）不含有铅（Pb ） ，在
密封玻璃和芯片粘接玻璃材料。然而，铅玻璃中的
电子元件的材料占当前豁免
RoHS指令。因此，陶瓷无铅双列直插式封装
终止完成被认为是符合RoHS标准。
(3, 6, 8, 11)
Bn
(2, 5, 10, 13)
表1.真值表
输入
An
L
L
H
H
注意：
Bn
L
H
L
H
输出
Yn
L
H
H
H
L =逻辑低电平， H =逻辑高电平
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲1995年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HCS32MS
引脚配置
HCS32MS
14 Ld的SBDIP
顶视图
A1 1
B1 2
Y1 3
A2 4
B2 5
Y2 6
7 GND
14 VCC
13 B4
12 A4
11 Y4
10 B3
9 A3
8 Y3
A1
B1
Y1
A2
B2
Y2
GND
HCS32MS
14 LD陶瓷扁平
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
B4
A4
Y4
B3
A3
Y3
2
FN3057.1
2007年4月11日
HCS32MS
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入电压范围，所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到VCC + 0.5V
直流输入电流，在任何一个输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流，任何一个输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
（所有电压参考的VSS终端）
存储温度范围（ TSTG ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 265℃
结温（Tj ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 175℃
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热阻（注1,2 ）
θJA
θJC
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
74°C/W
24°C/W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 116 ° C / W
30°C/W
最大封装功耗为+ 125 ° C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0.43W
如果设备功率超过封装散热能力，提供热
下沉或线性降额从以下速率：
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .13.5mW /°C的
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .8.6mW /°C的
工作条件
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间VCC = 4.5V （ TR ， TF ） 。 。 。为100ns / V最大
工作温度范围（ TA ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 125°C
输入低电压（ VIL ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30％
输入高电压（ VIH ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC的0.70 ％至VCC
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
直流电气电气性能特性
A组
亚
1
2, 3
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
2, 3
7，图8A ，8B
范围
TEMP （℃）
+25
+125, -55
+25
+125, -55
+25
+125, -55
+25, +125, -55
+25, +125, -55
民
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
-
最大
10
200
-
-
-
-
0.1
0.1
-
-
±0.5
±5.0
-
单位
μA
μA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
μA
μA
-
参数
静态电流
符号
ICC
测试条件
VCC = 5.5V ， VIN = VCC或
GND
VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，
VOUT = 0.4V ， VIL = 0V
VCC = 4.5V ， VIH = 4.5V ，
VOUT = VCC -0.4V ，
VIL = 0V
VCC = 4.5V ， VIH = 3.15V ，
IOL = 50μA ， VIL = 1.35V
VCC = 5.5V ， VIH = 3.85V ，
IOL = 50μA ， VIL = 1.65V
输出电流（漏）
IOL
输出电流（源）
IOH
输出电压低
VOL
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V ， VIH = 3.15V ，
IOH = -50μA ， VIL = 1.35V
VCC = 5.5V ， VIH = 3.85V ，
IOH = -50μA ， VIL = 1.65V
25 ， + 125 ， -55 VCC - 0.1
25 ， + 125 ， -55 VCC - 0.1
+25
+125, -55
+25, +125, -55
-
-
-
输入漏电流
IIN
VCC = 5.5V ， VIN = VCC或
GND
VCC = 4.5V ， VIH = 0.70
（ VCC）的VIL = 0.30（ VCC）的
（注3）
噪声免疫功能测试
FN
注意事项：
3.这是只是为了显示在文档中继续说明。
4.这是一个行格式的电气规格的表。
3
FN3057.1
2007年4月11日
HCS32MS
AC电气性能特性
TEST
条件
（注5,6）
VCC = 4.5V
范围
A组
亚
9
10, 11
数据输出
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项：
5.所有电压参考器件GND 。
6. AC测量假设RL = 500Ω ， CL = 50pF的，输入TR = TF = 3纳秒， VIL = GND ， VIH = VCC 。
TEMP （℃）
+25
+125, -55
+25
+125, -55
民
2
2
2
2
最大
18
20
20
22
单位
ns
ns
ns
ns
参数
输入到输出
符号
的TPH1
电气性能特点
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
输出转换
时间
注意事项：
7.在电气性能特性中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是
保证，但不是直接测试。这些参数的特点，在最初的设计版本及其所影响这些设计变更
的特点。
符号
CPD
测试条件
VCC = 5.0V ， F = 1MHz的
笔记
7
7
CIN
TTHL
tTLH
VCC = 5.0V ， F = 1MHz的
VCC = 4.5V
7
7
7
TEMP （℃）
+25
+125, -55
+25
+25
+125
民
-
-
-
-
-
最大
6
11
10
15
22
单位
pF
pF
pF
ns
ns
DC邮政辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流（漏）
符号
ICC
IOL
（注8,9）
测试条件
VCC = 5.5V ， VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V ， VIN = VCC和GND ，
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V ， VIN = VCC和GND ，
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V ，
VIH = 0.70（ VCC）的VIL = 0.30（ VCC）的
IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V ，
VIH = 0.70（ VCC）的VIL = 0.30（ VCC）的
IOH = -50μA
VCC = 5.5V ， VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V ， VIH = 0.70 （ VCC ） ，
VIL = 0.30 （ VCC ） ， （注10 ）
温度
(°C)
+25
+25
民
-
4.0
最大
0.2
-
单位
mA
mA
输出电流（源）
IOH
+25
-4.0
-
mA
输出电压低
VOL
+25
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
VCC - 0.1
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
IIN
FN
+25
+25
-
-
±5
-
μA
-
4
FN3057.1
2007年4月11日
HCS32MS
DC邮政辐射电性能等特点
（续）
数据输出
的TPH1
TPLH
注意事项：
8.所有电压参考器件GND 。
9. AC测量假设RL = 500Ω ， CL = 50pF的，输入TR = TF = 3纳秒， VIL = GND ， VIH = VCC 。
10.对于功能测试VO
≥
4.0V被识别为逻辑“1” ，和VO
≤
0.5V被识别为逻辑“0”。
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
+25
+25
2
2
20
22
ns
ns
操作规范
参数
ICC
IOL / IOH
B组
小组
5
5
3μA
0小时-15 ％
DELTA LIMIT
适用群
合规组
初步测试（预燃式）
临时测试
I
（烧伤后）个
临时测试
II
（烧伤后）个
PDA
临时测试
III
（烧伤后）个
PDA
最终测试
A组（注11 ）
B组
B亚组-5-
法
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
100%/5004
Sample/5005
Sample/5005
A组子群
1, 7, 9
1, 7, 9
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
1, 7, 9
1 ， 7,9 ，德尔塔
2,3 ，8A，8B ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11
1，2， 3，7，图8A ，8B， 9 ，10，11 ，变化量
子群1 ，2，3 ，9，10 ，11，
（注12 ）
ICC ， IOL / H
读取并记录
ICC ， IOL / H
ICC ， IOL / H
ICC ， IOL / H
B亚组-6-
D组
注意事项：
Sample/5005
Sample/5005
1, 7, 9
1, 7, 9
11.备用组符合MIL -STD- 883方法5005一检查，可以行使。
12.预烧和运行寿命试验，台达的参数（ + 25 ° C）而已。
5
FN3057.1
2007年4月11日
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