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HCS195MS
1995年9月
抗辐射反相
8位并行输入/串行输出移位寄存器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
MR
J
K
D0
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 Q0
14 Q1
13 Q2
12 Q3
11 Q3
10 CP
9 PE
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出 - 10输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
D2
D3
GND
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
MR
J
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
Q0
Q1
Q2
Q3
Q3
CP
PE
描述
Intersil的HCS195MS是一种抗辐射的8位Paral-
具有互补序列LEL -IN /串行输出移位寄存器
输出和异步并行加载输入。
该HCS195MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS195MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
K
D0
D1
D2
D3
GND
订购信息
产品型号
HCS195DMSR
HCS195KMSR
HCS195D/Sample
HCS195K/Sample
HCS195HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
280
518760
3385.1
HCS195MS
工作原理图
D0
D1
D2
D3
PE
CP
P
J
TG
N
CL
DP PL
DS Q
MR
P
K
TG
N
CL
DP PL
DS Q
MR
CL
DP PL
DS Q
MR
CL
DP PL
DS Q
MR
MR
Q0
Q1
Q2
Q3
Q3
真值表
输入
MR
L
H
H
H
H
H
CP
X
PE
X
h
h
h
h
l
J
X
h
l
h
l
X
K
X
h
l
l
h
X
Dn
X
X
X
X
X
dn
Q0
L
H
L
q0
q0
d0
Q1
L
q0
q0
q0
q0
dl
输出
Q2
L
ql
ql
ql
ql
d2
Q3
L
q2
q2
q2
q2
d3
Q3
H
q3
q3
q3
q3
d3
DN或尺寸Qn =参考输入(或输出)之前,时钟一个建立时间
升或h =电平1设定时间之前,时钟
=正时钟
规格编号
281
518760
特定网络阳离子HCS195MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
(所有电压参考VSS )
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间VCC = 4.5V ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 .10ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC到VCC的70 %
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V ,
(注2 )
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V , (注2 )
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电流
(来源)
IOH
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.力/测量功能可以互换。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
282
518760
特定网络阳离子HCS195MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
31
37
34
42
32
39
32
39
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
传播延迟
( CP - 尺寸Qn )
传播延迟
( CP - 尺寸Qn )
传播延迟
(MR - Q0-3 )
传播延迟
(MR - Q3 )
注意事项:
符号
TPHL1
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V
VIL = 0
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V
VIL = 0
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V
VIL = 0
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V
VIL = 0
TPLH1
TPHL2
TPLH2
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
表3.电气性能特性
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , VIH = 5.0V , VIL = 0.0V ,
F = 1MHz的
VCC = 5.0V , VIH = 5.0V , VIL = 0.0V ,
F = 1MHz的
VCC = 5.0V , VIH = 5.0V , VIL = 0.0V ,
F = 1MHz的
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TSU
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
保持时间
TH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
MR到CP去除
时间
恢复时间
PL到CP
最大时钟
频率
输出转换时间
TREM
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TREC
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
FMAX
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0.0V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
16
24
20
20
3
3
16
24
20
30
30
20
1
1
最大
90
120
10
10
20
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
22
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
CIN
输出电容
COUT
脉冲宽度时间
( CP或MR )
建立时间
TW
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
规格编号
283
518760
特定网络阳离子HCS195MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
电源电流
输出电流(漏)
输出电流
(来源)
输出电压低
符号
ICC
IOL
IOH
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = VIH = 4.5V , VOUT = 0.4V , VIL = 0
VCC = VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V , VIL = 0
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0V
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
-4.0
最大
0.75
-
-
单位
mA
mA
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
传播延迟
( CP - 尺寸Qn )
传播延迟
( CP - 尺寸Qn )
传播延迟
(MR - Q0-3 )
传播延迟
(MR - Q3 )
IIN
FN
+25
o
C
+25
o
C
±5
-
A
-
TPHL1
+25
o
C
2
37
ns
TPLH1
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0V
+25
o
C
2
42
ns
TPHL2
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0V
+25
o
C
2
39
ns
TPLH2
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V , VIL = 0V
+25
o
C
2
39
ns
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
规格编号
284
518760
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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