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HCS193MS
1995年9月
抗辐射
同步4位加/减计数器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
P1
Q1
Q0
CPD
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 P0
14 MR
13 TCD
12 TCU
11 PL
10 P2
9 P3
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/比特
日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率翻转>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
中央处理器
Q2
Q3
GND
闭锁免费在任何条件
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.30 % VCC最大
- VIH = 0.70 % VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
P1
Q1
Q0
CPD
中央处理器
Q2
Q3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
P0
MR
TCD
TCU
PL
P2
P3
描述
Intersil的HCS193MS是一种抗辐射4位二进制/
DOWN同步计数器。
预置计数器的数目上的预置数据输入
( P0 - P3 )上的异步并行实现由低
负载输入( PL ) 。该计数器在从低到高
时钟输入的转变(高的时钟下) ,
递减的低时钟下输入高电平的跳变
(高的时钟加速) 。高水平的MR输入覆盖任何
其他输入清除计数器为零。终端计数最多
变低一半的零计数前一个时钟周期到达,
返回高点的最大数量。
该HCS193MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
订购信息
产品型号
HCS193DMSR
HCS193KMSR
HCS193D/Sample
HCS193K/Sample
HCS193HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
DB NA
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
270
518759
3065.1
HCS193MS
工作原理图
P0
15
P1
1
P2
10
P3
9
14
MR
11
PL
5
中央处理器
PL
P Q
FF0
CL Q
PL
P Q
FF1
CL Q
PL
P Q
FF2
CL Q
PL
P Q
FF3
TCU
CL Q
13
TCD
12
4
CPD
8
GND
16
VCC
3
Q0
Q1
2
Q2
6
Q3
7
真值表
功能
计数
倒计时
RESET
加载预置输入
H
X
X
X
X
=从低到高的转变
时钟高达
时钟向下
H
RESET
L
L
H
L
并行加载
H
H
X
L
H =高电平, L =水平低, X =非物质,
规格编号
271
518759
特定网络阳离子HCS193MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。最大为100ns 。
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
4.8
4.0
-4.8
-4.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
-
A
A
-
噪声抗扰度
功能测试
FN
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.70( VCC)的
VIL = 0.30 ( VCC ) , (注2 )
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
272
518759
特定网络阳离子HCS193MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
CPU到TCU
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
PL到Qn
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
MR到Qn
的TPH1 ,
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
31
38
31
36
23
27
23
27
32
39
31
37
26
31
34
40
33
38
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
CPU至Qn
符号
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
CPD为TCD
CPD到Qn
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
表3.电气性能特性
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输出转换时间
TTHL
tTLH
FMAX
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
TSU
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
保持时间的Pn为PL
TH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
保持时间CPD到CPU或CPU来
CPD
TH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
16
24
0
0
16
24
最大
53
75
10
10
15
22
25
17
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
电容功率耗散
符号
CPD
最大工作频率
( CPU , CPD )
建立时间的Pn到PL
规格编号
273
518759
特定网络阳离子HCS193MS
表3.电气性能特性(续)
(注1 )
条件
VCC = 4.5V
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C
脉冲宽度PL
TW
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C
脉冲宽度MR
TW
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C
恢复时间PL到CPU , CPD
TREC
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C
恢复时间MR到CPU , CPD
TREC
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
4.0
-4.0
-
VCC
-0.1
-
-
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
0.75
-
-
0.1
-
±5
-
38
36
39
37
27
27
31
40
38
单位
mA
mA
mA
V
V
A
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
30
16
24
20
30
16
24
5
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
脉冲宽度的CPU CPD
符号
TW
参数
静态电流
输出电流(漏)
输出电流
(来源)
输出电压低
输出电压高
输入漏电流
噪声抗扰度
功能测试
CPU至Qn
符号
ICC
IOL
IOH
VOL
VOH
IIN
FN
TPLH
的TPH1
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
CPD到Qn
TPLH
的TPH1
CPU到TCU
CPD为TCD
PL到Qn
的TPH1 ,
TPLH
的TPH1 ,
TPLH
TPLH
的TPH1
MR到Qn
注意事项:
的TPH1
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
274
518759
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    HCS193MS
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HCS193MS
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